| 研究課題/領域番号 |
15206035
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
宮崎 誠一 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 教授 (70190759)
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| 研究分担者 |
東 清一郎 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 助教授 (30363047)
村上 秀樹 広島大学, 大学院・先端物質科学研究科, 助手 (70314739)
香野 淳 福岡大学, 理学部, 助教授 (30284160)
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| 研究期間 (年度) |
2003 – 2005
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| 研究課題ステータス |
完了 (2005年度)
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| 配分額 *注記 |
49,010千円 (直接経費: 37,700千円、間接経費: 11,310千円)
2005年度: 11,960千円 (直接経費: 9,200千円、間接経費: 2,760千円)
2004年度: 18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円)
2003年度: 18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
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| キーワード | 量子ドット / 自己組織化 |
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| 研究概要 |
半導体ナノ結晶内に室温で電子・正孔の空間分離・閉じ込めを可能にする有殻・有芯のポテンシャル構造(擬似スーパーアトム構造)を実現し、均質な量子ドットに見られない固有な物性・機能を明らかにする。また、III族およびIV族不純物をデルタドーピングし、電子状態制御の指針を得る。
Siナノ結晶上へのGeの選択成長およびGeナノ結晶上へのSiの選択成長を応用して、Geコアを持ったSiナノ結晶が形成できることを明らかにすると共に、導電性AFM探針を使った電子注入/放出後の表面電位像および電流像観察において、電子および正孔は、ナノ結晶内のエネルギーバンド構造を反映して、それぞれSiクラッドおよびGeコアに安定保持されることを明らかにした。Si系量子ドットへのPおよびBのデルタドーピングによって、電子注入/放出に必要な電位が、バンドギャップに相当する程度変化することを明らかにした。また、Pドープの場合は、伝導電子放出に伴うPドナーの顕在化による正帯電が安定保持され、Bドープの場合は、電子注入・再結合に伴うBアクセプタによる負帯電が安定であることを明らかにした。更に高密度立体集積したSi系量子ドットにおいて、局所注入した電子が、時間経過と共に隣接量子ドットへ分散する様子を明らかにした。Si量子ドット上へのNi蒸着量を制御して形成したNiシリサイドナノドットにおいて、同サイズのSi量子ドットに比べて、荷電状態が安定保持できることを明らかにした。
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