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検索結果: 1件 / 研究者番号: 40308200
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1.
ナノスケール表面改質のためのイオン照射下高温STM観察
研究課題
研究種目
基盤研究(B)
研究分野
表面界面物性
研究機関
早稲田大学
研究代表者
大泊 巌
早稲田大学, 理工学部, 教授
研究期間 (年度)
1999 – 2001
完了
キーワード
シリコン
/
イオン照射
/
表面改質
/
走査トンネル顕微鏡
/
半導体表面
/
欠陥
/
アルゴンイオン
/
ナノ改質
研究概要
1.イオン照射によるSi表面の改質効果解明の推進
...
この課題の研究成果物
文献書誌 (101件)
