| 研究課題/領域番号 |
23560389
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 電気通信大学 |
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研究代表者 |
本城 和彦 電気通信大学, 情報理工学(系)研究科, 教授 (90334573)
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| 研究分担者 |
石川 亮 電気通信大学, 情報理工学研究科, 助教 (30333892)
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| 研究期間 (年度) |
2011 – 2013
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2013年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2012年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2011年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | ナノ電子デバイス / マイクロ波 / 電力利得 / 単電子トランジスタ / テラヘルツ / ＨＥＭＴ / ＨＢＴ / HEMT / HBT / T-CAD / トランスファーレジスタ |
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| 研究概要 |
単電子トランジスタ（ＳＥＴ）の電力利得向上は、回路応用時の動作速度向上に重要な改善要素となる。このためＳＥＴの電力利得向上のメカニズムを検討し、ソース接合厚が電力利得向上のためのキーファクタであることを見出した。この接合厚を1.25nmまで薄くすると、従来の標準的ＳＥＴ構造に比べて39dBの電力利得改善が、直流からTHz帯に亘って実現できる見通しとなった。
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