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検索結果: 10件 / 研究者番号: 30401897
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1.
宇宙空間・廃炉現場での動作を可能とする超低損失パワーFETの創出
研究課題
研究種目
基盤研究(C)
審査区分
小区分21060:電子デバイスおよび電子機器関連
研究機関
金沢大学
研究代表者
川江 健
金沢大学, 電子情報通信学系, 准教授
研究期間 (年度)
2020-04-01 – 2023-03-31
完了
キーワード
ダイヤモンド
/
強誘電体
/
電界効果トランジスタ
/
パワーデバイス
/
ガンマ線照射
/
強誘電体ゲート電界効果トランジスタ
/
放射線
研究開始時の研究の概要
本研究では、ダイヤモンドとBFOを融合したFeFETパワーデバイスを開発し、過酷環境での動作を実証する。研究遂行により、放射線照射および高温環境に対するFeFETの耐性限界の要因と解決策を明らかにし、静止軌道および廃炉現場を想定した環境耐性(ガンマ線トータルドーズ:1000Gy/10年、動作温度:3
...
研究成果の概要
本研究では、ワイドギャップ半導体ダイヤモンドと強誘電体Pb(Zr,Ti)O3(PZT)ゲートから成る電界効果トランジスタ(FeFET)を形成し、その過酷環境動作に関する検証を実施した。
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (3件 うち国際共著 1件、査読あり 3件) 学会発表 (9件 うち国際学会 1件、招待講演 1件) 図書 (1件) 産業財産権 (1件)
2.
強誘電体の巨大分極を利用した超低損失ダイヤモンドパワーFETの創出
研究課題
研究種目
基盤研究(B)
研究分野
電子デバイス・電子機器
研究機関
金沢大学
研究代表者
川江 健
金沢大学, 電子情報通信学系, 准教授
研究期間 (年度)
2017-04-01 – 2020-03-31
完了
キーワード
電界効果トランジスタ
/
ワイドギャップ半導体
/
パワーデバイス
/
ダイヤモンド
/
強誘電体
/
Pb(Zr,Ti)O3
/
キャリアオフセット
研究成果の概要
本研究では、ワイドギャップ半導体ダイヤモンドに対し、強誘電体をゲートとした電界効果トランジスタ(FeFET)構造を形成し、従来型パワーデバイスに比する優位性について検証を行った。
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (3件 うち査読あり 3件) 学会発表 (10件 うち国際学会 3件、招待講演 3件)
3.
強誘電体薄膜を用いたReRAM型高機能不揮発メモリの開発と機構解明
研究課題
研究種目
挑戦的萌芽研究
研究分野
電子・電気材料工学
研究機関
金沢大学
研究代表者
森本 章治
金沢大学, 電子情報学系, 教授
研究期間 (年度)
2014-04-01 – 2016-03-31
完了
キーワード
強誘電体
/
不揮発メモリ
/
抵抗変化型メモリ
/
希土類添加ビスマス鉄酸化物
/
書き込み
/
読み出し
/
保持特性
/
疲労特性
/
抵抗変化型
/
酸化物電極
研究成果の概要
NdをドープしたBiFeO3(BNF)強誘電体を用いた抵抗変化メモリ素子(Fe-ReRAM)の作製と評価を行った。
この課題の研究成果物
雑誌論文 (4件 うち査読あり 4件、謝辞記載あり 2件、オープンアクセス 2件) 学会発表 (2件) 図書 (1件) 備考 (2件) 産業財産権 (1件)
4.
巨大残留分極を用いたカーボン系材料の表面キャリア制御
研究課題
研究種目
挑戦的萌芽研究
研究分野
無機材料・物性
研究機関
金沢大学
研究代表者
川江 健
金沢大学, 電子情報学系, 准教授
研究期間 (年度)
2012-04-01 – 2014-03-31
完了
キーワード
ダイヤモンド
/
グラフェン
/
強誘電体
/
電界効果
/
国際情報交換
研究概要
ダイヤモンドはワイドギャップ半導体としての優れた性能に加えて高濃度不純物添加により超伝導が発現する事が知られている。当該分野の将来の発展と現状の打破を目指し、強誘電体(Bi,Pr)(Fe,Mn)O3(BPFM)の巨大分極を利用した表面キャリア制御を提案する。
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (4件 うち査読あり 4件) 学会発表 (20件 うち招待講演 8件)
5.
低環境負荷金属酸化物を用いた中間バンド半導体薄膜の開発と光電特性
研究課題
研究種目
挑戦的萌芽研究
研究分野
電子・電気材料工学
研究機関
金沢大学
研究代表者
森本 章治
金沢大学, 電子情報学系, 教授
研究期間 (年度)
2011 – 2012
完了
キーワード
酸化鉄薄膜
/
Bi系酸化鉄薄膜
/
ショットキー接合
/
強誘電性分極誘起光起電力素子
/
パルスレーザ堆積PLD
/
強誘電体分極誘起光起電力素子
研究概要
母体材料として不純物を添加しない酸化鉄(α-Fe2O3)薄膜及びBi系酸化鉄強誘電体薄膜(BiFeO3)を選択し、パルスレーザ堆積(PLD)法により太陽電池構造を作製した。その結果、α-Fe2O3 薄膜ショットキー太陽電池で明瞭な光起電力特性を確認すると共にα-Fe2O3へのTiやCu添加に対するド
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (11件 うち査読あり 6件) 学会発表 (22件) 図書 (2件) 備考 (3件)
6.
極限環境動作を目指した強誘電体不揮発性メモリデバイスの開発
研究課題
研究種目
若手研究(B)
研究分野
電子・電気材料工学
研究機関
金沢大学
研究代表者
川江 健
金沢大学, 電子情報学系, 講師
研究期間 (年度)
2009 – 2010
完了
キーワード
強誘電体不揮発性メモリ
/
非鉛強誘電体
/
ワイドギャップ半導体
/
ダイヤモンド
/
BiFeO3
/
強誘電体メモリ
/
強誘電体
/
不揮発性メモリ
研究概要
極限環境動作を目指した新規強誘電体不揮発性メモリデバイスの実現を目指し、ワイドギャップ半導体ダイヤモンド上に高キュリー温度非鉛強誘電体BiFeO3(BFO)を堆積した積層構造の作製と特性評価を行った。ボロン添加した導電性ダイヤモンド層上にBFOが結晶化可能である事および良好な強誘電性を示す事が確認さ
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (2件 うち査読あり 2件) 学会発表 (6件)
7.
エルビウム添加強誘電体薄膜の作製と圧電効果を用いた発光制御
研究課題
研究機関
金沢大学
研究代表者
森本 章治
金沢大学, 電子情報学系, 教授
研究期間 (年度)
2008
完了
キーワード
希土類
/
Er
/
LiNbO3
/
BiFeO3
/
パルスレーザアブレーション堆積法
/
PL電界変調
/
LiNbO_3
/
BiFeO_3
/
フォトルミネッセンス
研究成果の概要
LiNbO_3(LN)は優れた電圧性、電気光学特性を持つ強誘電材料として知られており、光導波路などに利用されている。本研究では光変調器への応用をめざし、LNの圧電性をErの発光特性を組み合わせてErの発光の制御を試みた。また、大きな自発分極を有する新しい強誘電体・圧電体であるBiFeO_3(BFO)
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (6件 うち査読あり 6件) 学会発表 (1件) 図書 (3件)
8.
高濃度ボロン添加ダイヤモンド超伝導体薄膜を用いたジョセフソンデバイスの開発
研究課題
研究種目
若手研究(B)
研究分野
電子・電気材料工学
研究機関
金沢大学
研究代表者
川江 健
金沢大学, 電子情報学系, 講師
研究期間 (年度)
2007 – 2008
完了
キーワード
超伝導材料・素子
/
低温物性
/
ダイヤモンド
/
超伝導体
/
ジョセフソン接合
研究概要
ダイヤモンド超伝導体ジョセフソン接合の作製を目指し、高濃度ボロン添加ダイヤモンド薄膜の作製および微細加工プロセスの確立を試みた。
この課題の研究成果物
学会発表 (9件) 備考 (1件)
9.
炭素系化合物の物質探索
計画研究
研究種目
特定領域研究
審査区分
理工系
研究機関
独立行政法人物質・材料研究機構
研究代表者
高野 義彦
独立行政法人物質・材料研究機構, 超伝導線材ユニット, グループリーダー
研究期間 (年度)
2007 – 2011
完了
キーワード
ダイヤモンド
/
カーボンナノチューブ
/
ホウ素
/
超伝導
/
鉄カルコゲナイド
/
グラファイト
/
ドーピング
/
インターカレーション
/
鉄系超伝導
/
超伝導材料・素子
/
半導体物性
/
ナノ材料
/
結晶成長
/
強相関電子系
/
グラフアイト
/
インターかレーション
/
カーボン
/
ナノチューブ
/
金属
/
絶縁体
/
半導体
研究概要
ダイヤモンドやカーボンナノチューブ、フラーレンなどの炭素化合物や配列ナノ空間を有する鉄カルコゲナイド化合物について、試料合成およびキャリア制御等を施し、絶縁体から金属へ、金属から超伝導へと劇的な物性の変化を実現した。
...
研究領域
配列ナノ空間を利用した新物質科学:ユビキタス元素戦略
この課題の研究成果物
雑誌論文 (75件 うち査読あり 71件) 学会発表 (55件) 図書 (4件) 産業財産権 (1件)
10.
エルビウム添加強誘電体薄膜の作製と圧電効果を用いた発光制御
研究課題
研究種目
特定領域研究
審査区分
理工系
研究機関
金沢大学
研究代表者
森本 章治
金沢大学, 自然科学研究科, 教授
研究期間 (年度)
2007 – 2008
完了
キーワード
レーザアブレーション
/
エルビウム
/
ニオブ酸リチウム
/
フォトルミネッセンス
/
発光制御
/
サファイア基板
/
圧電体
/
強誘電体
研究概要
本研究は、導波路材料かつ圧電体であるLiNbO_3(LN)薄膜にエルビウムErを添加して、動的でマクロな応力印加あるいはミクロな非対称強誘電的歪み印加により、そのフォトルミネッセンス(PL)発光を電気的に制御し、光電子デバイス応用しようというものである。
この課題の研究成果物
雑誌論文 (7件 うち査読あり 7件) 学会発表 (3件) 図書 (3件) 備考 (1件) 産業財産権 (1件)