KAKEN — 研究課題をさがす | 研究者番号: 50143714

絞り込み条件

検索結果: 6件 / 研究者番号: 50143714

表示件数:

1. 化合物半導体薄膜結晶のヘテロ成長における結晶性の性御

研究課題

研究種目	重点領域研究
研究機関	静岡大学
研究代表者	福家俊郎静岡大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	1992完了
キーワード	化合物半導体 / ヘテロ成長 / 混晶 / 減圧成長 / バッファ層
研究概要	II-VI族化合物半導体のヘテロ成長において、

この課題の研究成果物	文献書誌 (3件)

2. 化合物半導体薄膜結晶のヘテロ成長における結晶性の制御

研究課題

研究種目	重点領域研究
研究機関	静岡大学
研究代表者	福家俊郎静岡大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	1991完了
キーワード	化合物半導体 / ヘテロ成長 / 不純物効果 / 混晶 / 表面形態 / SIMS分析 / 減圧成長
研究概要	MOCVD法の場合には原料が成長界面まで化合物として輸送され、堆積反応は基板面方位の影響を受ける。TMG、TMA、AsH_3各流量及び成長温度を変化させてGaAs(111)A面上にAlGaAsを成長させた時、成長温度を下げると、またAsH_3分圧を増加させると、表面形態は三角錐型、円錐型ヒロック、鏡 ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (2件)

3. 化合物半導体薄膜結晶のヘテロ成長における結晶性の制御

研究課題

研究種目	重点領域研究
研究機関	静岡大学
研究代表者	福家俊郎静岡大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	1990完了
キーワード	化合物半導体 / ヘテロ成長 / 格子歪緩和 / バッファ層 / 不純物効果
研究概要	IIIーVおよびIIーVI化合物半導体ヘテロ成長薄膜の高品位化についての検討を行なった。

この課題の研究成果物	文献書誌 (3件)

4. 化合物半導体薄膜結晶の成長とその制御に関する研究

研究課題

研究種目	重点領域研究
研究機関	東北大学
研究代表者	御子柴宣夫東北大学, 電気通信研究所, 教授
研究期間 (年度)	1989完了
キーワード	化合物半導体 / MOーCVD法 / VPE法 / MBE法 / AlN / p型GaN / ZnSe / CuGaS_2
研究概要	ワイドギャップIIIーV、IIーVI、IーIIIーV_2化合物半導体は、GaAsやInP系のIIIーV化合物半導体では不可能な機能性を実現し得る材料として、可視〜紫外域及び赤外域光機能素子や圧電性を利用した複合機能素子経の応用を目的に結晶成長、薄膜物性評価、デバイス応用の研究が進められてきた。新しい ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (35件)

5. 化合物半導体薄膜結晶の成長とその制御に関する研究

研究課題

研究種目	重点領域研究
研究機関	東北大学
研究代表者	御子柴宣夫東北大学, 電気通信研究所, 教授
研究期間 (年度)	1988完了
キーワード	化合物半導体 / エピタキシャル成長 / ヘテロ接合 / VPE法 / MBE法 / MO-CVP法 / AlN / GaN / ZnSe / ZnS / CuGaS_2 / 混晶半導体
研究概要	ワイドギャップIII-V化合物半導体、II-VI化合物半導体、I-III-VI_2化合物半導体は、GaAsやInP系統III-V化合物では不可能な新しい機能性を実現し得る材料として、可視〜紫外域及び赤外域光素子や圧電性を利用した弾性表面波素子への応用を目的に、結晶成長、薄膜物性評価、デバイス応用の研 ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (17件)

6. H_2輸送法におけるII-VI化合物半導体結晶成長における不純物効果と成長機構の研究

研究課題

研究種目	重点領域研究
研究機関	静岡大学
研究代表者	今井哲二静岡大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	1987完了
キーワード	ヘテロエピタキシャル成長 / II-VI化合物半導体 / 不純物ドーピング効果 / 気相成長 / III-V化合物半導体
研究概要	H_2輸送法を用いてGaP, GaAs基板上へのZnS及びZnSeヘテロエピタキシャル成長における不純物効果を調べた結果, 以下に述べるいくつかの知見を得た.

この課題の研究成果物	文献書誌 (6件)