検索
研究課題をさがす
研究者をさがす
KAKENの使い方
日本語
英語
全文検索
詳細検索
絞り込み条件
絞り込み
研究期間 (開始年度)
-
検索結果: 6件 / 研究者番号: 90356717
すべて選択
ページ内選択
XMLで出力
テキスト(CSV)で出力
研究データのメタデータを出力
表示件数:
20
50
100
200
500
適合度
研究開始年: 新しい順
研究開始年: 古い順
配分額合計: 多い順
配分額合計: 少ない順
1.
微小錐台におけるエバネッセント光の結合効果による自然放出光の指向性制御
研究課題
研究種目
基盤研究(A)
研究分野
応用物性・結晶工学
研究機関
独立行政法人産業技術総合研究所
研究代表者
王 学論
独立行政法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 研究グループ長
研究期間 (年度)
2012-05-31 – 2015-03-31
完了
キーワード
指向性
/
発光ダイオード
/
エバネッセント光
/
結合
/
リッジ構造
/
錐台構造
/
リッジ
/
円錐台
/
半導体物性
/
光物性
/
先端機能デバイス
研究成果の概要
高い空間指向性を持つ発光ダイオード(LED)は様々な応用分野において強く求められている。このような光源の実現に向けて様々な研究開発がなされてきたが、温度や注入電流などのデバイス動作条件の変化に対して指向性が安定的に得られる技術が未だに確立されていない。本研究では、微小リッジ・錐台構造におけるエバネッ
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (1件 うち謝辞記載あり 1件) 学会発表 (5件 うち招待講演 3件) 産業財産権 (1件)
2.
ナノチューブ近赤外発光を利用した次世代臨床検査システム
研究課題
研究種目
基盤研究(A)
研究分野
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
研究機関
独立行政法人産業技術総合研究所
研究代表者
湯田坂 雅子
独立行政法人産業技術総合研究所, ナノチューブ応用研究センター, 招聘研究員
研究期間 (年度)
2011-04-01 – 2014-03-31
完了
キーワード
ナノ粒子・ナノチューブ
/
臨床検査
/
カーボンナノチューブ
/
近赤外発光
研究概要
本研究では、生体物質透過性が高い近赤外光を使った免疫絵検査方の確立をめざして、近赤外光を発光する単層カーボンナノチューブ(CNT)と抗体との複合体の作成法を確立させ、また、近赤外発光計測に最適な計測機器の開発を行った。
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (2件 うち査読あり 1件) 学会発表 (13件) 産業財産権 (2件)
3.
形状基板によるエバネッセント光の空気伝播光変換技術の研究
研究課題
研究種目
基盤研究(B)
研究分野
応用物性・結晶工学
研究機関
独立行政法人産業技術総合研究所
研究代表者
王 学論
独立行政法人産業技術総合研究所, ナノシステム研究部門, 主任研究員
研究期間 (年度)
2009 – 2011
完了
キーワード
光物性
/
エバネッセント光
/
リッジ構造
/
指向性
/
空気伝播光
/
結合
/
GaAs
/
GaN
/
FDTD
/
光取り出し効率
/
AlGaAs
/
放射パターン
/
MOCVD
/
光取出し効率
/
SiO_2
/
屈折率
研究概要
光学的手法を用いて微細リッジ構造において発現するエバネッセント光の空気伝播光変換現象を調べた。その結果、リッジ表面にSiO_2膜を堆積させると、半導体・SiO_2膜およびSiO_2膜・空気との二つの界面においてエバネッセント光の結合効果が発現し、光の取出し効率が約1.5倍増大されることが判明した。さ
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (5件 うち査読あり 1件) 学会発表 (16件) 図書 (2件) 備考 (2件) 産業財産権 (5件 うち外国 3件)
4.
超高効率化合物半導体量子細線発光ダイオードの開発
研究課題
研究種目
基盤研究(B)
研究分野
電子デバイス・電子機器
研究機関
独立行政法人産業技術総合研究所
研究代表者
王 学論
独立行政法人産業技術総合研究所, ナノテクノロジー研究部門, 主任研究員
研究期間 (年度)
2005 – 2007
完了
キーワード
発光ダイオード
/
光取出し効率
/
自然放出光
/
形状基板
/
量子井戸
/
内部量子効率
/
量子細線
/
指向性
/
V溝基板
/
導波路
研究概要
化合物半導体高効率発光ダイオード(LED)は21世紀の省エネルギー・長寿命の照明光源として大きな注目を集めているが、従来の平坦基板LEDの場合、界面での全反射、電極による遮蔽、基板による吸収などの原因によって半導体内部で発生した光を高い効率で外部へ取り出すことは非常に難しい。本研究は、予め加工を施し
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (3件 うち査読あり 1件) 学会発表 (14件) 産業財産権 (12件 うち外国 4件)
5.
長波長帯面発光量子細線レーザの作製
研究課題
研究種目
基盤研究(A)
研究分野
電子・電気材料工学
研究機関
大阪大学
研究代表者
冷水 佐壽
大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 教授
研究期間 (年度)
2003 – 2005
完了
キーワード
面発光レーザ
/
量子細線
/
InGaAs
/
InAlAs
/
(775)B GaAs基板
/
(775)B InP基板
/
偏光制御
/
分布型ブラッグ反射器
/
InGaAS
/
(775)B GaAs基盤
/
(775)B InP基盤
研究概要
量子細線を面発光レーザの活性層に用いると、電流を増加すると出力された光の偏光方向が90度変わる偏光スイッチの問題が解決できると期待される。細線方向に偏光した光に対して優先的な光学利得をもつからである。長波長帯では、この問題を解決した報告はない。本研究では、高指数面基板上のMBE成長を用いて(i)高密
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (18件) 文献書誌 (3件)
6.
フェムト秒パルス発生回路の研究
研究課題
研究種目
基盤研究(C)
研究分野
電子デバイス・機器工学
研究機関
明星大学
研究代表者
鷹野 致和
明星大学, 理工学部, 教授
研究期間 (年度)
2002 – 2004
完了
キーワード
フェムト秒パルス発生伝播
/
可変容量ダイオード
/
ヘテロ接合
/
GaN
/
GaAlNヘテロ構造
/
有限要素法シミュレーション
/
CV,IV特性
/
CV,IV特件
/
CV, IV特性
/
非線形伝送線路
/
EOサンプリング
/
290フェムト秒パルス
/
ICソリトン
/
分散関係
/
40GHzインピダンス測定
/
位相速度測定
研究概要
1.フェムト秒パルス発生を可能とするヘテロ接合型可変容量ダイオードの設計および試作を行った。まず化合物半導体デバイス設計に実績があるSilvaco社のATLAS/BLAZEソフトを用いて、有限要素法を用いてSI-GaAs上にn-GaAs/p-AlGaAs/n-GaAs構造、SI-InP上にn型InG
...
この課題の研究成果物
雑誌論文 (29件) 図書 (2件) 文献書誌 (11件)