固体の広エネルギー領域光物性

研究課題番号:05302019

1995年度 研究成果報告書概要

代表者

    • 菅 滋正
    • SUGA, Shigemasa
    • 研究者番号:40107438
    • 大阪大学・基礎工学部・教授

研究課題基本情報

  • 研究期間

    1993年度〜1995年度

  • 研究分野

    固体物性I(光物性・半導体・誘電体)

  • 審査区分

  • 研究種目

    総合研究(A)

  • 研究機関

    大阪大学

  • 配分額

    • 1993年度:1400千円 (直接経費:1400千円)
    • 1994年度:1400千円 (直接経費:1400千円)
    • 1995年度:1200千円 (直接経費:1200千円)

研究分担者

    • 難波 孝夫
    • 研究者番号:30091721
    • 神戸大学・理学部・教授
    • 今田 真
    • 研究者番号:90240837
    • 大阪大学・基礎工学部・助手
    • 鈴木 直
    • 研究者番号:40029559
    • 大阪大学・基礎工学部・教授

    • 大門 寛
    • 研究者番号:20126121
    • 大阪大学・基礎工学部・助教授
    • 張 紀久夫
    • 研究者番号:60013489
    • 大阪大学・基礎工学部・教授

研究概要

本研究課題では遠赤外からγ線にいたる広いエネルギー範囲の固体物性研究者が一同に会し、物性研究の現状を把握した上で有機的な研究協力を行い先端研究を進めるとともに、さらに21世紀に向けての研究戦略を討論してきた.その3年間の成果は当初の期待を大きく上回り、広汎な分野で世界の先端に立つ研究実績があがるとともに、新たな研究展開の芽がいくつも得られた.たとえば平成7年8月から9月にかけての5日間に東京で第11回真空紫外物理学国際会議が開催されたが当研究班からの約30編の原著論文が発表された.なかでもH6年度報告でも述べたようにスピン偏極光電子分光、内殻光吸収磁気円偏光2色性、軟X線励起発光、光学2次過程理論などでは本研究グループの研究が国際的にも大きく評価され同国際会議のプログラムには柿崎、菅、辛、小谷の招待講演が含まれている.また低温での高分解能光電子分光測定では東大藤森らの研究室レベルでの研究に加えて阪大菅等の放射光を用いた共鳴光電子分光を含む高分解能電子分光がスタートし多くの新しい成果が得られた.それらは現在発表準備中である.また電子線励起による共鳴逆光電子分光が辛等の手で開始された.スピン偏極光電子分光では物性研柿崎らによるMnSbなどの新しい結果が得られた.磁性体の磁気円偏光2色性ではこれまで得られた多様な実験結果の理論解析が阪大菅、広島大城等によって精力的に行われた.さらに阪大大門、菅等の手で2次元表示型のエネルギー分析器を用いた電子分光や電子線回折に著しい成果が得られた.この2次元表示型検出器を用いた光電子放出の磁気二色性の研究も準備中である.

発表文献

  • S. Suga: "Photoemission and Bremsstrahlung Isochromat Spectra of U_3P_4 and U_3As_4" Physical Review. B52. 14431-14435 (1995),

  • S. Suga: "3d Resonance Photoemission Study of CeB6 and PrB6" Physical Review. B52. 1584-1589 (1995),

  • S. Suga: "Photoemission X-ray Absorption and Inverse Photoemission Studies of Valence-Fluctuating Sm_3Se_4" Physical Review. B51. 2061-2067 (1995)

  • Y. Saitoh: "Spin-Resolocd 3p and 3s Core-Lerl Photoemission Spectra of Ferromagnetic Nickel" Physical Review. B52. R11549-R11552 (1995),

  • N. Shino: "Photoemission, Inverse Photoemission and Optical Studies of Rare-Earth Hexaborides" J. Phys. Soc. Jpn.64. 2980-2987 (1995),

  • K. Sakamoto: "Photoemission Study of the Si(III)3×1 K Surface" Physical Review. B50. 1725-1732 (1994),

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