KAKEN — 研究課題をさがす | 研究者番号: 10023186

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検索結果: 4件 / 研究者番号: 10023186

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1. 高清浄ECRプラズマCVDによる高機能性ナノクリスタルGe膜の作製

研究課題

研究種目	基盤研究(C)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	東京工芸大学
研究代表者	青木彪東京工芸大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	2000 – 2002完了
キーワード	ナノクリスタル / アモルファス / 微結晶 / フォトルミネッセンス / 寿命 / ゲルマニウム / CVD / ECRプラズマ / エピタキシャル / 励起子 / 優先配向 / ECR
研究概要	ECRプラズマCVD法を用いμc-Ge : H(水素化微結晶ゲルマニウム)を成膜した。結晶基板上でμc-Ge : H膜は基板と全ての結晶軸が合致した優先配向成長がみられた。基板温度上昇に伴い結晶化率、優先配向割合は上昇する。しかし、ガラス基板上では(220)配向したμc-Ge : H膜の結晶化率は1 ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (26件)

2. ECRプラズマCVDによる高品質微結晶ゲルマニウム膜の成膜法

研究課題

研究種目	一般研究(C)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	東京工芸大学
研究代表者	青木彪東京工芸大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	1993 – 1994完了
キーワード	ゲルマニウム膜 / ECRプラズマCVD / アモルファス・微結晶相転移 / 光電特性 / HALL移動度 / TFT / 表面電界効果移動度 / 光劣化効果 / ECRプラズマ(P)CVD / アモルファス-微結晶相転移 / プラズマ制御 / ホール移動度 / ゲートしきい値電圧 / ion charge up / 電子衝撃 / 水素エッチング / フォトルミネッセンス特性
研究概要	良質な周波数スペクトルのマイクロ波源による水素希釈ゲルマン・ガスECRプラズマの励起により電子・イオンの制御性を改善し、また反応系の初期到達真空度を10^<-8>Torrオーダにして、Ge膜の高品質成膜を行った。絶縁基板上のGe膜に、マイクロ波電力9〜12W付近でアモルファス・微結晶の相転移が認めら ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (9件)

3. 太陽電池効率向上のための高品質狭バンドギャップ非晶質半導体の成膜法

研究課題

研究種目	一般研究(C)
研究分野	電子材料工学
研究機関	東京工芸大学
研究代表者	青木彪東京工芸大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	1991 – 1992完了
キーワード	水素化非晶質Ge(a-Ge:H) / ECRプラズマCVD / 光電特性 / 水素ラジカル照射 / 電子照射 / イオン照射 / 水素エッチング / アモルファス-微結晶相転移 / 水素化アモルファスゲルマニウム / イオン・電子照射 / 微結晶化 / 基板温度 / 水素希釈度 / 非晶質ゲルマニウム / 太陽電池 / 光電感度 / CPM / 局在準位密度 / フォトルミネッセンス
研究概要	ECRプラズマCVDによるエネルギー・バンド・ギャップ約1.1 eVの非晶質半導体a-Ge:Hの高品質成膜法について平成3〜4年度に亘って行った研究成果の概要はつぎの通りでる。

この課題の研究成果物	文献書誌 (13件)

4. 高効率太陽電池用狭バンドギャップ・アモルファス半導体の高品質成膜法

研究課題

研究種目	重点領域研究
研究機関	東京工芸大学
研究代表者	青木彪東京工芸大学, 工学部, 教授
研究期間 (年度)	1991完了
キーワード	アモルファス半導体 / ゲルマニウム / ECRプラズマCVD / 水素ラジカル照射 / 水素エッチング / 光電感度 / フォトルミネッセンス / 太陽電池
研究概要	本年度は太陽光スペクトラムの長波長帯に感度のある、最も狭いバンドギャップである水素化アモルファス・ゲルマニウム(a‐Ge:H)の高品質成膜法について研究した。考案したヘリカル・アンテナ励起ECRプラズマCVD反応炉でゲルマン・ガスを分解し、一方、エヴァンソン型キャビティによりマイクロ波で水素ラジカル ...

この課題の研究成果物	文献書誌 (3件)