KAKEN — 研究課題をさがす | 研究者番号: 80519413

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検索結果: 5件 / 研究者番号: 80519413

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1. 白金族三元触媒における金属・金属酸化物接合効果の統合理論

研究課題

研究種目	基盤研究(C)
審査区分	小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
研究機関	大阪大学 (2019-2021) 京都大学 (2018)
研究代表者	古賀裕明大阪大学, 理学研究科, 招へい研究員
研究期間 (年度)	2018-04-01 – 2022-03-31完了
キーワード	表面科学 / 自動車触媒 / 金属・金属酸化物接合 / 貴金属クラスター / NOx還元反応 / 電子状態計算 / セリア / ジルコニア / 金属・金属酸化物接合界面 / 金属・金属酸化物相互作用
研究成果の概要	白金族三元触媒は排ガス浄化触媒として広く用いられている高機能物質である．三元触媒は複数種の白金族ナノ粒子を金属酸化物粒子に担持した異種接合物質であり，その仕組みを理解するにはサイズ効果や金属・担体相互作用など，様々な物理的・化学的効果を包括的・統一的に解明することが求められる．本研究では，白金族元素 ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (5件うち査読あり 5件) 学会発表 (3件) 備考 (1件)

2. 化合物半導体ナノワイヤ気相選択成長における積層不整の第一原理的研究と結晶構造制御

研究課題

研究種目	研究活動スタート支援
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	北海道大学
研究代表者	古賀裕明北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 助教
研究期間 (年度)	2009 – 2010完了
キーワード	ナノ材料 / 結晶成長 / 表面再構成 / 第一原理計算 / ガリウムヒ素
研究概要	化合物半導体ナノワイヤに用いられる代表的な物質であるガリウムヒ素について、主要な結晶面(-1-1-1)の原子構造を、第一原理計算とよばれる極めて信頼性の高い理論計算手法により検証した。高温相(√19×√19相)に関する従来の構造に誤りがあることを指摘し、エネルギー安定性の観点から正しい構造を提唱した ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (3件うち査読あり 3件) 学会発表 (2件) 備考 (2件)

3. 化合物半導体配列ナノ構造を基盤とする超接合光吸収体の創成と太陽電池応用

研究課題

研究種目	挑戦的萌芽研究
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	北海道大学
研究代表者	佐藤威友北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授
研究期間 (年度)	2009 – 2010完了
キーワード	半導体ナノ構造 / 光吸収率 / 太陽電池 / 多孔質構造
研究概要	平成22年度は、n形インジウムリン(InP)ポーラス(多孔質)構造の内壁に白金(Pt)薄膜を形成する手法を開発し、InP配列ナノ構造を基盤とするPt/InPショットキー型光電変換素子の試作を行った。

この課題の研究成果物	雑誌論文 (3件うち査読あり 3件) 学会発表 (20件) 備考 (2件)

4. 電子準位制御と新ゲート構造による窒化ガリウム系トランジスタの高信頼化

研究課題

研究種目	基盤研究(A)
研究分野	薄膜・表面界面物性
研究機関	北海道大学
研究代表者	橋詰保北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授
研究期間 (年度)	2009 – 2012完了
キーワード	窒化ガリウム / 表面・界面 / 電子準位 / 絶縁膜 / トランジスタ / GaN / AlGaN / C-V / MMC / 界面準位 / へテロ接合 / ALD / ICP / ドライエッチング / 窒素空孔 / AlInN / 多重台形チャネル / HEMT / 電流コラプス / 電気化学酸化
研究概要	窒化物半導体ヘテロ構造を利用した高電子移動度トランジスタ(HEMT)の高信頼化を目的として、絶縁膜界面の電子準位の評価と制御、多重台形チャネル構造の作製と評価を行った。独自に開発した厳密計算法と光支援容量法をAl_2O_3/AlGaN/GaN構造に適用し、Al_2O_3/AlGaN界面の電子準位密度 ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (41件うち査読あり 19件) 学会発表 (74件うち招待講演 7件) 備考 (9件)

5. 窒化物半導体混晶のバルク準位評価とナノ構造表面制御

公募研究

研究種目	特定領域研究
審査区分	理工系
研究機関	北海道大学
研究代表者	橋詰保北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授
研究期間 (年度)	2009 – 2010完了
キーワード	AlGaN / 有機金属気相成長 / DLTS / 深い準位 / 表面準位 / フェルミ準位安定化エネルギー / 電気化学酸化 / AlInN / 表面フェルミ準位 / バンド不連続量
研究概要	AlGaNおよびAlInGaNのバルク欠陥準位と表面・端面における表面電子準位を系統的に評価し、その理解を基盤として、短波長光学素子の高効率化・動作安定化のための電子準位制御法を構築することを目的として研究を展開した。本年度の主な成果を以下にまとめる。
研究領域	窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-

この課題の研究成果物	雑誌論文 (13件うち査読あり 13件) 学会発表 (27件) 備考 (4件)