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検索結果: 7件 / 研究者番号: 40581294
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1.
作物の生理障害の機構解明におけるブレークスルーテクノロジーの開発と検証
研究課題
研究種目
基盤研究(A)
審査区分
中区分39:生産環境農学およびその関連分野
研究機関
東北大学
研究代表者
金山 喜則
東北大学, 農学研究科, 教授
研究期間 (年度)
2021-04-05 – 2026-03-31
交付
キーワード
生理障害
/
野菜
/
トマト
研究開始時の研究の概要
環境ストレスによって引き起こされる生理障害は、病虫害と並んで世界・日本で農業被害の双璧である。しかし原因が明確な病害虫と比べてその研究は遅れており、発生機構の全容解明は困難な状況にある。そこで本研究では、世界で最も生産されている野菜であるトマトに甚大な被害を及ぼす尻腐れ果をモデルケースとし、ブレーク
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研究実績の概要
環境ストレスによって引き起こされる生理障害は、病虫害と並んで世界・日本で農業被害の双璧である。しかし原因が明確な病害虫と比べてその研究は遅れており、発生機構の全容解明は困難な状況にある。そこで本研究では、世界で最も生産されている野菜であるトマトに甚大な被害を及ぼす尻腐れ果をモデルケースとし、ブレーク
...
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
この課題の研究成果物
雑誌論文 (2件 うち査読あり 2件、オープンアクセス 1件) 学会発表 (13件 うち国際学会 4件、招待講演 1件)
2.
革新的高速分光による高感度リアルタイム分光イメージングの構築と非侵襲診断への展開
研究課題
研究種目
基盤研究(B)
審査区分
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
研究機関
東北大学
研究代表者
石鍋 隆宏
東北大学, 工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)
2019-04-01 – 2022-03-31
完了
キーワード
分光イメージング
/
液晶バンドパスフィルタ
/
高感度CMOSイメージセンサ
/
液晶エタロン
研究開始時の研究の概要
近年、高精細な分光画像を高速に取得できる分光イメージング技術の実現が医療、農業など様々な分野において期待されている。本研究は、高い透過率を有する高速波長可変分光フィルターと、高感度・広ダイナミックレンジ・広光波長帯域を有するグローバルシャッタCMOSイメージングセンサ技術を確立し、高速に高精細分光画
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研究成果の概要
本研究では、小型リアルタイム分光イメージングの実現に向けて、液晶中に形成したナノサイズの高分子ネットワークの構造制御を基に液晶の屈折率を偏光無依存でかつ高速に制御する手法を確立し、液晶ファブリ・ペローエタロンを用いた高速波長可変分光フィルタを実現した。また、画素内に形成した容量密度キャパシタに光電荷
...
この課題の研究成果物
学会発表 (3件 うち国際学会 2件、招待講演 1件) 備考 (1件)
3.
飽和電荷数1億個超・線形応答を有する革新的な微小光量差検出イメージセンサの創出
研究課題
研究種目
若手研究(A)
研究分野
電子デバイス・電子機器
研究機関
東北大学
研究代表者
黒田 理人
東北大学, 工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)
2017-04-01 – 2020-03-31
完了
キーワード
電子デバイス・機器
/
センシングデバイス
/
撮像素子
/
吸光イメージング
研究成果の概要
画素当たり1億個超の飽和電荷数と線形応答を有し、強い光の中から微小な光量変化を高感度・高速に計量するイメージセンサ技術創出を目指して、高容量密度と低リーク電流を両立する画素内光電荷蓄積キャパシタ形成技術と、蓄積光電荷の上澄みレベルの高精度信号検出技術の研究を行った。試作チップで190~1100nmの
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (17件 うち査読あり 17件、オープンアクセス 7件) 学会発表 (48件 うち国際学会 26件、招待講演 10件) 図書 (4件) 産業財産権 (1件)
4.
1光子検出の感度および線形・高飽和性能を有するCMOS撮像素子の創出
研究課題
研究種目
基盤研究(A)
研究分野
電子デバイス・電子機器
研究機関
東北大学
研究代表者
須川 成利
東北大学, 工学研究科, 教授
研究期間 (年度)
2015-04-01 – 2018-03-31
完了
キーワード
電子デバイス・機器
/
センシングデバイス
/
撮像素子
/
フォトンカウンティング
/
1光子検出
研究成果の概要
1光子検出の感度と高飽和性能を有し、極低照度環境から明暗差が5ケタ以上の被写体を、1回の露光で線形応答により明瞭に撮像できるCMOS撮像素子技術の創出を目指し、過去に築いた横型オーバーフロー蓄積容量を有する広ダイナミックレンジCMOS撮像素子技術を発展させた超高感度信号読出し技術の研究に取り組んだ。
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (17件 うち査読あり 17件、オープンアクセス 5件、謝辞記載あり 2件) 学会発表 (61件 うち国際学会 36件、招待講演 11件) 図書 (3件) 産業財産権 (1件)
5.
原子レベル平坦界面トランジスタによる電気的特性ばらつき・ノイズの極小化
研究課題
研究種目
若手研究(B)
研究分野
電子デバイス・電子機器
研究機関
東北大学
研究代表者
黒田 理人
東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授
研究期間 (年度)
2014-04-01 – 2016-03-31
完了
キーワード
電子デバイス・電子機器
/
電子デバイス・集積回路
/
しきい値ばらつき
/
ランダム・テレグラフ・ノイズ
/
原子レベル平坦化
/
電子デバイス・機器
/
ランダムテレグラフノイズ
研究成果の概要
Si界面の原子レベル平坦化技術を、シャロートレンチアイソレーション工程を有する最小加工寸法0.22μmの集積回路製造工程に導入し、直径200mmのSiウェハ全面にて微細MOSトランジスタのゲート絶縁膜/Si界面を原子レベルで平坦化することに成功した。100万個を超えるMOSトランジスタ電気的特性の統
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (14件 うち査読あり 14件、謝辞記載あり 3件、オープンアクセス 5件) 学会発表 (30件 うち国際学会 13件、招待講演 6件)
6.
原子レベル平坦界面トランジスタのゲート絶縁膜リーク電流の高精度統計的解析
研究課題
研究種目
基盤研究(B)
研究分野
電子デバイス・電子機器
研究機関
東北大学
研究代表者
須川 成利
東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
研究期間 (年度)
2012-04-01 – 2015-03-31
完了
キーワード
電子デバイス・機器
/
電子デバイス・集積回路
/
MOSFET
/
シリコン
/
リーク電流
/
ストレス誘起電流
/
平坦化
研究成果の概要
ゲート絶縁膜/Si界面の原子レベル平坦化技術を最小加工寸法0.22μmのCMOS集積回路製造工程に導入し、ゲート絶縁膜形成直前に温度850℃以下で原子レベル平坦化処理を行うことで、微細MOSFETの界面を原子レベル平坦化できることを見出した。導入技術を用いて大規模アレイテスト回路を試作し、確立した高
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (11件 うち査読あり 11件、謝辞記載あり 1件) 学会発表 (19件 うち招待講演 3件)
7.
MOSトランジスタの低ノイズ化へ向けたデバイス構造最適化
研究課題
研究種目
研究活動スタート支援
研究分野
電子デバイス・電子機器
研究機関
東北大学
研究代表者
黒田 理人
東北大学, 大学院・工学研究科, 助教
研究期間 (年度)
2010 – 2011
完了
キーワード
MOSトランジスタ
/
1/fノイズ
/
Random Telegraph Noise
/
CMOSイメージセンサ
/
シリコン
/
ノイズ
/
Random Telegraph Signalノイズ
/
MOSFET
研究概要
100万個を超えるMOSトランジスタのノイズを統計的に評価可能な計測手法を用いて、構造パラメータを振ったトランジスタのノイズを評価した。その結果、埋め込み層厚さが60nmの埋め込みチャネル構造では、通常の表面チャネル構造と比べRandom Telegraph Noiseの発生頻度が約1/60に低減す
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (29件 うち査読あり 29件) 学会発表 (42件)