メニュー
検索
研究課題をさがす
研究者をさがす
KAKENの使い方
日本語
英語
全文検索
詳細検索
絞り込み条件
絞り込み
研究期間 (開始年度)
-
検索結果: 38件 / 研究者番号: 70087469
1
2
›
Next
»
End
すべて選択
ページ内選択
XMLで出力
テキスト(CSV)で出力
表示件数:
20
50
100
200
500
適合度
研究開始年: 新しい順
研究開始年: 古い順
配分額合計: 多い順
配分額合計: 少ない順
1.
自然形成ビアホールを用いたSi基板上縦型AlGaNパワーFETの開発
研究課題
研究種目
基盤研究(B)
研究分野
電子デバイス・電子機器
研究機関
立命館大学
研究代表者
黒瀬 範子
立命館大学, 総合科学技術研究機構, プロジェクト研究員
研究期間 (年度)
2016-04-01 – 2019-03-31
中途終了
キーワード
縦型パワーFET
/
AlGaN縦型
/
導電性AlNバッファーレイヤー
/
レーザによるp型化
/
オーミックコンタクト
/
縦型AlGaNショットキーデバイス
/
自然形成ビアホール
/
レーザーによるオーミックコンタクト形成
/
Si基板上縦型デバイス
/
AlGaN
/
縦型FET
/
導電性AlNバッファー層
/
縦型電子デバイス
/
Si基板
/
AlNバッファ
/
MOCVD
/
レーザー
/
p-化
/
Si基板上FET
/
Si基板上エピ反り低減法
/
Si基板上縦型FET
/
ビアホール
/
AlGaN
/
パワーFET
/
縦型FET
/
Si基板
研究実績の概要
本年度は我々の開発した導電性AlNバッファー層を用いたAlGaN縦型素子を実現することを目的にその要素技術の開発並びに実際の縦型AlGaN素子の実現を目指した。具体的には、1.Si基板のオーミック電極形成、2.窒化物半導体のレーザー誘起オーミックコンタクト形成、 3.ビアホールを用いたSi基板上縦型
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (1件 うち査読あり 1件、オープンアクセス 1件) 学会発表 (7件 うち国際学会 3件、招待講演 1件) 産業財産権 (1件)
2.
Si基板上モノリシックAlGaN深紫外センシングシステムの開発
研究課題
研究種目
基盤研究(B)
研究分野
電子デバイス・電子機器
研究機関
豊田工業大学
研究代表者
岩田 直高
豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
研究期間 (年度)
2015-04-01 – 2018-03-31
完了
キーワード
窒化物半導体
/
結晶成長
/
結晶欠陥
/
深紫外
/
センサー
/
ダイオード
/
トランジスタ
/
格子欠陥
/
デバイス
/
エピタキシャル
/
先端機能デバイス
/
オーミック電極
/
保護膜
研究成果の概要
Si基板上の深紫外センシングシステム向けに、縦型AlGaNデバイスの実現を検討した。Si基板上のAlNバッファー層に導電性ビアホールを形成する研究では、(111)面からのオフ角度にビアホールの形状と密度、導電性が依存した。ビアホールに埋め込む結晶の検討では、ダイオードを作製した。深紫外光ダイオードで
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (2件 うち査読あり 2件、オープンアクセス 1件) 学会発表 (15件 うち国際学会 7件、招待講演 1件) 備考 (2件)
3.
ダイナミックマイクロプラズマ励起AlGaN10Wクラス高出力深紫外発光素子の開発
研究課題
研究種目
基盤研究(A)
研究分野
電子デバイス・電子機器
研究機関
立命館大学
研究代表者
青柳 克信
立命館大学, 総合科学技術研究機構, 上席研究員
研究期間 (年度)
2013-04-01 – 2016-03-31
完了
キーワード
深紫外発光素子
/
MIPE
/
大面積発光素子
/
高出力発光素子
/
Si基板
/
LED
/
マイクロプラズマ
/
AlGaN
/
プラズマ励起
/
深紫外光源
/
大面積
/
波長可変
/
紫外線殺菌
/
紫外線分解
研究成果の概要
マイクロプラズマ励起深紫外発光素子(MIPE)の大面積化、高出力化、短波長化を目指した。本研究により、新たに着火レデイ方式MIPEを開発し、安定なMIPE発光を得た。またAlGaNばかりでなく、MgO等の酸化物からのMIPE 発光に成功し190nm~250nm発光領域での深紫外MIPE発光に成功した
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (5件 うち査読あり 5件、オープンアクセス 1件) 学会発表 (13件 うち国際学会 5件、招待講演 5件) 産業財産権 (3件)
4.
新しい高出力深紫外発光素子の開発
研究課題
研究種目
基盤研究(A)
研究分野
電子デバイス・電子機器
研究機関
立命館大学
研究代表者
青柳 克信
立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, 特別招聘教授
研究期間 (年度)
2010 – 2012
完了
キーワード
深紫外光
/
マイクロプラズマ
/
AlGaN
/
MIPE
/
深紫外発光素子
/
水浄化
/
医療応用
/
高出力
/
高品質GaAlN結晶
/
2光速同時その場観測法
/
スパッタ装置
/
水銀灯
/
高効率
/
水殺菌
研究概要
新たに提案したマイクロプラズマ励起深紫外発光素子(MIPE)の原理実証研究を行った。このデバイスは制作コストが安く、フラットパネルタイプで大面積化が容易で、深紫外領域の任意の波長で高出力発光を得ることができる。本研究でその原理実証研究に成功し、2インチの大面積化に成功した。その発光出力は50mWの高
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (9件 うち査読あり 9件) 学会発表 (28件 うち招待講演 2件) 図書 (2件) 産業財産権 (10件 うち外国 1件)
5.
2光束成長その場観察技法を用いた縦型深紫外発光素子の高出力化に関する研究
公募研究
研究種目
特定領域研究
審査区分
理工系
研究機関
立命館大学
研究代表者
武内 道一
立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, 准教授
研究期間 (年度)
2009 – 2010
完了
キーワード
深紫外発光素子
/
結晶成長
/
III族窒化物半導体
/
量子井戸
/
AlN
/
AlGaN
/
縦型発光素子
/
その場観察
/
AIN
/
AIGaN
研究概要
平成22年度は深紫外発光素子に必要となるAlN/サファイアテンプレート構造の高品質化・厚膜化をはかるために、2光束成長その場観察技法を駆使し結晶成長技法を見直し、最終的に265nm帯で1mWを越える発光強度のLED作製に至った。
研究領域
窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
この課題の研究成果物
雑誌論文 (1件 うち査読あり 1件) 学会発表 (35件) 産業財産権 (2件)
6.
AlGaN系縦型高効率深紫外発光デバイスの研究
研究課題
研究種目
特定領域研究
審査区分
理工系
研究機関
東京工業大学
研究代表者
川崎 宏治
東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教
研究期間 (年度)
2007
完了
キーワード
縱型発光素子
/
深紫外
/
AlGaN
/
超格子
研究概要
本研究は深紫外波長領域での発光デバイスを作製するために必要なAlGaNエピタキシャル結晶の成長技術を確立し深紫外領域での縦型構造電流注入高出力発光デバイスを作製するための基礎技術を確立することを目指すものである。本研究でもっとも困難なところは品質のよいAlGaNエピタキシャル結晶薄膜を成長すること、
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (1件 うち査読あり 1件)
7.
InNおよび関連混晶の高度化RF-MBE成長技術の開発と電子・光物性制御の研究
研究課題
研究種目
基盤研究(A)
研究分野
応用物性・結晶工学
研究機関
立命館大学
研究代表者
名西 やす之
立命館大学, 理工学部, 教授
研究期間 (年度)
2006 – 2008
完了
キーワード
エピタキシャル成長
/
窒化インジウム
/
分子線エピタキシー
/
分子線エピタキシー法
/
p型ドーピング
/
ヘテロ界面
/
インターミキシング
/
オーミックコンタクト
/
InN
/
InGaN
/
RF-MBE
/
p形ドーピング
/
MIS構造
/
窒素ラジカル
/
キャリア濃度
/
結晶性
研究概要
RF-MBE法を用いたInNとその関連混晶の成長に特有な本質的課題(結晶高品質化とp型の実現、接合の形成、ヘテロ・ナノ構造制御等)に取り組み、デバイス応用へ向けた光・電子物性制御の基本検討を実施した。高In組成InGaNへのMgドーピングによるp型伝導制御、InN MISダイオードおよびオーミック電
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (31件 うち査読あり 31件) 学会発表 (63件) 図書 (1件)
8.
ナノテクノロジーを用いた深紫外半導体発光デバイスの開発とその応用
研究課題
研究種目
学術創成研究費
研究機関
立命館大学
(2007)
東京工業大学
(2003-2006)
研究代表者
青柳 克信
立命館大学, COE推進機構, 教授
研究期間 (年度)
2003 – 2007
完了
キーワード
深紫外半導体発光素子
/
2光束その場観測システム
/
縦型深紫外発光素子
/
ヘテロ非線形フォトニック結晶
/
アンチサーファクタント
/
フラックス結晶成長法
/
ボロン酸化物
/
温度変調結晶成長法
/
縦型深紫外LED
/
良質AlGaN
/
表面核生成機構
/
量子ドットAlInGaN
/
非線型フォトニック結晶
/
高効率深紫外波長変換
/
フラックス法
/
p型ZnO
/
MOCVD
/
Al GaN
/
深紫外線
/
結晶成長
/
縦型LED
/
低転移化
/
レーザーリフトオフ
/
AlGaN
/
低転位化
/
深紫外
/
半導体発光デバイス
/
ナノテクノロジー
/
Al N
/
p型
/
ドーピング
/
LED
/
ワイドバンドギャップ
研究概要
本研究では現在問題となっている環境問題を抜本的に解決することができる超高出力固体深紫外発光素子を開発するための新たな提案とその原理実証研究を行い、又そのために必要な結晶成長機構の解明、p型高ドーピング手法の開発並びに高効率非線形光学素子の開発を行った。その結果、1.深紫外発光のためのAlGaN半導体
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (107件 うち査読あり 66件) 学会発表 (55件) 図書 (7件) 産業財産権 (13件 うち外国 2件)
9.
窒化物半導体量子ドットにおける単一電子スピンの赤外光制御とその応用
研究課題
研究種目
基盤研究(A)
研究分野
応用物理学一般
研究機関
東京工業大学
研究代表者
川崎 宏治
(2003)
東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助手
青柳 克信
(2002)
東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授
研究期間 (年度)
2002 – 2003
完了
キーワード
量子ドット
/
単一電子
/
スピン
/
赤外制御
/
窒化物半導体
/
カーボンナノチューブ
/
窒化物
/
半導体量子ドット
/
単一電子スピン
/
クーロンブロッケード
/
MBE
/
選択成長法
/
電子スピン
/
赤外光
/
GaN
/
AlN
/
単一電子トランジスタ
研究概要
自然形成させたGaN/AIN量子ドットを用いた単一電子トランジスタを作製し、クーロンプロッケード現象、共鳴トンネル現象を観測した。窒化物半導体量子ドット内の単一電子スピンを赤外線円偏向パルスを用いて反転励起させる量子ビットの実現法を提案した。自発分極を利用した量子相関素子は窒化物半導体特有である。選
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (13件) 文献書誌 (1件)
10.
原子レベル表面状態制御による低欠陥窒化物半導体のヘテロエピタキシー
研究課題
研究種目
基盤研究(A)
研究分野
応用物性・結晶工学
研究機関
北海道大学
研究代表者
田中 悟
北海道大学, 電子科学研究所, 助教授
研究期間 (年度)
2002 – 2004
完了
キーワード
III族窒化物半導体
/
構造欠陥
/
転位
/
表面構造
/
ヘテロエピタキシー
/
成長モード
/
光デバイス
/
自己組織化
研究概要
窒化物半導体の高品質化のためには,主たる構造欠陥である貫通転位の低減が課題である.現状ではGaNホモエピ基板が欠如しているため.ヘテロエピを余儀なくされている.ヘテロエピ用の基板として本研究では,汎用基板であるサファイア・SiCを取り上げ原子レベル表面状態制御という立揚から高品質化を目指している.初
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (6件) 文献書誌 (4件)
11.
窒化物量子ピラー選択成長による垂直型結合量子ドット作製に関する研究
研究課題
研究種目
基盤研究(C)
研究分野
応用物性・結晶工学
研究機関
東京工業大学
研究代表者
川崎 宏治
東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助手
研究期間 (年度)
2001 – 2002
完了
キーワード
窒化物
/
量子ピラー
/
選択成長
/
垂直型結合量子ドット
/
AIGaN
/
単一電子トランジスタ
/
クーロンダイヤモンド
/
共鳴トンネル
/
選択成長法
/
結合量子ドット
/
GaN
/
量子相関素子
/
ナノ構造
/
共鳴トンネルダイオード
/
負性微分抵抗
/
MBE
/
アンモニア
研究概要
GaNに代表される窒化物半導体材料による量子ドット構造は、GaN/AlNにおいてはその伝導帯の不連続量が2eVと大きいため、電子を強く閉じこめることが可能であり、結合量子ドットを形成すれば、量子相関素子等の将来の量子演算素子の実現に有利である。本研究では、選択成長法を用いて直径数10nmのGaNナノ
...
この課題の研究成果物
文献書誌 (4件)
12.
交互供給コドーピング法による高濃度P型窒化物半導体薄膜結晶の製作とその応用
研究課題
研究種目
基盤研究(A)
研究分野
応用物性・結晶工学
研究機関
独立行政法人理化学研究所
(2003)
東京工業大学
(2001-2002)
研究代表者
平山 秀樹
(2003)
独立行政法人理化学研究所, 石橋極微デバイス工学研究室, 先任研究員
青柳 克信
(2001-2002)
東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授
研究期間 (年度)
2001 – 2003
完了
キーワード
深紫外LED
/
ワイドバンドギャップ
/
MOCVD法
/
交互供給法
/
Mgドーピング
/
コドーピング
/
貫通転位密度
/
交互供給成長法
/
有機金属気相成長法
/
III族窒化物半導体
/
紫外LED
/
紫外半導体レーザ
/
交互供給コドーピング
/
高濃度P型
/
窒化物半導体
/
MOCVD
/
MBE
/
AlGaN
/
第一原理計算
/
不純物対
/
p型
/
GaN
/
サファイヤ
/
ホール濃度
/
パルス供給法
研究概要
波長250nm-350nm帯の紫外高輝度発光ダイオード(LED)、半導体レーザ(LD)は、半導体白色光源、高密度光ディスク、殺菌等の医療、化学工業、公害物質の高速分解処理等、さまざまな分野での応用が大変期待されている。InGaN(窒化インジウムガリウム)を用いた、波長400nm帯の可視域LED・LD
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (74件) 図書 (2件) 産業財産権 (4件) 文献書誌 (6件)
13.
カーボンナノチューブにおけるスピン伝導の制御
研究課題
研究種目
基盤研究(A)
研究分野
応用物性・結晶工学
研究機関
東京工業大学
(2001)
理化学研究所
(2000)
研究代表者
青柳 克信
東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授
研究期間 (年度)
2000 – 2001
完了
キーワード
カーボン
/
ナノチューブ
/
電気伝導
/
トンネル現象
/
クーロンブロッケイド
/
多層ナノチューブ
/
カーボンナノチューブ
/
スピン
/
金属電極
/
吸収スペクトル
/
パルス光励起
/
化学修飾
研究概要
ナノメートル伝導細線カーボンナノチューブの伝導制御を目的として、伝導制御に必要な基礎特性の明確にすることを目的として以下の研究を行った。
...
この課題の研究成果物
文献書誌 (15件)
14.
原子位置制御不純物コドーピングに関する研究
研究課題
研究種目
基盤研究(B)
研究分野
応用物性・結晶工学
研究機関
特殊法人理化学研究所
研究代表者
岩井 荘八
理化学研究所, 半導体工学研究室, 先任研究員
研究期間 (年度)
1999 – 2001
完了
キーワード
有機金属化合物気相成長
/
窒化ガリウム
/
窒化アルミニウムガリウム
/
原料交互供給
/
不純物ドーピング
/
p型伝導
/
正孔密度
/
活性化エネルギー
/
III族窒化物半導体
/
AlGaN
/
Mg-ドーピング
/
スーパーラティス
/
有機金属気相成長法
/
紫外レーザー
/
原子位置制御
/
原子層成長法
/
有機金属気相成長
研究概要
高電導度のP型GaN、およびAlGaN結晶を成長することを目的として、新しいドーピング方法の開発を行った。MOVCD装置を用いて結晶成長を行う場合、結晶原料および不純物原料をパルス的に供給する方法を用い、不純物原料の供給時間を制御して特定の原子層に不純物を導入し、不純物対などの形成によるアクセプター
...
この課題の研究成果物
文献書誌 (30件)
15.
低速多価イオンビームによる原子操作
研究課題
研究種目
特定領域研究(B)
審査区分
理工系
研究機関
理化学研究所
研究代表者
目黒 多加志
理化学研究所, 半導体工学研究室, 副主任研究員
研究期間 (年度)
1999 – 2001
完了
キーワード
多価イオン
/
グラファイト
/
ダイヤモンド
/
電子状態制御
/
ナノ構造
/
塩素
/
ドライエッチング
/
シリコン
/
水素
/
欠陥
/
ガリウム砒素
/
ポテンシャルスパッタリング
研究概要
高配向性グラファイトに多価のアルゴンイオンを照射することにより、ナノサイズのダイヤモンドの創製が可能なことが、本研究の成果として得られたが、本年度はさらに作成した構造が本来持っていない新たな特性を示すことを明らかにした。高配向性グラファイトに8価のアルゴンイオンを照射した後、He-Cdレーザーを照射
...
この課題の研究成果物
文献書誌 (7件)
16.
電子励起を用いた原子操作法の開発
研究課題
研究種目
基盤研究(C)
研究分野
応用物性・結晶工学
研究機関
山口大学
研究代表者
篠塚 雄三
山口大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)
1998
完了
キーワード
電子励起原子移動
/
原子操作
/
双安定性
/
分子メス
/
欠陥反応
/
非平衡新物質
/
内殻励起
/
物質設計
研究概要
21世紀に向けての物質科学の課題として、原子間結合を人為的に、かつ自然の摂理にしたがって効率良く制御することのできる新しい「原子操作法」の開発が強く望まれている。本研究は、電子励起という時間、空間、エネルギー的に制御性の良い手法を用いて、原子の配列および運動を制御する技術をいかにしたら開発することが
...
この課題の研究成果物
文献書誌 (8件)
17.
位相制御領域を有するフォトニック結晶の作製とその光デバイスへの応用
研究課題
研究種目
特定領域研究(B)
審査区分
理工系
研究機関
東京工業大学
(2001)
理化学研究所
(1998-2000)
研究代表者
青柳 克信
東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授
研究期間 (年度)
1998 – 2001
完了
キーワード
フォトニック結晶
/
自然放出光制御
/
自然放出寿命
/
位相制御領域
/
マイクロマニピュレイション法
/
マイクロマニピュレーション法
/
無しきい値レーザー
/
リングレーザー
/
選択結晶成長
研究概要
本研究は、位相制御領域が挿入されたフォトニック結晶における輻射場制御効果を明らかにし、光デバイスへの応用を検討する事を目的とする。そのため、まず、精度の良い作製が可能な、ミリ波サイズの誘電体構造を用いて、位相制御領域を含む3次元フォトニック結晶を作製し、バンドギャップ、フィールドの局在効果、反射・放
...
この課題の研究成果物
文献書誌 (26件)
18.
フォトニック結晶の開発と輻射場の制御
研究課題
研究種目
特定領域研究
審査区分
理工系
研究機関
北海道大学
研究代表者
井上 久遠
北海道大学, 電子科学研究所, 名誉教授
研究期間 (年度)
1998 – 2002
完了
キーワード
フォトニック結晶
/
フォトニックバンド
/
フォトニックバンド構造
/
輻射場の制御
/
光波伝播の制御
/
光波とフォトニック結晶との相互作用
/
光エレクトロニクス素子
/
局在モードと欠陥モ-ド
/
フォトニック・バンドギャップ
/
光伝播特性の制御
/
光と物質の互用作用
/
光デバイス
/
局在モード
/
光と物質の相互作用
/
フォトニックバンドギャップ
/
光の局在
/
光の伝播特性
/
半導体微細加工
/
光の伝播特性制御
研究概要
1.試料開発:近赤外及び光領域の3次元、2次元、スラブ型(準3次元)のそれぞれについて、多種多様なフォトニック結晶試料の開発に成功し、それらの基本的な光学特性を明らかにした。ウエハ融着法による完全バンドギャップをもつ世界最初の3次元結晶を初めとして、マニュピレーション法、光圧力法などによる3次元結晶
...
この課題の研究成果物
文献書誌 (29件)
19.
短パルス超音速ビームエピタキシャル法によるIII族窒化物結晶成長とその応用
研究課題
研究種目
基盤研究(C)
研究分野
電子・電気材料工学
研究機関
理化学研究所
研究代表者
沈 旭強
理化学研究所, 半導体工学研究室, 基礎科学特別研究員
研究期間 (年度)
1997 – 1998
完了
キーワード
SSBE
/
GSMBE
/
RHEED
/
GaN
/
AlGaN
/
量子箱
/
Inドーピング
/
超音速ビーム
/
ガスソースMBE
/
In-doping
/
フォートルミネセンス
研究概要
短波長発光素子用材料として、III族窒化物半導体が最近、非常に多くの人々の注目を集めている。我々は開発された短パルス超音速ビームエピタキシー(SSBE法)とガスソースMBE(GSMBE法)技術をうまく組み合わせ、GaN量子箱の試作に成功した。
...
この課題の研究成果物
文献書誌 (24件)
20.
半導体量子閉じ込め構造間の電子相互作用による秩序形成と光相互作用に関する共同研究
研究課題
研究種目
国際学術研究
研究分野
固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
研究機関
理化学研究所
研究代表者
青柳 克信
理化学研究所, 半導体工学研究室, 主任研究員
研究期間 (年度)
1997
完了
キーワード
半導体
/
量子閉じ込め
/
電子相互作用
研究概要
1.試料作製
この課題の研究成果物
文献書誌 (3件)
1
2
›
Next
»
End