研究課題/領域番号 |
23H01809
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
小区分28030:ナノ材料科学関連
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研究機関 | 立命館大学 |
研究代表者 |
安藤 妙子 立命館大学, 理工学部, 教授 (70335074)
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研究分担者 |
鳥山 寿之 立命館大学, 理工学部, 教授 (30227681)
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研究期間 (年度) |
2023-04-01 – 2026-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2023年度)
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配分額 *注記 |
18,980千円 (直接経費: 14,600千円、間接経費: 4,380千円)
2023年度: 10,010千円 (直接経費: 7,700千円、間接経費: 2,310千円)
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キーワード | ナノ構造 / ひずみ場 / 転位 / バンド構造 |
研究開始時の研究の概要 |
本研究では,半導体ナノ構造体のひずみ場に発現する「転位活動の活性化」と「バンドギャップ構造変化」について相互に及ぼす影響を解明するため,(1)ナノ構造の転位発現現象に関する実験を電子顕微鏡下その場観察引張試験によって行い,(2)ナノ構造のひずみ場と電気特性評価から転位の有無や状態と特性変化に関する相関データを取得する.最後に(3)得られた実験データの理論解釈を材料力学・破壊力学・固体物理学の観点から進めることにより,ナノ構造の物性を変化させるそれぞれの因子の関連性を明確にする理論を構築する.
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