| 研究課題/領域番号 |
19310085
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
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| 研究機関 | 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 |
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研究代表者 |
永瀬 雅夫 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (20393762)
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| 研究分担者 |
日比野 浩樹 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 (60393740)
関根 佳明 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 社員 (70393783)
影島 博之 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (70374072)
山口 浩司 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 部長 (60374071)
岡本 創 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 社員 (20350465)
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| 研究期間 (年度) |
2007 – 2009
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| 研究課題ステータス |
完了 (2009年度)
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| 配分額 *注記 |
19,890千円 (直接経費: 15,300千円、間接経費: 4,590千円)
2009年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2008年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2007年度: 12,220千円 (直接経費: 9,400千円、間接経費: 2,820千円)
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| キーワード | ナノ材料 / マイクロ・ナノデバイス / 計測工学 / グラフェン / 低エネルギー電子顕微鏡 / ナノギャップ電極 |
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| 研究概要 |
SiC上に熱成長したグラフェンの局所電子物性の解明を目的に研究を進めた。低エネルギー電子顕微鏡を用いることにより精密な層数制御に成功した。さらに、層数制御を行った高品質なグラフェン薄膜に対して、独自に開発した集積化ナノギャップ電極プローブを用いてその局所電子物性の計測を行った。その結果、ナノグラフェンにおいては閉じこめ効果に由来するコンダクタンスの幅依存性が観察できた。また、均一グラフェンにおいてはステップ部での導電率変調を見いだした。今後のグラフェンの電子デバイス応用に関して有益な知見が多く得られた。
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