• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 前のページに戻る

原子層制御量子ドットと面型超高速光信号再生デバイスへの応用

研究課題

研究課題/領域番号 18656096
研究種目

萌芽研究

配分区分補助金
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関神戸大学

研究代表者

和田 修  神戸大学, 工学研究科, 教授 (90335422)

研究分担者 喜多 隆  神戸大学, 工学研究科, 教授 (10221186)
研究期間 (年度) 2006 – 2007
研究課題ステータス 完了 (2007年度)
配分額 *注記
3,400千円 (直接経費: 3,400千円)
2007年度: 1,600千円 (直接経費: 1,600千円)
2006年度: 1,800千円 (直接経費: 1,800千円)
キーワード量子ドット / 面型光デバイス / 光通信 / 超高速光スイッチ / 光信号再生デバイス / 光アンプ / 原子層窒化プロセス
研究概要

光通信の大容量化の要求に伴って100Gb/s超の超高速化が必要となってくるものと考えられる。この際に光信号再生機能(増幅+波形整形2R,時間同期も含めた3R)は極めて重要となるが、簡単かつ実用的なものはまだ実現されてない。本研究では、我々独自の原子層制御量子ドットにより、単一の素子で超高速光信号再生機能を有する垂直構造光信号再生デバイスを目指して、研究を行った。
本年度は、量子ドット成長法に関しては、単一ドットの透過電子顕微鏡測定(HAADF-STEM測定)を行って量子ドット構成原子構造の正確な観測に初めて成功し、ドット形状制御における多元パラメータ制御の重要性が確かめられた。また、量子ドットの光学的特性に関しては、多層化量子ドット構造における量子ドット間の電子状態の結合効果を発光特性測定によって検討し、スペーサ層の厚さ(10〜40nm)の制御によって発光波長、強度、減衰時間など光学特性制御が可能であることを明らかにした。さらに、半導体多層膜反射鏡構造と量子ドットを集積化した基礎的な光変調デバイス構造を作製して光学特性を評価して基本的な反射特性を確かめ、この構造が変調特性等の高度な特性の評価に適用可能であることが分った。これらの結果を総合的に考慮し、我々独自の多元制御量子ドットが面型光信号処理デバイスに適用できるものと考える。

報告書

(2件)
  • 2007 実績報告書
  • 2006 実績報告書
  • 研究成果

    (11件)

すべて 2008 2007 2006 その他

すべて 雑誌論文 (8件) (うち査読あり 3件) 学会発表 (1件) 図書 (1件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Electron Tomography of Embedded Semiconductor Quantum Dot2008

    • 著者名/発表者名
      T. Inoue, T. Kita, O. Wada, M. Kamino, T. Yaguchi, and T. Kamino
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 92

      ページ: 31902-31902

    • NAID

      120001348321

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Emission-Wavelength Extension of Nitrided InAs/GaAs Quantum Dots with Different Sizes2007

    • 著者名/発表者名
      H. Mizuno, T. Inoue, M. Kikuno, T. Kita, O. Wada, H. Mori, and H. Yasuda
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth 301-302

      ページ: 709-712

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Photoluminescence Dynamics of Coupled Quantum Dots2007

    • 著者名/発表者名
      H. Nakatani, T. Kita, O. Kojima, O. Wada, K. Akahane, and M. Tsuchiya
    • 雑誌名

      Journal of Luminescence 128

      ページ: 975-977

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Emission-Wavelength Extension of Nitrided InAs/GaAs Quantum Dots with Different Sizes2007

    • 著者名/発表者名
      H.Mizuno
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth (印刷中)

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Atomically Controlled Doping of Nitrogen on GaAs(001) Surfaces2007

    • 著者名/発表者名
      N.Shimizu
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth (印刷中)

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Artificial Control of Optical Gain Polarization by Stacking Quantum Dot Layers2006

    • 著者名/発表者名
      T.Kita
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 88・-

      ページ: 211106-211106

    • NAID

      120000943927

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Emission-Wavelength Extension of InAs/GaAs Quantum Dots by Controlling Lattice-Mismatched Strain2006

    • 著者名/発表者名
      T.Inoue
    • 雑誌名

      Proc. 18th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, Princeton, May 7-11, 2006

      ページ: 201-203

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [雑誌論文] Bound Exciton States of Isoelectronic Centers in GaAs : N Grown by an Atomically Controlled Doping Technique2006

    • 著者名/発表者名
      T.Kita
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B 74・-

      ページ: 35213-35213

    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [学会発表] Ultrafast optoelectronic devices using semiconductor nanostructure materials (Invited Paper)2008

    • 著者名/発表者名
      Osamu Wada
    • 学会等名
      JSPS-UNT Winter School on Nanophotonics &Optoelectronics
    • 発表場所
      Denton, Texas, U. S. A.
    • 関連する報告書
      2007 実績報告書
  • [図書] "Microwave Photonics,"( 第2章 )"Femtosecond All-Optical Devices for Ultrafast Communication and Signal Processing,"(pp. 31-76) (Chi H. Lee ed.)2007

    • 著者名/発表者名
      Osamu Wada
    • 総ページ数
      422
    • 出版者
      CRC Press (Boca Raton, FL, U.S.A.)
    • 関連する報告書
      2006 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.research.kobe-u.ac.jp/eng-photonics/activity_files/NovelMaterials_QD.htm

    • 関連する報告書
      2007 実績報告書

URL: 

公開日: 2006-04-01   更新日: 2016-04-21  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi