| 研究課題/領域番号 |
21246053
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 (2010-2011)
広島大学 (2009) |
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研究代表者 |
宮崎 誠一 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (70190759)
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| 研究分担者 |
村上 秀樹 広島大学, 先端物質科学研究科, 助教 (70314739)
東 清一郎 広島大学, 先端物質科学研究科, 教授 (30363047)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
24,570千円 (直接経費: 18,900千円、間接経費: 5,670千円)
2011年度: 9,490千円 (直接経費: 7,300千円、間接経費: 2,190千円)
2010年度: 15,080千円 (直接経費: 11,600千円、間接経費: 3,480千円)
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| キーワード | Si量子ドット / 一次元連結 / エレクトロルミネッセンス / LPCVD / 縦積み連結 / Ge量子ドット / フローティングゲート |
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| 研究概要 |
熱SiO_2膜上のSi量子ドット上にGeを選択成長させ、酸化・高温熱処理を施した後、SiH_4-LPCVDを行うことによって、自己整合的に一次元連結した量子ドット構造を形成できた。さらに、連結ドットを超高密度形成(~ 10^<13> cm^<-2>)することで、半透明Auゲートダイオード構造において、高効率キャリア注入が実現でき、電流密度~ 0. 15A/cm^2においてEL強度をドット密度~ 101^<11> cm^<-2>の場合と比べて~ 425倍増大することが分かった。また、p-Si(100)上に形成したダイオード構造では、その閾値電圧は、n型基板上に形成した場合に比べ、Auと基板の仕事関数差を反映して~ 0. 8V増加し、EL積分強度の印加電圧および投入電力依存性を調べた結果、基板側ドット内に効果的に正孔保持が起こることに起因して、長波長側(~ 1140nm)で強い依存性を示すことが分かった。
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