KAKEN — 研究課題をさがす | 研究者番号: 90013226

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1. GaN系HEMTと関連素子のピエゾ電界効果の解明と表面準位の新評価法

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	豊田工業大学
研究代表者	榊裕之豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 学長
研究期間 (年度)	2014-04-01 – 2018-03-31完了
キーワード	GaN / HEMT / ピエゾ効果 / 表面準位 / 界面準位 / 電界効果トランジスタ / ピエゾ抵抗 / 表面準位・界面準位 / 分極電荷 / ⅢⅤ族半導体 / ピエゾ電界 / AlGaN/GaN / AlGaAs/GaAs / ヘテロ接合 / 歪み
研究成果の概要	GaN上にAlGaN膜を載せたHEMTを歪ませた時の伝導層の抵抗変化を調べ、ウルツ鉱に固有のピエゾ効果に起因する分極電荷の変化でほぼ説明できることを示した。また、試料表面に生じる分極電荷が、表面準位の充放電によって部分的に打ち消される現象に着目し、遮蔽作用を持つ金属電極の有る試料と無い試料の比較から ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (10件うち査読あり 9件、オープンアクセス 1件) 学会発表 (15件うち国際学会 1件)

2. 第II種量子ドット入り三角障壁構造による電子伝導の制御と光検出器応用

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	豊田工業大学
研究代表者	榊裕之豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授
研究期間 (年度)	2011-04-01 – 2014-03-31完了
キーワード	光検出器 / 三角障壁 / 量子ドット / 量子ロッド / 分子線エピタキシー / 単一光子検出 / 光検出 / GaAs / GaSb / 光通信波長
研究概要	高純度GaAs膜の中央に負に帯電したアクセプタを面状に配し、膜の上下にｎ型電極を設けると三角型障壁を持つ素子ができる。この素子の上部電極に正の電圧を加えると、障壁が下がり、電子が流れる。また、光を照射すれば、光で作られた正孔が三角障壁に蓄積し、障壁を下げるため、より低い電圧で電流が流れ、光検出器とし ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (18件うち査読あり 18件) 学会発表 (59件うち招待講演 7件)

3. 量子ドットと量子細線を結合させた素子構造の形成法開拓と光伝導機能探索

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	豊田工業大学
研究代表者	榊裕之豊田工業大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	2008 – 2010完了
キーワード	量子デバイス / スピンデバイス / 量子ナノ構造 / 量子ドット / 量子細線 / 1次元電子 / 光伝導 / 光検出器
研究概要	量子細線型の伝導路の近くに量子ドットや局在準位を配した構造を作る手法を開発し、この構造に光を照射すると、ドット等が正孔や電子を捕縛するため、細線の電気伝導度が顕著に増減し、光検出機能を示すことを実証した。なお、ドットの形成には、格子不整合基板上の自己形成手法と液滴エピタキシを用い、細線形成には、(1 ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (30件うち査読あり 30件) 学会発表 (43件) 図書 (2件)

4. 半導体における動的相関電子系の光科学

総括班

研究種目	新学術領域研究(研究領域提案型)
審査区分	理工系
研究機関	東京大学
研究代表者	五神真東京大学, 理学(系)研究科(研究院), 教授
研究期間 (年度)	2008-11-13 – 2014-03-31完了
キーワード	光物性 / 半導体物性 / 物性理論 / 材料化学 / 量子エレクトロニクス / 材料科学 / 量子エレクトロニス
研究概要	本新学術領域研究では、最先端のレーザー分光技術、量子多体物理学を捉えてその双方を存分に活用しつつ、物質の未利用な光効果・現象を探求し、その活用に向けた新たな道筋をつけることを目的とした。光と物質の関わりについて新たな視点で見直すために、特に物質の励起状態に生じる多数の電子間の相互作用や、量子力学的 ...
研究領域	半導体における動的相関電子系の光科学

この課題の研究成果物	雑誌論文 (5件) 学会発表 (3件) 図書 (4件) 備考 (35件)

5. メゾスコピック系の伝導における相互作用と導線の効果

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
研究分野	数理物理・物性基礎
研究機関	東京大学
研究代表者	羽田野直道東京大学, 生産技術研究所, 准教授
研究期間 (年度)	2005 – 2008完了
キーワード	物性基礎論 / ナノ材料 / 量子ドット / 計算物理 / 共鳴状態 / ファノ共鳴ピーク / 干渉 / 多体束縛状態 / アンダーソン模型 / エンタングルメント / メゾスコピック糸 / 粒子数保存則 / 準安定状態 / 量子細線 / ファノピーク / 統計力学 / メゾスコピック系 / 量子ホール効果 / スピン軌道相互作用 / 非エルミート量子力学 / 開放量子系 / 共鳴 / 複素固有値 / 量子ネルンスト効果 / ファノ共鳴 / フラクタル
研究概要	メゾスコピック系の電気伝導において、メゾスコピック系内の電子間相互作用や、メゾスコピック系に接続されている導線がどのような効果を及ぼすかを議論した。前者が多体の束縛状態を、後者が共鳴状態を生み出すことを明らかにした。

この課題の研究成果物	雑誌論文 (36件うち査読あり 8件) 学会発表 (68件) 備考 (1件)

6. 半導体量子リングと関連ナノ構造による電子と正孔の新制御法の開発と素子応用の探索

研究課題

研究種目	基盤研究(A)
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	豊田工業大学 (2006-2007) 東京大学 (2005)
研究代表者	榊裕之豊田工業大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	2005 – 2007完了
キーワード	量子リング構造 / 半導体ナノ構造 / GaSb / 第2種ヘテロ構造 / 量子閉じ込め / InAs / 量子ドット / 量子ロッド
研究概要	本研究では、新電子素材として注目される10nm級の半導体細線やドット(粒)の研究を基盤に、円環状の量子リング構造の自己形成法を探るとともに、これらのナノ構造中の電子と正孔の量子状態を理論・実験の両面から解明し、それらを巧みに制御し、優れた機能を持つ素子への応用可能性を明らかにする研究を行った。まず、 ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (125件うち査読あり 76件) 学会発表 (60件) 図書 (17件) 産業財産権 (2件)

7. 量子ナノ構造中の電子波束のデコヒーレンスと伝導・損失・利得スペクトルに関する研究

研究課題

研究種目	基盤研究(A)
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	東京大学
研究代表者	平川一彦東京大学, 生産技術研究所, 教授
研究期間 (年度)	2003 – 2005完了
キーワード	テラヘルツ電磁波 / 量子ナノ構造 / 超格子 / ブロッホ振動 / トランジスタ / 量子ドット / 分子デバイス / フェムト秒分光 / 量子カスケードレーザ / 分子接合 / MEMS技術 / 超高速トランジスタ / 単一分子素子
研究概要	本研究では、テラヘルツ(THz)電磁波の放射・吸収をプローブとして、量子ナノデバイスの伝導ダイナミクスを解明することを目的に研究を行い、以下のような主な成果を得た。 ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (109件) 図書 (11件) 産業財産権 (2件) 文献書誌 (10件)

8. エピタキシャル成長におけるナノ構造自己形成機構の解明と制御

研究課題

研究種目	基盤研究(C)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	香川大学
研究代表者	小柴俊香川大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	2002 – 2003完了
キーワード	分子線エピタキシー / ナノ構造 / 自己形成機構 / 微傾斜基板 / 偏光特性 / デジタルアロイ / 超格子 / リッジ構造 / ステップバンチング
研究概要	エピタキシャル成長におけるナノ構造自己形成機構の解明と制御の研究を行い以下の知見を得た。

この課題の研究成果物	文献書誌 (23件)

9. 量子ドットの光イオン化を用いた超高感度中赤外光検出器の開発

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
研究分野	電子デバイス・機器工学
研究機関	東京大学
研究代表者	平川一彦東京大学, 生産技術研究所, 教授
研究期間 (年度)	2001 – 2003完了
キーワード	量子ドット / 光検出 / 量子ナノ構造 / ヘテロ構造 / 赤外光 / サブバンド間遷移 / 単一電子トランジスタ / ナノ構造 / 赤外線 / トンネル効果 / サブハンド間遷移
研究概要	波長数μm^〜数十μmの中赤外帯の光検出は、リモートセンシングや排ガス計測などの環境計測、宇宙物理、暗視装置、バイオ関連等の応用分野で極めて重要な技術となりつつある。近年、その作製技術や物性の理解が急速に進展しつつある自己組織InAs量子ドットは、作製の容易さ、電子閉じ込めエネルギー、光との散乱断面 ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (87件)

10. 量子ドット構造による電子の制御と次世代エレクトロニクスへの応用

研究課題

研究種目	特別推進研究(COE)
研究機関	東京大学
研究代表者	榊裕之東京大学, 生産技術研究所, 教授
研究期間 (年度)	2000 – 2004完了
キーワード	量子ドット / ナノ構造 / 電子の波動性 / 零次元電子 / 単電子効果 / 量子ドットレーザー / 量子ドットメモリー / 量子ドット検出器 / 量子ドットレーザ
研究概要	(1)量子ドット関連構造の形成と電子状態の制御に関する研究成果

この課題の研究成果物	雑誌論文 (70件) 図書 (2件) 文献書誌 (206件)

11. 原子間力顕微鏡による量子ドットを介した共鳴トンネル効果の研究

研究課題

研究種目	基盤研究(C)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	和歌山大学
研究代表者	田中一郎和歌山大学, システム工学部, 助教授
研究期間 (年度)	2000 – 2001完了
キーワード	量子ドット / InAs / 自己形成 / 導電性探針 / 原子間力顕微鏡 / 共鳴トンネル効果 / RTD / GaAs
研究概要	1.InAs自己形成量子ドットのサイズ・密度の高精度制御

この課題の研究成果物	文献書誌 (10件)

12. GaAs/AlAsリッジ構造中のキャリアダイナミックス-1次元半導体の電子の動きを探る-

研究課題

研究種目	基盤研究(C)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	香川大学
研究代表者	中西俊介香川大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	2000 – 2001完了
キーワード	量子細線 / 量子井戸 / GaAs / AlAs / 蛍光スペクトル / 蛍光寿命
研究概要	GaAs/AlAsリッジ量子細線構造のキャリアダイナミックスを光学的方法で調べることを目標に研究を行った。計画した測定法の内、蛍光寿命の測定は行えたが、pump-probe法、四光波混合法の測定は行えなかった。 ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (3件)

13. テラヘルツ放射をプローブとした10フェムト秒領域におけるキャリアダイナミクスの研究

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
研究分野	電子デバイス・機器工学
研究機関	東京大学
研究代表者	平川一彦東京大学, 生産技術研究所, 教授
研究期間 (年度)	2000 – 2002完了
キーワード	テラヘルツ分光 / 非平衡伝導 / 超格子 / ブロッホ振動 / フェムト秒分光 / ヘテロ構造 / 超高速トランジスタ / コヒーレンス / テラヘルツ電磁波 / フェムト秒レーザー / トンネル効果 / テラヘルツ / フェムト秒レーザ / 速度オーバーシュート / 非定常伝導 / ポンプ・プローブ法 / 電気光学効果
研究概要	近年、電子デバイスの微細化が進み、チャネル長が100nm以下の極短チャネルトランジスタも作製されるようになってきている。このような極微デバイス中においては、電子は電極間をサブピコ秒の時間スケールで、しかも極めて非平衡な状態で伝導していると考えられている。したがって、デバイスの性能限界を明らかにするに ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (80件)

14. 半導体ミクロおよびナノ・グレイン物質の物性支配機構の解明と制御の研究

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	東京大学
研究代表者	榊裕之東京大学, 生産技術研究所, 教授
研究期間 (年度)	2000 – 2002完了
キーワード	グレイン(粒状)物質 / 量子ドット / アンチドット / 電子散乱 / 量子リング / 局在 / 電子緩和 / ナノ構造 / InAsドット / 零次元電子 / プレーナ起格子
研究概要	(1)10nm(ナノメートル)級のグレイン物質の代表として、InAsの自己形成量子ドットを形成し、電子を捕捉する研究を展開し、新知見を得た。GaAs/n-AlGaAs界面チャネルに伝導電子を蓄積し、チャネル近傍にドットを配置させると、電子の一部がドットに捕縛され、荷電したドットとチャネル内の電子は強 ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (22件)

15. ナノ構造内の電子遷移の新制御法と近赤外・中赤外域光変調機能デバイスの開発

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
研究分野	電子デバイス・機器工学
研究機関	東京大学
研究代表者	榊裕之東京大学, 生産技術研究所, 教授
研究期間 (年度)	1999 – 2001完了
キーワード	ナノ構造 / 量子ドット / 量子細線 / 量子井戸薄膜 / 量子準位 / 光学遷移 / 電子散乱 / 赤外光 / 量子(井戸) / エネルギー準位 / 中赤外光 / シュタルク効果 / 光イオン化 / 自己形成 / 単一ヘテロ構造 / 伝導特性 / メモリ素子 / 赤外検出器 / ボロメータ / 光学フォノン
研究概要	10nm級の量子(井戸)薄膜・量子細線・量子ドットなど半導体ナノ構造において、その内部に形成される一連のエネルギー準位やサブバンドの関与する電子の光学遷移や散乱過程を制御する手法を探索するとともに、光変調デバイスへの応用可能性を探る研究を進め、以下に示す知見を得た。 ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (39件)

16. 半導体ナノ構造の量子光物性とその応用

研究課題

研究種目	特定領域研究
審査区分	理工系
研究機関	東京大学
研究代表者	荒川泰彦 (2003) 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授三浦登 (1999-2002) 東京大学, 物性研究所, 教授
研究期間 (年度)	1999 – 2003完了
キーワード	電子デバイス / 量子エレクトロニクス / 量子コンピュータ / 量子細線 / 量子ドット / 半導体 / ナノ構造 / 量子光物性 / 量子井戸 / 強磁場 / 量子現象
研究概要	15年度も引き続き書きのテーマを中心に日英共同研究を進めた。

この課題の研究成果物	文献書誌 (99件)

17. 複合量子化半導体素子構造の開発とレーザー発振・吸収・利得特性の顕微透過計測

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	東京大学
研究代表者	渡部俊太郎 (2000-2001) 東京大学, 物性研究所, 教授秋山英文 (1998-1999) 東京大学, 物性研究所, 助教授
研究期間 (年度)	1998 – 2001完了
キーワード	量子構造 / 導波路 / 半導体 / 顕微 / レーザー
研究概要	量子細線レーザーをはじめとする、電子閉じ込めと光閉じ込めを任意に組み合わせた立体量子構造を「複合量子化素子構造」と呼び、そのような素子構造群全体を対象として、試料構造の開発やレーザー発振特性や吸収・利得の評価を行った。このため、まず、電子状態と光導波路の設計・最適化を行うための有限要素計算プログラム ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (81件)

18. ヘテロ界面二次元電子系からの電界電子放射現象の解明とピコ秒電子源への応用

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
研究分野	表面界面物性
研究機関	東京大学
研究代表者	岡野達雄東京大学, 生産技術研究所, 教授
研究期間 (年度)	1998 – 1999完了
キーワード	電界電子放射 / 表面 / 二次元 / 電子源 / ピコ秒 / GaAs / パルス / トンネル効果 / 表面準位 / 二次元電子系 / ヘテロ界面 / 真空
研究概要	半導体超格子構造に局在する二次元電子系からの電界電子放射現象について研究を行った.従来、超格子構造を横断して、層間を垂直方向にトンネルする電界電子放射現象の研究がなされてきたが、本研究では、ヘテロ界面の面内に平行に運動する電子の電界電子放射される過程に注目して研究を行った.電界放射陰極試料として、G ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (10件)

19. 半導体量ドットレーザの試作研究

研究課題

研究種目	基盤研究(A)
研究分野	応用光学・量子光工学
研究機関	東京大学
研究代表者	荒川泰彦東京大学, 生産技術研究所, 教授
研究期間 (年度)	1998 – 2000完了
キーワード	量子ドット / MOCVD / MBE / 半導体レーザ / 自己組織化 / GaN / 量子効果 / InAs / 半導体 / ナノ構造
研究概要	本研究は、研究代表者が長年取り組んできた量子ドットレーザについて、実用化を目指してその素子技術の確立を図ることを目的として遂行されている。

この課題の研究成果物	文献書誌 (176件)

20. 1.5μm帯光通信用半導体量子カスケードレーザの基礎研究

研究課題

研究種目	基盤研究(A)
研究分野	電子デバイス・機器工学
研究機関	東京大学
研究代表者	荒川泰彦東京大学, 生産技術研究所, 教授
研究期間 (年度)	1998 – 2000完了
キーワード	量子ドット / 量子カスケードレーザ / 半導体レーザ / MOCVD / MBE / ナノ構造 / 量子井戸 / ヘテロ構造
研究概要	本研究は,将来の集積電子素子と光素子の融合を目指して、ユニポーラーキャリア動作に基づいた量子カスケード構成による1.5μm波長帯の半導体レーザを実現するための、半導体ヘテロ構造について、結晶成長技術および物理的基礎を中心に研究を行うことを目的としている。 ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (166件)

研究期間 (開始年度)

1. GaN系HEMTと関連素子のピエゾ電界効果の解明と表面準位の新評価法 研究課題

榊 裕之 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 学長

2. 第II種量子ドット入り三角障壁構造による電子伝導の制御と光検出器応用 研究課題

榊 裕之 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授

3. 量子ドットと量子細線を結合させた素子構造の形成法開拓と光伝導機能探索 研究課題

榊 裕之 豊田工業大学, 工学部, 教授

4. 半導体における動的相関電子系の光科学 総括班

五神 真 東京大学, 理学(系)研究科(研究院), 教授

5. メゾスコピック系の伝導における相互作用と導線の効果 研究課題

羽田野 直道 東京大学, 生産技術研究所, 准教授

6. 半導体量子リングと関連ナノ構造による電子と正孔の新制御法の開発と素子応用の探索 研究課題

榊 裕之 豊田工業大学, 工学部, 教授

7. 量子ナノ構造中の電子波束のデコヒーレンスと伝導・損失・利得スペクトルに関する研究 研究課題

平川 一彦 東京大学, 生産技術研究所, 教授

8. エピタキシャル成長におけるナノ構造自己形成機構の解明と制御 研究課題

小柴 俊 香川大学, 工学部, 教授

9. 量子ドットの光イオン化を用いた超高感度中赤外光検出器の開発 研究課題

平川 一彦 東京大学, 生産技術研究所, 教授

10. 量子ドット構造による電子の制御と次世代エレクトロニクスへの応用 研究課題

榊 裕之 東京大学, 生産技術研究所, 教授

11. 原子間力顕微鏡による量子ドットを介した共鳴トンネル効果の研究 研究課題

田中 一郎 和歌山大学, システム工学部, 助教授

12. GaAs/AlAsリッジ構造中のキャリアダイナミックス-1次元半導体の電子の動きを探る- 研究課題

中西 俊介 香川大学, 工学部, 教授

13. テラヘルツ放射をプローブとした10フェムト秒領域におけるキャリアダイナミクスの研究 研究課題

平川 一彦 東京大学, 生産技術研究所, 教授

14. 半導体ミクロおよびナノ・グレイン物質の物性支配機構の解明と制御の研究 研究課題

榊 裕之 東京大学, 生産技術研究所, 教授

15. ナノ構造内の電子遷移の新制御法と近赤外・中赤外域光変調機能デバイスの開発 研究課題

榊 裕之 東京大学, 生産技術研究所, 教授

16. 半導体ナノ構造の量子光物性とその応用 研究課題

荒川 泰彦 (2003) 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 三浦 登 (1999-2002) 東京大学, 物性研究所, 教授

17. 複合量子化半導体素子構造の開発とレーザー発振・吸収・利得特性の顕微透過計測 研究課題

渡部 俊太郎 (2000-2001) 東京大学, 物性研究所, 教授 秋山 英文 (1998-1999) 東京大学, 物性研究所, 助教授

18. ヘテロ界面二次元電子系からの電界電子放射現象の解明とピコ秒電子源への応用 研究課題

岡野 達雄 東京大学, 生産技術研究所, 教授

19. 半導体量ドットレーザの試作研究 研究課題

荒川 泰彦 東京大学, 生産技術研究所, 教授

20. 1.5μm帯光通信用半導体量子カスケードレーザの基礎研究 研究課題

荒川 泰彦 東京大学, 生産技術研究所, 教授

1. GaN系HEMTと関連素子のピエゾ電界効果の解明と表面準位の新評価法

研究課題

榊裕之豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 学長

2. 第II種量子ドット入り三角障壁構造による電子伝導の制御と光検出器応用

研究課題

榊裕之豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授

3. 量子ドットと量子細線を結合させた素子構造の形成法開拓と光伝導機能探索

研究課題

榊裕之豊田工業大学, 工学部, 教授

4. 半導体における動的相関電子系の光科学

総括班

五神真東京大学, 理学(系)研究科(研究院), 教授

5. メゾスコピック系の伝導における相互作用と導線の効果

研究課題

羽田野直道東京大学, 生産技術研究所, 准教授

6. 半導体量子リングと関連ナノ構造による電子と正孔の新制御法の開発と素子応用の探索

研究課題

榊裕之豊田工業大学, 工学部, 教授

7. 量子ナノ構造中の電子波束のデコヒーレンスと伝導・損失・利得スペクトルに関する研究

研究課題

平川一彦東京大学, 生産技術研究所, 教授

8. エピタキシャル成長におけるナノ構造自己形成機構の解明と制御

研究課題

小柴俊香川大学, 工学部, 教授

9. 量子ドットの光イオン化を用いた超高感度中赤外光検出器の開発

研究課題

平川一彦東京大学, 生産技術研究所, 教授

10. 量子ドット構造による電子の制御と次世代エレクトロニクスへの応用

研究課題

榊裕之東京大学, 生産技術研究所, 教授

11. 原子間力顕微鏡による量子ドットを介した共鳴トンネル効果の研究

研究課題

田中一郎和歌山大学, システム工学部, 助教授

12. GaAs/AlAsリッジ構造中のキャリアダイナミックス-1次元半導体の電子の動きを探る-

研究課題

中西俊介香川大学, 工学部, 教授

13. テラヘルツ放射をプローブとした10フェムト秒領域におけるキャリアダイナミクスの研究

研究課題

平川一彦東京大学, 生産技術研究所, 教授

14. 半導体ミクロおよびナノ・グレイン物質の物性支配機構の解明と制御の研究

研究課題

榊裕之東京大学, 生産技術研究所, 教授

15. ナノ構造内の電子遷移の新制御法と近赤外・中赤外域光変調機能デバイスの開発

研究課題

榊裕之東京大学, 生産技術研究所, 教授

16. 半導体ナノ構造の量子光物性とその応用

研究課題

荒川泰彦 (2003) 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授
三浦登 (1999-2002) 東京大学, 物性研究所, 教授

17. 複合量子化半導体素子構造の開発とレーザー発振・吸収・利得特性の顕微透過計測

研究課題

渡部俊太郎 (2000-2001) 東京大学, 物性研究所, 教授
秋山英文 (1998-1999) 東京大学, 物性研究所, 助教授

18. ヘテロ界面二次元電子系からの電界電子放射現象の解明とピコ秒電子源への応用

研究課題

岡野達雄東京大学, 生産技術研究所, 教授

19. 半導体量ドットレーザの試作研究

研究課題

荒川泰彦東京大学, 生産技術研究所, 教授

20. 1.5μm帯光通信用半導体量子カスケードレーザの基礎研究

研究課題

荒川泰彦東京大学, 生産技術研究所, 教授