KAKEN — 研究課題をさがす | 研究者番号: 10527576

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研究種目	基盤研究(A)
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	名古屋大学
研究代表者	亀井一人名古屋大学, 未来社会創造機構, 招へい教員
研究期間 (年度)	2013-04-01 – 2017-03-31完了
キーワード	結晶成長 / ドーピング / SiC
研究成果の概要	SiCは次世代パワーデバイス用材料として期待されている。パワーデバイスの低損失化においては、半導体材料の低抵抗化は不可欠であり、ドーピング濃度を高くする必要がある。SiCでは窒素やアルミニウムをドーパントとして用いるが、ドーピング濃度を高くすると積層欠陥が導入されてしまう.本研究では、高品質結晶成長 ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (3件うち査読あり 3件) 学会発表 (4件うち招待講演 1件)