KAKEN — 研究課題をさがす | 研究者番号: 70452092

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1. RO1-xFxBiCh2超薄膜における巨大ラシュバ効果の探索

研究課題

研究種目	挑戦的研究(萌芽)
研究分野	応用物理物性およびその関連分野
研究機関	首都大学東京
研究代表者	水口佳一首都大学東京, 理学研究科, 准教授
研究期間 (年度)	2017-06-30 – 2019-03-31完了
キーワード	層状化合物 / BiCh2系層状化合物 / 単結晶 / へき開法 / 薄膜 / 微細加工 / 磁気抵抗 / 量子振動 / 超薄膜化 / デバイス / ネマティック超伝導 / 異方性 / 超伝導 / 強磁場測定 / 輸送測定 / デバイス化 / キャリアドープ
研究成果の概要	BiCh2系層状化合物RE(O,F)BiCh2（REは希土類，Chはカルコゲン）の単結晶育成を行い，RE = La, Pr, NdおよびCh = S, Seについて良質単結晶を得た．得られたLa(O,F)BiSSe単結晶をへき開法により薄膜化し，基盤への転写およびＨａｌｌバー形状への微細加工を行った ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (6件うち査読あり 6件、オープンアクセス 2件) 学会発表 (11件うち国際学会 6件、招待講演 4件) 備考 (2件)

2. Si(001)基板上での傾斜(111)面と単分子層を利用した薄膜形成

研究課題

研究種目	基盤研究(C)
研究分野	応用物性・結晶工学
研究機関	富山大学
研究代表者	斉藤光史富山大学, 地域連携推進機構・産学連携部門, 研究員
研究期間 (年度)	2007 – 2008完了
キーワード	ヘテロエピタキシャル成長 / インジウムアンチモン(InSb) / シリコン(Si) / MBE / InSb / Si
研究概要	本研究では、Si基板上における良質なInSb, AlInSb薄膜の形成を目指した。Si基板上での低消費電力高速論理回路のためのInSb-basedデバイス集積化を将来的な目標とする。Si基板とInSb,AlInSb間の大きな格子不整合の問題を解決するために、1)InSb/Si, AlInSb/Si間 ...

この課題の研究成果物	雑誌論文 (8件うち査読あり 3件) 学会発表 (26件)