| 研究課題/領域番号 |
24656234
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 神戸大学 |
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研究代表者 |
相馬 聡文 神戸大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (20432560)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2014年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2013年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2012年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | グラフェン / 歪み / ＦＥＴ / スピントロニクス / 量子ポンプ効果 / 光照射 / 強束縛近似法 / 電界効果型トランジスタ / 低消費電力化 / グラフェンナノリボン / スピン密度汎関数法 / 純粋スピン流 / 歪み誘起擬似磁場効果 / 電界効果トランジスタ / 国際情報交換 / 多国籍 |
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| 研究成果の概要 |
グラフェンを材料とし、歪み、光照射、交流電界、スピン等を素子制御機構として用いた新規素子を提案し、そのシミュレーションによる特性解析を行った。中でも代表的成果として、グラフェンに局所歪みを印加した事によって歪み/無歪み界面に発生する擬似的な磁場を電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の制御に応用した素子を提案し、その特性の理論的予測を行った。その結果、実験的に印加可能な10%以下の小さな歪み印加によって、バンドギャップが存在しないにも関わらず従来のＦＥＴを超える急峻なスイッチング性能が得られ、それによる低消費電力化が可能である事を明らかにした。
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