• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

フレキシブル基板上の異種材料デバイス混載技術に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 15K13976
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分基金
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関広島大学

研究代表者

東 清一郎  広島大学, 先端物質科学研究科, 教授 (30363047)

研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2017-03-31
研究課題ステータス 完了 (2016年度)
配分額 *注記
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2016年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2015年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
キーワードフレキシブルエレクトロニクス / 転写技術 / 単結晶シリコン / 転写
研究成果の概要

メニスカス力を利用して単結晶シリコン層をポリエチレンテレフタレート(PET)基板へ転写する技術に関して、①単結晶シリコン層をPET基板へ転写した後の低温熱処理により界面にSi-O-C結合が形成されることにより高い密着性が得られることが分かった。②中空構造で単結晶シリコン層を保持しているSiO2柱の形状がイオン注入法によりテーパー形状に制御できることが分かり、単結晶シリコン層とSiO2柱の界面部分から分離する理想的な分離により99%以上の歩留まり達成した。③PET基板上に転写した単結晶シリコンを用いてNMOSインバータによる明瞭な反転信号を3MHzの動作周波数で得ることに成功した。

報告書

(3件)
  • 2016 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2015 実施状況報告書
  • 研究成果

    (15件)

すべて 2017 2016 2015

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件、 オープンアクセス 2件、 謝辞記載あり 1件) 学会発表 (13件) (うち国際学会 6件、 招待講演 1件)

  • [雑誌論文] Formation of silicon-on-insulator layer with midair cavity for meniscus force-mediated layer transfer and high-performance transistor fabrication on glass2015

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, K. Sakaike, and S. Higashi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 54 号: 8 ページ: 086503-1

    • DOI

      10.7567/jjap.54.086503

    • NAID

      210000145520

    • 関連する報告書
      2015 実施状況報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Meniscus-force-mediated layer transfer technique using single-crystalline silicon films with midair cavity: Application to fabrication of CMOS transistors on plastic substrates2015

    • 著者名/発表者名
      Kohei Sakaike, Muneki Akazawa, Akitoshi Nakagawa and Seiichiro Higashi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 54 号: 4S ページ: 04DA08-04DA08

    • DOI

      10.7567/jjap.54.04da08

    • 関連する報告書
      2015 実施状況報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
  • [学会発表] 中空構造SOI層を用いた低温転写における転写歩留まり向上とプラスチック基板上での単結晶シリコンTFTと論理回路の作製2017

    • 著者名/発表者名
      水上 隆達、竹島 真治、山下 知徳、東 清一郎
    • 学会等名
      第64回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] Improvement of Transfer Yield of Single-Crystalline Silicon Films and Fabrication of Thin-Film Transistors and Inverters on Plastic Substrate2017

    • 著者名/発表者名
      R. Mizukami, S. Takeshima, T. Yamashita, and S. Higashi
    • 学会等名
      Int. Workshop Nanodevice Technologies 2017
    • 発表場所
      Hiroshima University
    • 年月日
      2017-03-02
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Miniaturization of Single Crystalline Silicon Layer Transferred to Flexible Substrate by Meniscus Force Mediated Layer Transfer Technique2017

    • 著者名/発表者名
      S. Takeshima, R. Mizukami, T. Yamashita, and S. Higashi
    • 学会等名
      Int. Workshop Nanodevice Technologies 2017
    • 発表場所
      Hiroshima University
    • 年月日
      2017-03-02
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Fabrication of single crystalline silicon thin film transistors and logic circuits on plastic substrate by meniscus force mediated layer transfer technique2017

    • 著者名/発表者名
      R. Mizukami, S. Takeshima, T. Yamashita and S. Higashi
    • 学会等名
      13th Int. Thin-Film Transistor Conf. 2017 (ITC2017)
    • 発表場所
      Austin, TX, USA
    • 年月日
      2017-02-23
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 中空構造 SOI 層を用いた低温転写における転写歩留まり向上とフレキシブル基板上での単結晶シリコンTFT と論理回路の作製2016

    • 著者名/発表者名
      水上 隆達、竹島真治、山下知徳、東清一郎
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会 第13回研究集会
    • 発表場所
      龍谷大学
    • 年月日
      2016-10-21
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] 中空構造 SOI 層を用いたフレキシブル基板への転写技術におけるパターン微小化2016

    • 著者名/発表者名
      竹島 真治、水上隆達、山下知徳、花房宏明、東清一郎
    • 学会等名
      薄膜材料デバイス研究会 第13回研究集会
    • 発表場所
      龍谷大学
    • 年月日
      2016-10-21
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] 中空構造SOI 層を用いた低温転写における転写歩留まり向上とフレキシブル基板上での単結晶シリコンTFT とインバータ回路の作製2016

    • 著者名/発表者名
      水上 隆達、竹島 真治、山下 知徳、東 清一郎
    • 学会等名
      第77回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] Improvement of transfer yield of single-crystalline silicon films and fabrication of thin-film transistors on polyethylene terephthalate substrate2016

    • 著者名/発表者名
      R. Mizukami, S. Takeshima, T. Yamashita, and S. Higashi
    • 学会等名
      International Conference on Flexible and Printed Electronics (ICFPE2016)
    • 発表場所
      Yamagata, Japan
    • 年月日
      2016-09-06
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Formation of Single Crystalline Silicon with Midair Cavity for Meniscus Force-Mediated Local Layer Transfer and Fabrication of High-Performance MOSFETs on Insulator2015

    • 著者名/発表者名
      M. Akazawa, S. Takeshima, A. Nakagawa, K. Hiramatsu and S. Higashi
    • 学会等名
      Int. Conf. Solid State Dev. Mat. (SSDM2015)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • 年月日
      2015-09-27
    • 関連する報告書
      2015 実施状況報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 中空構造SOI層の低温転写におけるFTIR-ATRを用いたシリコン/PET界面の化学結合状態評価2015

    • 著者名/発表者名
      竹島 真治、酒池 耕平、赤澤 宗樹、中川 明俊、東 清一郎
    • 学会等名
      第76回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • 関連する報告書
      2015 実施状況報告書
  • [学会発表] メニスカス力を用いた局所転写のための中空構造単結晶シリコンの形成2015

    • 著者名/発表者名
      赤澤 宗樹、東 清一郎
    • 学会等名
      第76回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県・名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-13
    • 関連する報告書
      2015 実施状況報告書
  • [学会発表] 中空構造SOI層の低温転写におけるシリコン/PET界面の化学結合状態評価2015

    • 著者名/発表者名
      竹島 真治、酒池 耕平、赤澤 宗樹、東 清一郎
    • 学会等名
      2015年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会
    • 発表場所
      徳島大学 常三島キャンパス(徳島県・徳島市)
    • 年月日
      2015-08-01
    • 関連する報告書
      2015 実施状況報告書
  • [学会発表] Silicon CMOS on glass and plastic - Crystallization and layer transfer approaches -2015

    • 著者名/発表者名
      S. Higashi
    • 学会等名
      Semiconductor Tech. Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors V
    • 発表場所
      Lake Tahoe, USA
    • 年月日
      2015-06-14
    • 関連する報告書
      2015 実施状況報告書
    • 国際学会 / 招待講演

URL: 

公開日: 2015-04-16   更新日: 2018-03-22  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi