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室温動作ポラリトンレーザ構造のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル形成

研究課題

研究課題/領域番号 22246037
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関東北大学

研究代表者

秩父 重英  東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (80266907)

研究分担者 宗田 孝之  早稲田大学, 理工学術院, 教授 (90171371)
上殿 明良  筑波大学, 数理物質科学研究科, 教授 (20213374)
羽豆 耕治  東北大学, 多元物質科学研究所, 助教 (30367057)
古澤 健太郎  東北大学, 多元物質科学研究所, 助教 (40392104)
研究期間 (年度) 2010-04-01 – 2014-03-31
研究課題ステータス 完了 (2013年度)
配分額 *注記
46,930千円 (直接経費: 36,100千円、間接経費: 10,830千円)
2013年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2012年度: 11,570千円 (直接経費: 8,900千円、間接経費: 2,670千円)
2011年度: 21,060千円 (直接経費: 16,200千円、間接経費: 4,860千円)
2010年度: 9,360千円 (直接経費: 7,200千円、間接経費: 2,160千円)
キーワード電子・電気材料 / ヘリコン波励起プラズマスパッタ / 微小共振器 / 励起子 / 励起子ポラリトン / 酸化亜鉛 / エピタキシー / ポラリトンレーザー / 縮退四光波混合
研究概要

半導体中の励起子と微小共振器の光モードの強結合によりコヒーレント光を得る微小共振器結合励起子ポラリトンレーザは、新たな原理による低閾値コヒーレント光源として興味深い。本研究では、報告者の独自技術でありスパッタ法でありながら高品位半導体エピタキシャル成長が可能な「ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法」を用い、室温動作の可能性が高い、酸化亜鉛活性層を分布ブラッグ反射鏡で挟む微小共振器構造を形成した。そして、共振器モードと結合した励起子ポラリトンによる発光を室温において観測した。本成果を導いたいくつかの技術により、新たなヘテロ構造や量子構造の形成及びナノ構造評価への道が拓けたといえる。

報告書

(5件)
  • 2013 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2012 実績報告書
  • 2011 実績報告書
  • 2010 実績報告書
  • 研究成果

    (81件)

すべて 2014 2013 2012 2011 2010 その他

すべて 雑誌論文 (25件) (うち査読あり 24件) 学会発表 (54件) (うち招待講演 8件) 備考 (2件)

  • [雑誌論文] Impacts of Si-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al0.6Ga0.4N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, K. Hazu, K. Hiramatsu, and A. Uedono
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: Vol.113,No.21 ページ: 2135061-6

    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Impacts of Si-doping and resultant cation vacancy formation on the luminescence dynamics for the near-band-edge emission of Al0.6Ga0.4N films grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, K. Hazu,K. Hiramatsu, A. Uedono
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 113 号: 21 ページ: 2135061-6

    • DOI

      10.1063/1.4807906

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electronic Structure and Spontaneous Polarization in ScxAlyGa1-x-yN Alloys Lattice-Matched to GaN: A First-Principles Study2013

    • 著者名/発表者名
      K. Shimada, S. F. Chichibu, M. Hata, H. Sazawa, T. Takada, and T. Sota
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 号: 8S ページ: 08JM04-08JM04

    • DOI

      10.7567/jjap.52.08jm04

    • NAID

      210000142746

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Local carrier dynamics around the sub-surface basal-plane stacking faults of GaN studied by spatio-time-resolved cathodoluminescence using a front-excitation-type photoelectron-gun2013

    • 著者名/発表者名
      K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, H. Ikeda, K. Fujito, and S. F. Chichibu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 103 号: 5 ページ: 0521081-4

    • DOI

      10.1063/1.4817297

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Excitonic emission dynamics in homoepitaxial AlN films studied using polarized and spatio-time-resolved cathodoluminescence measurements2013

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, A. Uedono, S. Mita, J. Xie, R. Collazo, and Z. Sitar
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 103 号: 14 ページ: 1421031-5

    • DOI

      10.1063/1.4823826

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono
    • 雑誌名

      Electrochemical Society Transactions

      巻: 50 号: 42 ページ: 1-8

    • DOI

      10.1149/05042.0001ecst

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Time-resolved luminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2013

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, T. Onuma, K. Hazu, and A. Uedono
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c)

      巻: 10 号: 3 ページ: 501-506

    • DOI

      10.1002/pssc.201200676

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
    • 雑誌名

      Electrochemical Society Transactions

      巻: 50

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Structural, elastic, and polarization parameters and band structures of wurtzite ZnO and MgO2012

    • 著者名/発表者名
      S. -H. Jang and S. F. Chichibu
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: Vol.112,No.7 ページ: 0735031-6

    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Signatures of Γ1-Γ5 mixed-mode polaritons in polarized reflectance spectra of ZnO2012

    • 著者名/発表者名
      A. Takagi, A. Nakamura, A. Yoshikaie, S. Yoshioka, S. Adachi, S. F. Chichibu, and T. Sota
    • 雑誌名

      Journal of Physics: Condensed Matter

      巻: Vol.24,No.41 ページ: 4158011-8

    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Valence-band-ordering of a strain-free bulk ZnO single crystal identified by four-wave-mixing spectroscopy technique2012

    • 著者名/発表者名
      K. Hazu, S. F. Chichibu, S. Adachi, and T. Sota
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: Vol.111,No.9 ページ: 0935221-6

    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書 2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Femtosecond-laser-driven photoelectron gun for time-resolved cathodoluminescence measurement of GaN2012

    • 著者名/発表者名
      T. Onuma, Y. Kagamitani, K. Hazu, T. Ishiguro, T. Fukuda, and S. F. Chichibu
    • 雑誌名

      Review of Scientific Instruments

      巻: Vol.83,No.4 ページ: 0439051-7

    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Signatures of Γ1-Γ5 mixed-mode polaritons in polarized reflectance spectra of ZnO2012

    • 著者名/発表者名
      A. Takagi, A. Nakamura, A. Yoshikaie, S. Yoshioka, S. Adachi, S. F. Chichibu, and T. Sota
    • 雑誌名

      Journal of Physics: Condensed Matter

      巻: 24 号: 41 ページ: 4158011-8

    • DOI

      10.1088/0953-8984/24/41/415801

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Structural, elastic, and polarization paremeters and band structures of wurtzite ZnO and MgO2012

    • 著者名/発表者名
      S. -H. Jang and S. F. Chichibu
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 112 号: 7 ページ: 0735031-6

    • DOI

      10.1063/1.4757023

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Local lifetime and luminescence efficiency for the near-band-edge emission of freestanding GaN substrates determined using spatio-time-resolved cathodoluminescence2012

    • 著者名/発表者名
      Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and S. F. Chichibu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 101 号: 21 ページ: 2121061-4

    • DOI

      10.1063/1.4767357

    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Defect characterization in Mg-doped GaN studied using a monoenergetic positron beam2012

    • 著者名/発表者名
      A.Uedono, S.Ishibashi, K.Tenjinbayashi, T.Tsutsui, K.Nakahara, D.Takamizu, S.F.Chichibu
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 111 号: 1 ページ: 0145081-6

    • DOI

      10.1063/1.3675516

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Femtosecond-laser-driven photoelectron-gun for time-resolved cathodoluminescence measurement of GaN2012

    • 著者名/発表者名
      T.Onuma, Y.Kagamitani, K.Hazu, T.Ishiguro, T.Fukuda, S.F.Chichibu
    • 雑誌名

      Review of Scientific Instruments

      巻: 83 号: 4 ページ: 0439051-7

    • DOI

      10.1063/1.3701368

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Collateral evidence for an excellent radiative performance of Al_xGa_<1-x>N alloy films of high AlN mole fractions2011

    • 著者名/発表者名
      S.F.Chichibu, K.Hazu, T.Onuma, A.Uedono
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 99 号: 5 ページ: 0519021-3

    • DOI

      10.1063/1.3615681

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Spontaneous polarization and band gap bowing in Y_xAl_yGa_<1-x-y>N alloys lattice-matched to GaN2011

    • 著者名/発表者名
      K.Shimada, A.Zenpuku, K.Fujiwara, K.Hazu, S.F.Chichibu, M.Hata, H.Sazawa, T.Takada, T.Sota
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 100 号: 7 ページ: 0741141-5

    • DOI

      10.1063/1.3651154

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] ワイドバンドギャップ半導体の新機能出現と時間空間分解分光計測2011

    • 著者名/発表者名
      秩父重英, 羽豆耕治
    • 雑誌名

      マテリアルインテグレーション(特集)

      巻: 24 ページ: 273-276

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [雑誌論文] Helicon-wave-excited- plasma sputtering epitaxy of Nb-doped Ti0-2 films on GaN2011

    • 著者名/発表者名
      A.N.Fouda, K.Hazu, T.Nakayama, A.Tanaka, S.F.Chichibu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c)

      巻: 8 ページ: 534-536

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Surface stoichiometry and activity control for atomically smooth low dislocation density ZnO and pseudomorphic MgZnO epitaxy on a Zn-polar ZnO substrate by the helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxy method2010

    • 著者名/発表者名
      Y. Sawai, H. Hazu, and S. F. Chichibu
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: Vol.108,No.6 ページ: 0635411-8

    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Surface stoichiometry and activity control for atomically smooth low dislocation density ZnO and pseudomorphic MgZnO epitaxy on a Zn-polar ZnO substrate by the helicon-wave-excited-plasma sputtering epitaxv method2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Sawai, H.Hazu, S.F.C hichibu
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 108 ページ: 635411-8

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Crystal Phase-Selective Epitaxy of Rutile and Anatase Nb-doped Ti0_2 Films on a GaN Template by the Helicon-Wave-Excited- Plasma Sputtering Epitaxy Method2010

    • 著者名/発表者名
      K.Hazu, A.Fouda, T.Nakayama, A.Tanaka, S.F.Chichibu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 3 ページ: 911021-3

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Transparent semi-conducting Nb-doped anatase Ti0_2 films deposited by helicon-wave-excited-plasma sputtering2010

    • 著者名/発表者名
      A.Fouda, K.Hazu, M.Haemori, T.Nakayama, A.Tanaka, S.F.Chichibu
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science and Technology B

      巻: 29 ページ: 110171-6

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] 反応性ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるZnO系微小光共振器形成の検討2014

    • 著者名/発表者名
      古澤健太郎,柿畑研人,小山雅史,秩父重英
    • 学会等名
      2014年春季応用物理学会
    • 発表場所
      相模原市
    • 年月日
      2014-03-17
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書 2013 研究成果報告書
  • [学会発表] 水熱合成ZnO ターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(2)2014

    • 著者名/発表者名
      古澤健太郎,中沢駿仁,石川陽一,田代公則,秩父重英
    • 学会等名
      2014年春季応用物理学会
    • 発表場所
      相模原市
    • 年月日
      2014-03-17
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [学会発表] Influences of point defects on the emission dynamics of wide bandgap nitride and oxide semiconductors2013

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu and A. Uedono
    • 学会等名
      2013 Japan Society of Applied Physics - Materials Research Society Joint Symposia
    • 発表場所
      京都
    • 年月日
      2013-09-17
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 単結晶酸化亜鉛薄膜へのN,Pイオン注入と熱処理効果2012

    • 著者名/発表者名
      藤本龍吾, 和田凉太, 小池一歩, 佐々誠彦, 矢野満明, 吉田謙一, 長町信治, 羽豆耕治, 秩父重英
    • 学会等名
      日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会
    • 発表場所
      京都工芸繊維大学,京都府
    • 年月日
      2012-03-24
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] ルチルおよびアナターゼTiO_2/GaNヘテロ界面のX線光電子分光法による価電子帯オフセット評価2012

    • 著者名/発表者名
      羽豆耕治, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英
    • 学会等名
      2012年春季応用物理学会
    • 発表場所
      早稲田大学,東京都
    • 年月日
      2012-03-17
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるIII族窒化物半導体評価(2)-HVPE成長GaN基板(2)-2012

    • 著者名/発表者名
      石川陽一, 羽豆耕治, 田代公則, 松本創, 藤戸健史, 下山謙司, 秩父重英
    • 学会等名
      2012年春季応用物理学会
    • 発表場所
      早稲田大学,東京都
    • 年月日
      2012-03-17
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー2012

    • 著者名/発表者名
      張成燻,羽豆耕治,秩父重英
    • 学会等名
      2012年春季応用物理学会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2012-03-16
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [学会発表] 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー2012

    • 著者名/発表者名
      張成燻, 羽豆耕治, 秩父重英
    • 学会等名
      2012年春季応用物理学会
    • 発表場所
      早稲田大学,東京都
    • 年月日
      2012-03-16
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 高AlNモル分率AlGaN混晶薄膜の時間分解PL/CL評価2012

    • 著者名/発表者名
      秩父重英, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 上殿明良
    • 学会等名
      2012年春季応用物理学会
    • 発表場所
      早稲田大学,東京都
    • 年月日
      2012-03-16
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Si添加Al_<0.6>Ga_<0.4>N混晶薄膜の時間分解フォトルミネッセンス評価2012

    • 著者名/発表者名
      羽豆耕治, 石川陽一, 田代公則, 三宅秀人, 平松和政, 上殿明良, 秩父重英
    • 学会等名
      2012年春季応用物理学会
    • 発表場所
      早稲田大学,東京都
    • 年月日
      2012-03-16
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] フェムト秒パルス電子線発生とワイドギャップ半導体の評価2012

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,羽豆耕治,石川陽一,古澤健太郎,上殿明良
    • 学会等名
      2012年春季応用物理学会シンポジウム
    • 発表場所
      東京(依頼講演)
    • 年月日
      2012-03-15
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [学会発表] フェムト秒パルス電子線発生とワイドギャップ半導体の評価2012

    • 著者名/発表者名
      秩父重英, 羽豆耕治, 石川陽一, 古澤健太郎, 上殿明良
    • 学会等名
      2012年春季応用物理学会
    • 発表場所
      早稲田大学,東京都(シンポジウム招待)(招待講演)
    • 年月日
      2012-03-15
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] フェムト秒パルス電子線を用いた窒化物半導体の時間・空間分解カソードルミネッセンス計測2011

    • 著者名/発表者名
      秩父重英
    • 学会等名
      多元系機能性材料研究会平成23年度年末講演会
    • 発表場所
      愛媛大学,愛媛県
    • 年月日
      2011-12-10
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] ウルツ鉱型MgxZn1-xO混晶の弾性テンソル要素C13、C33に関する考察2011

    • 著者名/発表者名
      張成燻,羽豆耕治,秩父重英
    • 学会等名
      2011年秋季応用物理学会
    • 発表場所
      山形
    • 年月日
      2011-09-01
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [学会発表] 偏光反射スペクトル解析によるZnO の物性値の同定2011

    • 著者名/発表者名
      羽豆耕治,吉海江憲,吉岡宗一郎,高木絢子,鳥井康介,宗田孝之,秩父重英
    • 学会等名
      2011年秋季応用物理学会
    • 発表場所
      山形
    • 年月日
      2011-09-01
    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [学会発表] 偏光反射スペクトル解析によるZnOの物性値の同定2011

    • 著者名/発表者名
      羽豆耕治, 吉海江憲, 吉岡宗一郎, 高木絢子, 鳥井康介, 宗田孝之, 秩父重英
    • 学会等名
      2011年秋季応用物理学会
    • 発表場所
      山形大学,山形県
    • 年月日
      2011-09-01
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] ウルツ鉱型Mg_xZn_<1-x>O混晶の弾性テンソル要素C_<13>、C_<33>に関する考察2011

    • 著者名/発表者名
      張成燻, 羽豆耕治, 秩父重英
    • 学会等名
      2011年秋季応用物理学会
    • 発表場所
      山形大学,山形県
    • 年月日
      2011-09-01
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] AlNエピタキシャル薄膜の発光寿命と点欠陥他の関係について2011

    • 著者名/発表者名
      秩父重英, 羽豆耕治, 尾沼猛儀, 上殿明良
    • 学会等名
      2011年秋季応用物理学会
    • 発表場所
      山形大学,山形県
    • 年月日
      2011-08-31
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNb添加TiO_2薄膜の堆積(4)2011

    • 著者名/発表者名
      羽豆耕治, 南風盛将光, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英
    • 学会等名
      2011年秋季応用物理学会
    • 発表場所
      山形大学,山形県
    • 年月日
      2011-08-31
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるc面GaN上へのルチル/アナターゼTiO_2:Nb薄膜の結晶相選択成長(2)2011

    • 著者名/発表者名
      羽豆耕治, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英
    • 学会等名
      2011年秋季応用物理学会
    • 発表場所
      山形大学,山形県
    • 年月日
      2011-08-31
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] GaNと格子整合するY_xAl_yGa_<1-x-y>Nの自発分極とバンドギャップボーイングの第一原理計算2011

    • 著者名/発表者名
      島田和宏, 羽豆耕治, 秩父重英, 秦雅彦, 高田朋幸, 佐沢洋幸, 宗田孝之
    • 学会等名
      2011年秋季応用物理学会
    • 発表場所
      山形大学,山形県
    • 年月日
      2011-08-30
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2011

    • 著者名/発表者名
      S.F.Chichibu, T.Onuma, K.Hazu, T.Sota, A.Uedono
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      Glasgow, UK
    • 年月日
      2011-07-12
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Time-resolved photoluminescence and time-resolved cathodoluminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2011

    • 著者名/発表者名
      S.F.Chichibu, T.Onuma, K.Hazu, T.Sota, A.Uedono
    • 学会等名
      European Materials Research Society, 2011 Spring Meeting
    • 発表場所
      Nice, France(招待)(招待講演)
    • 年月日
      2011-05-11
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNb添加TiO_2薄膜の堆積(3)2011

    • 著者名/発表者名
      羽豆耕治, フォウダアリィ, 南風盛将光, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英
    • 学会等名
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川県厚木市
    • 年月日
      2011-03-27
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるC面GaN上へのルチル/アナターゼTio_2:Nb薄膜の結晶相選択成長2011

    • 著者名/発表者名
      羽豆耕治, フォウダアリィ, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英
    • 学会等名
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川県厚柿
    • 年月日
      2011-03-27
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] ウルツ鉱型Mg_xZnl-_x0混晶の弾性テンソル要素に関する考察2011

    • 著者名/発表者名
      張成燻, 羽豆耕治, 秩父重英
    • 学会等名
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川県厚木市
    • 年月日
      2011-03-26
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] m面ZnO基板の偏光反射スペクトルの解析2011

    • 著者名/発表者名
      羽豆耕治, 吉海江憲, 吉岡宗一郎, 高木絢子, 鳥井康介, 宗田孝之秩父重英
    • 学会等名
      2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川県厚木市
    • 年月日
      2011-03-26
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Helicon-Wave-Excited-Plasma Sputtering Epitaxy of Nb-doped TiO_2 films on GaN2010

    • 著者名/発表者名
      S.F.Chichibu, A.N.Fouda T.Nakayama, A.Tanaka, K.Hazu
    • 学会等名
      The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Kagawa,Japan
    • 年月日
      2010-06-02
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Deposition of Anatase Nb-doped Ti0_2 Thin Films on Glass Substrates by Helicon-Wave-Excited-Plasma Sputtering method2010

    • 著者名/発表者名
      A.N.Fouda, K.Hazu, T.Nakayama, A.Tanaka, S.F.Chichibu
    • 学会等名
      The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Kagawa,Japan
    • 年月日
      2010-05-31
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Effects of Si-doping on the recombination dynamics of excitons in AlGaN alloys studied by time-resolved cathodoluminescence

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, H. Miyake, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Hazu, K. Furusawa, K. Hiramatsu, A. Uedono
    • 学会等名
      European Materials Research Society, 2013 Spring Meeting, Session L: Group III nitrides
    • 発表場所
      Strasbourg, France
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Influences of point defects on the emission dynamics of wide bandgap nitride and oxide semiconductors

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu and A. Uedono
    • 学会等名
      2013 Japan Society of Applied Physics - Materials Research Society Joint Symposia
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Effects of Si-doping on the near-band-edge emission dynamics of Al0.6Ga0.4N epilayers grown on AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, H. Miyake, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, T. Ohtomo, K. Furusawa, K. Hiramatsu, A. Uedono
    • 学会等名
      The IUMRS International Conference in Asia 2013 (IUMRS-ICA-2013)
    • 発表場所
      Bangalore, India
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on local exciton dynamics of a freestanding GaN substrate grown by hydride vapor phase epitaxy

    • 著者名/発表者名
      K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, H. Ikeda, K. Fujito, and S. F. Chichibu
    • 学会等名
      The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013)
    • 発表場所
      Kobe, Japan
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on AlN epitaxial films grown on low dislocation density bulk AlN substrates prepared by the physical vapor transport method

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Furusawa, K. Hazu, S. Mita, J. Xie, R. Collazo, Z. Sitar
    • 学会等名
      The 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
    • 発表場所
      Washington, DC,USA
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] Local emission dynamics in and around the sub-surface basal-plane stacking faults in GaN studied by the spatio-time-resolved cathodoluminescence method using a front-excitation photoelectron gun

    • 著者名/発表者名
      K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, H. Ikeda, K. Fujito, and S. F. Chichibu
    • 学会等名
      The 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
    • 発表場所
      Washington, DC,USA
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] Transport and emission properties of Nb-doped n++-type (001) anatase-TiO2 / Mg-doped p-type (0001) GaN heteroepitaxial structures

    • 著者名/発表者名
      M. Yamagishi, K. Hazu, T. Ohtomo, Y. Ishikawa, K. Furusawa, T. Nakayama, and S. F. Chichibu
    • 学会等名
      The 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
    • 発表場所
      Washington, DC,USA
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] Local carrier dynamics in and around the sub-surface stacking faults in GaN studied using spatio-time-resolved cathodoluminescence equipped with a front-excitation configuration femtosecond pulsed photoelectron gun

    • 著者名/発表者名
      K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, H. Ikeda, K. Fujito, and S. F. Chichibu
    • 学会等名
      2013 Japan Society of Applied Physics - Materials Research Society Joint Symposia
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] 「ワイドバンドギャップ窒化物・酸化物半導体の発光寿命と点欠陥の関係」

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,上殿明良
    • 学会等名
      ワイドギャップ半導体光・電子デバイス162委員会 10月定期研究会
    • 発表場所
      名城大学
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] 気相成長AlN基板上AlNエピタキシャル層の時間空間分解カソードルミネッセンス計測

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,石川陽一,田代公則,古澤健太郎,羽豆耕治,J.Xie,三田清二,R.Collazo,Z.Sitar
    • 学会等名
      2013年秋季応用物理学会
    • 発表場所
      同志社大学
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] 時間空間分解カソードルミネッセンス法による単一積層欠陥回りでの発光ダイナミクス解析

    • 著者名/発表者名
      古澤健太郎,石川陽一,田代公則,羽豆耕治,長尾哲,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英
    • 学会等名
      2013年秋季応用物理学会
    • 発表場所
      同志社大学
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(2)

    • 著者名/発表者名
      古澤健太郎,中沢駿仁,石川陽一,田代公則,秩父重英
    • 学会等名
      2014年春季応用物理学会
    • 発表場所
      相模原市
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率AlxGa1-xN多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,石川陽一,古澤健太郎,田代公則,大友友美,三宅秀人,平松和政
    • 学会等名
      2014年春季応用物理学会
    • 発表場所
      相模原市
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] Time-resolved luminescence studies on AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu and A. Uedono
    • 学会等名
      The Fourth International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
    • 発表場所
      St. Petersburg, Russia
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, K. Hazu, M. Tashiro, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
    • 学会等名
      Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME 2012), ECS222nd
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] III-V族窒化物半導体の欠陥評価最前線

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,上殿明良
    • 学会等名
      応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第148回研究集会
    • 発表場所
      グランキューブ大阪(大阪国際会議場)
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Band alignments and lateral transport properties of Nb-doped (100) rutile- and (001) anatase-TiO2 / (0001) GaN heteroepitaxial structures

    • 著者名/発表者名
      K. Hazu, T. Ohtomo, T. Nakayama, A. Tanaka, and S. F. Chichibu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] GaNと格子整合するScxAlyGa1-x-yNの自発分極と電子構造の第一原理計算

    • 著者名/発表者名
      島田和宏,秩父重英,秦雅彦,高田朋幸,佐沢洋幸,宗田孝之
    • 学会等名
      2012年秋季応用物理学会
    • 発表場所
      愛媛大学,愛媛県
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] ZnO単結晶基板上AlInGaN薄膜の屈折率分散の測定

    • 著者名/発表者名
      羽豆耕治,加賀谷宗仁,秩父重英
    • 学会等名
      2012年秋季応用物理学会
    • 発表場所
      愛媛大学,愛媛県
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Spatio-time-resolved cathodoluminescence study using a femtosecond focused electron beam on freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, S. Nagao, K. Fujito, and A. Uedono
    • 学会等名
      The 39th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2012)
    • 発表場所
      Santa Barbara, CA, USA
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Local carrier dynamics in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy studied using the spatio-time-resolved cathodoluminescence technique

    • 著者名/発表者名
      K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono, and S. F. Chichibu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] Impacts of point defects on the photoluminescence lifetime of Si-doped Al0.6Ga0.4N epilayers grown on an AlN template

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, K. Hazu, Y. Ishikawa, M. Tashiro, H. Miyake, K. Hiramatsu, and A. Uedono
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
    • 発表場所
      Sapporo, Japan
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] 表面入射型パルス光電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるワイドバンドギャップ半導体の評価

    • 著者名/発表者名
      古澤健太郎,石川陽一,田代公則,羽豆耕治,秩父重英
    • 学会等名
      2012年秋季応用物理学会
    • 発表場所
      愛媛大学,愛媛県
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] m面GaN基板上にNH3-MBE成長したAl0.25Ga0.75Nの時間空間分解CL評価-GaN基板のチルトモゼイクが発光特性に及ぼす影響-

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,羽豆耕治,石川陽一,田代公則,古澤健太郎,長尾哲,藤戸健史
    • 学会等名
      2012年秋季応用物理学会
    • 発表場所
      愛媛大学,愛媛県
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [学会発表] 高輝度表面入射型パルス電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるHVPE成長GaN基板の評価

    • 著者名/発表者名
      石川陽一,古澤健太郎,田代公則,羽豆耕治,長尾哲,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英
    • 学会等名
      2013年春季応用物理学会
    • 発表場所
      神奈川工大,神奈川県
    • 関連する報告書
      2012 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.tagen.tohoku.ac.jp/labo/chichibu/index-j.html

    • 関連する報告書
      2013 研究成果報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.tagen.tohoku.ac.jp/labo/chichibu/index-j.html

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書

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公開日: 2010-08-23   更新日: 2019-07-29  

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