KAKEN — 研究課題をさがす | 研究者番号: 30725049

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検索結果: 7件 / 研究者番号: 30725049

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1. 縦型GeスピントンネルFETの創製

研究課題

研究種目	基盤研究(B)
審査区分	小区分21050:電気電子材料工学関連
研究機関	大阪大学
研究代表者	山田晋也大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2025-04-01 – 2028-03-31採択

2. 全ホイスラーヘテロ接合の高品質化技術の開発による高性能磁気抵抗素子の実現

研究課題

研究種目	研究活動スタート支援
審査区分	0402:ナノマイクロ科学、応用物理物性、応用物理工学およびその関連分野
研究機関	大阪大学
研究代表者	山田晋也大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2024-07-31 – 2026-03-31交付
キーワード	ホイスラー合金 / 磁気抵抗素子 / エピタキシャル成長
研究開始時の研究の概要	本研究では、研究代表者が独自に実証している全ホイスラー構造の「強磁性金属/非磁性体/強磁性金属」三層構造の作製技術を高度化し，低面積抵抗(RA)値・高室温磁気抵抗(MR)比の全ホイスラー型磁気抵抗素子を創製する。具体的には、理想的な「強磁性ホイスラー合金/非磁性ホイスラー合金」ヘテロ接合を実現する技 ...

3. 強誘電体上へのホイスラー型ワイル半金属の薄膜実証とトポロジカル状態の電界制御

研究課題

研究種目	挑戦的研究(萌芽)
審査区分	中区分21:電気電子工学およびその関連分野
研究機関	大阪大学
研究代表者	山田晋也大阪大学, 基礎工学研究科, 助教
研究期間 (年度)	2020-07-30 – 2022-03-31完了
キーワード	ホイスラー合金 / ワイル半金属 / 強誘電体
研究開始時の研究の概要	申請者が独自に開発した単一原子層終端技術を活用し、結晶成長初期の基板表面に界面制御原子層を挿入することで界面エネルギーをコントロールし、極低温でもホイスラー型ワイル半金属の薄膜の原子配列を理想系へと導く新技術を開発する。強誘電体と接合した積層構造において、高移動度に代表されるギャップレス電子構造に起 ...
研究成果の概要	ワイル半金属と理論予測されているホイスラー合金Ti2MnAlの薄膜作製を試みた．薄膜作製時の元素の供給比を非化学量論組成に制御することで，膜中の組成比がほぼ化学量論組成比に制御されたTi2MnAl薄膜の作製に成功した．しかし．ワイル半金属特有の磁気輸送特性の観測には至らず，結晶規則性の改善が鍵である ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (2件うち査読あり 2件) 学会発表 (1件うち国際学会 1件)

4. ホイスラー型新機能スピントロニクス材料の薄膜実証とその応用

研究課題

研究種目	国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(B))
審査区分	中区分21:電気電子工学およびその関連分野
研究機関	大阪大学
研究代表者	浜屋宏平大阪大学, 基礎工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2018-10-09 – 2020-03-31中途終了
キーワード	ホイスラー合金 / スピントロニクス / 分子線エピタキシー
研究実績の概要	スピンギャップレス半導体(SGS)実証に向けた物性探索を目的に，未だ合成例がなく，SGSとしてのバンド構造が予想されている四元等組成ホイスラー合金CoFeVSiに注目し，分子線エピタキシー法を用いた薄膜合成とその磁気伝導特性の調査を行った．研究代表者らが独自に開発した非化学量論組成蒸着法を用いること ...

この課題の研究成果物	国際共同研究 (2件) 雑誌論文 (5件うち国際共著 1件、査読あり 4件、オープンアクセス 1件) 学会発表 (18件うち国際学会 5件)

5. フレキシブルスピンTFTの創製

研究課題

研究種目	挑戦的研究(萌芽)
審査区分	中区分21:電気電子工学およびその関連分野
研究機関	大阪大学
研究代表者	浜屋宏平大阪大学, 基礎工学研究科, 教授
研究期間 (年度)	2018-06-29 – 2020-03-31完了
キーワード	薄膜トランジスタ / フレキシブル / スピン / スピントロニクス
研究成果の概要	本研究では，新しいフレキシブルエレクトロニクス産業基盤となり得る「高性能・低消費電力フレキシブルスピン薄膜トランジスタ(TFT)実現の可能性を探索した．低温ゲートスタック作製技術を用いて，擬似単結晶GeフレキシブルTFTを実証した．フレキシブル基板上に低温形成した擬似単結晶Ge薄膜上への結晶性Co系 ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (2件うち査読あり 2件) 学会発表 (4件うち国際学会 2件)

6. 構造欠陥制御によるホイスラー型熱電変換材料薄膜の低熱伝導率化と高熱電性能の実証

研究課題

研究種目	若手研究
審査区分	小区分21050:電気電子材料工学関連
研究機関	大阪大学
研究代表者	山田晋也大阪大学, 基礎工学研究科, 助教
研究期間 (年度)	2018-04-01 – 2020-03-31完了
キーワード	ホイスラー合金 / 熱電変換材料 / 薄膜 / 熱伝導率
研究成果の概要	近年，低環境負荷の新しい熱電変換材料としてFe系フルホイスラー合金(Fe2VAl, Fe2TiSi等)が注目され始めているが，その作製の難しさから信頼性の高い薄膜作製技術開発や物性評価が十分に行われてこなかった，本研究は，Fe系フルホイスラー合金薄膜の作製技術を確立し，バンド構造由来の電気・熱電物性 ...

この課題の研究成果物	国際共同研究 (1件) 雑誌論文 (3件うち査読あり 3件) 学会発表 (4件)

7. フレキシブル基板上への高性能スピントロニクス材料・デバイスの実証

研究課題

研究種目	挑戦的萌芽研究
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	大阪大学
研究代表者	山田晋也大阪大学, 基礎工学研究科, 助教
研究期間 (年度)	2015-04-01 – 2018-03-31完了
キーワード	フレキシブル / 薄膜トランジスタ / ゲルマニウム / ホイスラー合金 / スピントロニクス
研究成果の概要	本研究では、低消費電力フレキシブル・システムインディスプレイの創製を目指して、薄膜トランジスタ技術と高性能スピントロニクス技術の融合の可能性を独自に探索した。主な研究成果として、(1)ガラス基板およびフレキシブル基板上への大粒径Ge(111)薄膜の低温形成技術の開発、(2)低温作製プロセスを用いた薄 ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (1件うち査読あり 1件) 学会発表 (3件うち国際学会 1件)