Studies on single-electron devices and circuits based on silicon integrated circuit process
Project/Area Number |
19310093
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Research Field |
Microdevices/Nanodevices
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Research Institution | Shizuoka University |
Principal Investigator |
INOKAWA Hiroshi Shizuoka University, 電子工学研究所, 教授 (50393757)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
FUJIWARA Akira 日本電信電話(株), 物性科学基礎研究所, 主幹研究員 (70393759)
NISHIGUCHI Katsuhiko 日本電信電話(株), 物性科学基礎研究所, 研究主任 (00393760)
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Project Period (FY) |
2007 – 2009
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2009)
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Budget Amount *help |
¥19,110,000 (Direct Cost: ¥14,700,000、Indirect Cost: ¥4,410,000)
Fiscal Year 2009: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000)
Fiscal Year 2008: ¥5,200,000 (Direct Cost: ¥4,000,000、Indirect Cost: ¥1,200,000)
Fiscal Year 2007: ¥9,230,000 (Direct Cost: ¥7,100,000、Indirect Cost: ¥2,130,000)
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Keywords | 単量子デバイス / 少数電子素子 / 電子デバイス・機器 / 低消費電力 / 単電子デバイス / 単電子転送 / シリコン / 集積回路 |
Research Abstract |
標準的なシリコン(Si)集積回路プロセスを用いて、ゲート電圧で誘起されたトンネルバリアを有する単電子デバイスを検討した。Si細線に2本のゲートが横切るタイプの単電子転送デバイスを中心に特性を調べ、容量パラメータの抽出法の提案、転送電流に重畳するノイズの解析、回路動作高速化の検討、種々の情報処理回路の動作実証などを行った。その結果、Si集積回路プロセスにより単電子デバイス・回路を構成し研究を進めて行く礎が築かれた。
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Report
(4 results)
Research Products
(65 results)
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[Journal Article]2009
Author(s)
Yasuo Takahashi
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Journal Title
Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures(Springer, New York)
Pages: 125-172
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[Journal Article]2008
Author(s)
Yukinori Ono
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Journal Title
Nanotechnology, Volume 4 : Information Technology II(Wiley-VCH, Weinheim)
Pages: 45-68
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[Presentation] Single-Dopant Effect in Si MOSFETs2008
Author(s)
Y. Ono, M.A.H. Khalafalla, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, K. Takashina, S. Horiguchi, Y. Takahashi, H. Inokawa
Organizer
The IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference
Place of Presentation
Kyoto
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