KAKEN — 研究課題をさがす | 研究者番号: 20393770

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1. ゲート生成p-n接合による遠赤外LEDの実現

研究課題

研究種目	基盤研究(C)
審査区分	小区分13020:半導体、光物性および原子物理関連
研究機関	福岡工業大学
研究代表者	鈴木恭一福岡工業大学, 工学部, 准教授
研究期間 (年度)	2019-04-01 – 2023-03-31完了
キーワード	ゲート生成p-n接合 / トポロジカル絶縁体 / 遠赤外ダイオード / 遠赤外 / 半導体ヘテロ構造
研究開始時の研究の概要	半導体薄膜の一部分のみにゲートを作製し、ゲート直下をp-n反転させることでゲート生成p-n接合が形成される。材料が直接遷移型半導体であれば発光ダイオードとなる。半導体ヘテロ構造の中で、一方の材料の伝導帯ともう一方の材料の価電子帯のエネルギーが重複するものをtype-IIブロークンギャップ型と呼ぶ。こ ...
研究成果の概要	InAs/InGaSbトポロジカル絶縁体に部分的なゲートを形成することで膜面方向にp-n接合を形成し、遠赤外ダイオードの作製を目指した。遠赤外発光の観測までは至らなかったが、電気伝導測定からバンドギャップが43μmの遠赤外光に対応することを確認した。表面側、基板側両方からのゲート電圧によりp-n接合 ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (2件うち査読あり 1件、オープンアクセス 1件) 学会発表 (3件)

2. 窒化物半導体ステップフリー面を利用した新規分子層エピタキシ

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
研究分野	結晶工学
研究機関	日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
研究代表者	赤坂哲也日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主任研究員
研究期間 (年度)	2016-04-01 – 2019-03-31完了
キーワード	エピタキシャル成長 / 半導体物性 / 量子井戸 / 窒化物半導体 / 結晶成長 / 光デバイス / 電子デバイス
研究成果の概要	原子レベルで平坦なヘテロ界面（ステップフリー界面）を有する窒化物半導体（窒化ガリウム GaN，窒化インジウム InN，窒化アルミニウム AlN）の作製を目的として、新原理に基づく分子層エピタキシを提案した。結晶成長が難しいInN単結晶薄膜の結晶成長条件を最適化し、GaN/InN/GaNダブルヘテロ構 ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (3件うち査読あり 3件、謝辞記載あり 1件) 学会発表 (7件うち国際学会 4件、招待講演 1件) 備考 (2件)

3. 電子－正孔複合量子井戸による量子スピンホール効果の実現

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
研究分野	物性Ⅰ
研究機関	日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
研究代表者	鈴木恭一日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員
研究期間 (年度)	2014-04-01 – 2017-03-31完了
キーワード	トポロジカル絶縁体 / 半導体ヘテロ構造 / 量子スピンホール効果 / 量子化伝導 / 半導体物性 / 超薄膜 / 物性実験 / スピンエレクトロニクス / 量子井戸 / 半導体へテロ構造
研究成果の概要	InAs/GaSb系半導体ヘテロ接合構造により人工的に形成された2次元トポロジカル絶縁体(TI)について、表面、裏面の両側からのゲート制御によりTI-半金属遷移を実現した。また、試料形状および電極配置を工夫し片側のみのエッジチャネル伝導を測定し、量子化伝導に非常に近い値を観測した。さらに、GaSbの ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (6件うち国際共著 2件、査読あり 4件、謝辞記載あり 4件、オープンアクセス 2件) 学会発表 (22件うち国際学会 6件、招待講演 2件)