KAKEN — 研究課題をさがす | 研究者番号: 30405344

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検索結果: 11件 / 研究者番号: 30405344

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1. 圧電MEMSアレイと物理リザバー計算による音声認識の実証

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
審査区分	小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
研究機関	大阪公立大学
研究代表者	吉村武大阪公立大学, 大学院工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2025-04-01 – 2028-03-31交付
キーワード	物理リザバー計算 / 圧電 / MEMS / 共振 / 非線形
研究開始時の研究の概要	この研究は、エッジAI技術として注目される物理リザバーコンピューティング（RC）の性能向上を目指しています。特に、圧電MEMS振動子を用いた空間多重化方式の物理RCに着目し、その設計指針を確立することを目的としています。圧電MEMS振動子アレイを用いてリザバー層を構成し、音声認識を対象とした実験を行 ...

2. 強誘電体の素励起コヒーレント状態を用いた物性評価方法の確立とデバイスへの展開

研究課題

研究種目	基盤研究(S)
審査区分	大区分C
研究機関	大阪公立大学 (2022-2023) 大阪府立大学 (2019-2021)
研究代表者	藤村紀文大阪公立大学, 大学院工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2019-06-26 – 2024-03-31完了
キーワード	強誘電体 / 素励起 / コヒーレント状態 / 急峻スイッチトランジスタ / 負性容量 / 電気熱量効果 / 熱マネジメントデバイス / 固体熱ダイオード / 1
研究開始時の研究の概要	「強誘電体/半導体界面に生じる負性容量効果を利用した超低消費電力駆動不揮発FET」と「電気熱量効果を用いたモノリシック熱マネジメントデバイス」は，超低消費電力IoTシステムの構築に貢献できる革新的なデバイスとして大きな期待が寄せられている．一方でそれらのデバイスの動作に対する明確な物理描像は構築され ...
研究成果の概要	負性容量FET動作の物理描像として、強誘電体/半導体界面における減分極電界と空乏層形成の影響であることを明らかにし、内部電荷移動の正確な評価法を開発した。また強誘電体にfsレーザーを照射してコヒーレントフォノンやフォノン・ポラリトンを励起させ、その試料内空間伝播（THz放射）の時間分解イメージングに ...
事後評価所見 (区分)	A-: 研究領域の設定目的に照らして、概ね期待どおりの成果があったが、一部に遅れが認められた
中間評価所見 (区分)	B: 研究領域の設定目的に照らして研究が遅れており、今後一層の努力が必要である

この課題の研究成果物	国際共同研究 (6件) 雑誌論文 (56件うち国際共著 5件、オープンアクセス 24件、査読あり 54件) 学会発表 (291件うち国際学会 76件、招待講演 31件) 図書 (1件)

3. ナノ秒パルスポーリングが拓く誘電体応用領域の拡張

研究課題

研究種目	基盤研究(A)
審査区分	中区分26:材料工学およびその関連分野
研究機関	長岡技術科学大学
研究代表者	中山忠親長岡技術科学大学, 工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2019-04-01 – 2022-03-31完了
キーワード	ポーリング / 強誘電体 / ナノ秒パルス / キュリー点 / 電気機械結合係数 / 分極 / 誘電体 / ナノ秒パルス電源 / ハイブリッド材料
研究開始時の研究の概要	これまでにもパルス分極として、バイポーラミリ秒パルス分極や、ミリ秒パルス分極等の手法が開発されている。これら研究では、パルス印加による電極近傍でのマイクロドメイン形成とそれによる圧電特性の向上などが報告されている。しかし、印加出来る電圧も絶縁破壊電圧以下であることから、パルス電源としての優位性を十分 ...
研究成果の概要	本研究はパルスと直流電場を併用することで絶縁油の耐熱温度200℃を超える高キュリー点を持つ強誘電体を空気中で分極させることを目的とする。本研究ではパルスと直流電場を同時に印加する手法でキュリー点が350℃の強誘電体を分極させた。同時印加させることで電気機械結合係数k_pが0.65となり、パルス分極法 ...

この課題の研究成果物	国際共同研究 (5件) 雑誌論文 (27件うち国際共著 9件、査読あり 19件、オープンアクセス 9件) 学会発表 (1件うち国際学会 1件) 備考 (1件)

4. 圧電MEMSと強誘電体ゲートFETの集積化素子による高感度超音波検出の実証

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	大阪府立大学
研究代表者	吉村武大阪府立大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授
研究期間 (年度)	2016-04-01 – 2019-03-31完了
キーワード	圧電 / MEMS / 超音波 / 負性容量 / 急峻スイッチング / 強誘電体 / 電子デバイス・機器 / 圧電体
研究成果の概要	本研究では、急峻なスイッチング特性を有するトランジスタと圧電体を集積化することで超音波信号を高感度に受信する方法の開発に取り組みました。急峻スイッチング特性が強誘電体／半導体ヘテロ構造において、定常状態と非定常状態の遷移から発現する新しい機構を理論的に見出しました。また、高性能な圧電体薄膜の開発にも ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (4件うち査読あり 4件、オープンアクセス 1件) 学会発表 (14件うち国際学会 7件、招待講演 1件)

5. 有機強誘電体薄膜の電気熱量効果による高効率小型ヒートポンプの開発

研究課題

研究種目	挑戦的萌芽研究
研究分野	薄膜・表面界面物性
研究機関	大阪府立大学
研究代表者	吉村武大阪府立大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授
研究期間 (年度)	2013-04-01 – 2016-03-31完了
キーワード	電気熱量効果 / 強誘電体 / 自発分極 / 分極 / ヒートポンプ / 有機強誘電体
研究成果の概要	本研究では、小型かつ高効率なヒートポンプを実現するため、強誘電体に電界を印加・除去することにより誘電体の温度が上昇・下降する現象である電気熱量効果に着目した。有機強誘電体薄膜の焦電効果における圧電性の寄与を解析し、さらに熱力学現象論を用いて期待できる電気熱量効果の大きさを明らかにした。さらに薄膜熱電 ...

この課題の研究成果物	学会発表 (9件うち国際学会 2件)

6. 強誘電体を用いた巨大分極接合界面のサイエンスとそのパワーエレクトロニクス応用

研究課題

研究種目	基盤研究(A)
研究分野	電力工学・電力変換・電気機器
研究機関	大阪府立大学
研究代表者	藤村紀文大阪府立大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
研究期間 (年度)	2012-04-01 – 2016-03-31完了
キーワード	強誘電体 / パワーデバイス / MOSFET / 極性半導体 / Ga203 / 大気圧プラズマ / Ga2O3
研究成果の概要	強誘電体の巨大な分極をパワーMOSFETに応用するための検討を行った。強誘電体として、残留分極80microC/cm2以上、d33圧電定数90pm/Vを有する薄膜を得る技術を確立し、大気圧プラズマを用いて低ドナー濃度のGa2O3やZnOパワー半導体を作成することに成功した。BiFeO3、P(VDF- ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (25件うち査読あり 23件、謝辞記載あり 1件) 学会発表 (225件うち国際学会 24件、招待講演 20件) 備考 (1件)

7. 強誘電体-極性半導体分極相互作用による量子細線の形成

研究課題

研究種目	若手研究(B)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	大阪府立大学
研究代表者	吉村武大阪府立大学, 工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2008 – 2009完了
キーワード	強誘電体薄膜 / 極性半導体 / 量子デバイス / 走査プローブ顕微鏡 / ドメイン / 分極
研究概要	同程度の自発分極を有する極性半導体と強誘電体の界面に対して,走査プローブ顕微鏡を用いて強誘電体層に微小な分極反転領域を形成することにより,物理的な加工を行わずに電気的に量子細線を形成することを目標として研究を行った.作製した試料に対してチャネル領域上で微小プローブを走査しながら電圧を印加したところ, ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (4件うち査読あり 4件) 学会発表 (6件)

8. 強誘電性半導体を用いた新規演算素子の開発

研究課題

研究種目	若手研究(B)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	大阪府立大学
研究代表者	吉村武大阪府立大学, 工学研究科, 助教
研究期間 (年度)	2006 – 2007完了
キーワード	強誘電性半導体 / 不揮発性記憶 / 薄膜トランジスタ / YMnO_3 / YbFe_2O_4 / BiFeO_3 / 酸化物エレクトロニクス
研究概要	近年,機能性の酸化物を用いて新規な電子デバイスを創製する酸化物エレクトロニクスの分野が注目を集めている本研究では,半導体的な性質と強誘電性を併せ持つ強誘電性半導体を開発し,新規な不揮発性記憶機能を有する薄膜トランジスタ(TFT)の実現を目指した.強誘電性半導体として3つの物質に着目し,それぞれ薄膜を ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (7件うち査読あり 2件) 学会発表 (3件)

9. 強誘電体ゲート型カーボンナノチューブFETによる新規不揮発性メモリの開発

研究課題

研究種目	萌芽研究
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	大阪府立大学
研究代表者	中山喜萬大阪府立大学, 工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2005完了
キーワード	カーボンナノチューブFET / 強誘電体薄膜 / 強誘電体ゲート型FET / 不揮発性メモリ / アルコールCVD / 化学溶液製膜法
研究概要	カーボンナノチューブFETは現行のSiデバイスに替わる次世代の演算素子として注目されている.本研究ではカーボンナノチューブFETのゲート絶縁膜に強誘電体を用いた新規なデバイスを提案した.この強誘電体ゲート型カーボンナノチューブFETでは,カーボンナノチューブの優れた電気的特性と,強誘電体の分極履歴特 ...

10. 非鉛強誘電体エピタキシャル薄膜における電界誘起相転移を用いた巨大圧電応答

研究課題

研究種目	萌芽研究
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	大阪府立大学
研究代表者	藤村紀文大阪府立大学, 工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2004 – 2006完了
キーワード	非鉛系圧電体 / Bi(Fe_xAl_<1-x>O_3 / エピタキシャル薄膜 / PLD法 / 正方晶歪 / 電界誘起層転移 / Bi(Fe_xAl_<1-x>)O_3 / レーザーアブレーション法 / 正方晶
研究概要	微小電気機械システム(MEMS)に用いる非鉛系圧電薄膜として、菱面体構造を有し良好な強誘電特性が報告されているBiFeO_3に、正方晶構造が予想されるBiAlO_3を固溶させることで、モルフォトロピック相境界(MPB)を有する新規なBi系強誘電体の開発を試みた。酸化物基板上にエピタキシャル成長させる ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (9件)

11. 強磁性を有する強誘電体とSi系希薄磁性半導体の接合を用いた新規な電界効果型素子

研究課題

研究種目	基盤研究(S)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	大阪府立大学
研究代表者	藤村紀文大阪府立大学, 工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2002 – 2006完了
キーワード	強磁性強誘電体 / YMnO_3 / 強誘電体ゲートトランジスタ / 誘電性-磁性交差相関現象 / 減分極電界 / 電界効果型スピン素子 / Si:Ce希薄磁性半導体 / スピントロニクス / 新強誘電体物 / 新強誘電体物質設計 / Si : Ce希薄磁性半導体
研究概要	本研究では、マルチフェロイックFETの創成に向けた研究を遂行した。Si系磁性半導体と磁性強誘電体の新規な物性を明らかにするとともに、それらの接合によって生じる機能を利用した3種類の電界効果デバイスを提案することができた。最終デバイスの作製までは終了したものの研究期間内にデバイス動作を確認することはで ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (120件) 図書 (3件) 文献書誌 (31件)