| 研究課題/領域番号 |
21360363
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・処理
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| 研究機関 | 早稲田大学 |
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研究代表者 |
本間 敬之 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (80238823)
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| 研究分担者 |
福中 康博 早稲田大学, ナノ理工学研究機構, 教授 (60111936)
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| 連携研究者 |
ミランダ カエタノ 京都大学, 工学研究科, 助教 (30456800)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
18,200千円 (直接経費: 14,000千円、間接経費: 4,200千円)
2011年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2010年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2009年度: 10,660千円 (直接経費: 8,200千円、間接経費: 2,460千円)
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| キーワード | 電気化学反応 / シリコン電析 / 光エネルギーデバイス / 反応解析 / ナノ構造創製 / ナノ構造形成 / ナノ材料創製 |
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| 研究概要 |
イオン液体中でSi薄膜電析を行うことのできる新規なプロセスを確立し,その析出過程をEQCM, TEMやRamanを用いて解析した.その結果,析出したSi薄膜はアモルファスであることや,薄膜内へのイオン液体の巻き込み現象を確認した.更にUVナノインプリントリソグラフィー法により形成した150nm径の孔を規則配列形成したパターン基板をテンプレートに用いて電析を行い,均一なSiナノドットアレイの形成にも成功した.
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