KAKEN — 研究課題をさがす | 研究者番号: 70630763

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検索結果: 4件 / 研究者番号: 70630763

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1. シリコンキャップアニールを施したSiCの表面構造と高温長期継時特性に関する研究

研究課題

研究種目	基盤研究(C)
審査区分	小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
研究機関	広島大学
研究代表者	花房宏明広島大学, 先進理工系科学研究科(先), 准教授
研究期間 (年度)	2025-04-01 – 2028-03-31採択

2. シリコンキャップアニールによるSiC表面の制御とシリサイドレスコンタクトの研究

研究課題

研究種目	基盤研究(C)
審査区分	小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
研究機関	広島大学
研究代表者	花房宏明広島大学, 先進理工系科学研究科(先), 准教授
研究期間 (年度)	2020-04-01 – 2023-03-31完了
キーワード	炭化ケイ素 / シリコン / 表面欠陥 / コンタクト / シリコンドーム / Siドット / オーミックコンタクト / シリサイド化熱処理 / エネルギーバンド
研究開始時の研究の概要	本研究では炭化ケイ素(SiC)半導体上に非晶質シリコン層を堆積し、熱処理する“シリコンキャップアニール（Silicon Cap Annealing: SiCA）”によりSiの融点をはるかに下回る温度でSi層がドット化し、さらにはシリサイド化を行わなくとも金属をSiCに接触させるだけでオーミックコンタ ...
研究成果の概要	本研究では炭化ケイ素（SiC）半導体上に堆積した非晶質シリコン(a-Si)層をアニールするシリコンキャップアニール（Silicon-Cap Anneal: SiCA）によりシリサイド化を行わなくとも金属をSiCに接触させるだけでオーミックコンタクトが形成される特異な現象とSiの融点をはるかに下回る温 ...

この課題の研究成果物	学会発表 (2件)

3. 電子線後方散乱法を用いた局所的半導体結晶性分布評価法の開発

研究課題

研究種目	挑戦的萌芽研究
研究分野	結晶工学
研究機関	広島大学
研究代表者	花房宏明広島大学, 先端物質科学研究科, 助教
研究期間 (年度)	2016-04-01 – 2019-03-31完了
キーワード	結晶分布評価 / 電子線後方散乱 / 菊池線 / 結晶欠陥 / 欠陥密度分布 / 結晶の均質性 / 局所的結晶配列 / 電子顕微鏡 / 表面・界面物性 / 半導体物性 / 解析・評価 / 結晶工学
研究成果の概要	高い空間分解能を有する走査型電子顕微鏡(SEM)と結晶方位解析に用いられる電子線後方散乱回折法(EBSD)を組み合わせた新しい結晶性分布評価法の開発に挑戦した．解析に用いられる菊池線はブラッグ条件に従うことから菊池線パターンを解析することで半導体結晶内に含まれる欠陥密度を推定することが可能ではないか ...

この課題の研究成果物	学会発表 (2件)

4. アモルファスシリコンを用いた欠陥制御型ヘテロジャンクション電極の開発と制御

研究課題

研究種目	若手研究(B)
研究分野	薄膜・表面界面物性電子・電気材料工学
研究機関	広島大学
研究代表者	花房宏明広島大学, 先端物質科学研究科, 助教
研究期間 (年度)	2013-04-01 – 2015-03-31完了
キーワード	炭化ケイ素 / オーミックコンタクト / シリコン挿入層 / ワイドバンドギャップ半導体 / Si/SiCヘテロ接合
研究成果の概要	炭化ケイ素半導体（SiC）の新しい電極構造として高濃度不純物を注入したアモルファスシリコン（a-Si）半導体の欠陥制御層を挿入した電極金属/a-Si/SiC接合を形成し、バンドポテンシャル制御による低抵抗電極形成の研究を行った。 ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (2件うち査読あり 2件、謝辞記載あり 1件) 学会発表 (4件)