Project Area | Optoelectronics Frontier by Nitride Semiconductor -Ultimate Utilization of Nitride Semiconductor Material Potential- |
Project/Area Number |
18069013
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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Allocation Type | Single-year Grants |
Review Section |
Science and Engineering
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Research Institution | Ritsumeikan University |
Principal Investigator |
NANISHI Yasushi 立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, 教授 (40268157)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
YOSHIKAWA Akihiko 千葉大学, 工学部, 教授 (20016603)
AMANO Hiroshi 名古屋大学, 理工学部, 教授 (60202694)
KISHINO Katsumi 上智大学, 理工学部, 教授 (90134824)
KAWAKAMI Yoichi 京都大学, 工学研究科, 教授 (30214604)
ARAKI Tsutomu 立命館大学, 理工学, 准教授 (20312126)
FUNATO Mitsuru 京都大学, 工学研究科, 准教授 (70240827)
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Research Collaborator |
AKASAKI Isamu 名城大学・名古屋大学, 教授・特別教授・名誉教授
SASAKI Akio 京都大学・大阪電気通信大学, 名誉教授
TAKAHASHI Kiyoshi 東京工業大学・最高裁判所, 名誉教授・専門委員
NISHINAGA Tatau 豊橋技術科学大学・東京大学, 客員教授・名誉教授
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Project Period (FY) |
2006 – 2011
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Project Status |
Completed (Fiscal Year 2011)
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Budget Amount *help |
¥22,300,000 (Direct Cost: ¥22,300,000)
Fiscal Year 2011: ¥3,000,000 (Direct Cost: ¥3,000,000)
Fiscal Year 2010: ¥4,300,000 (Direct Cost: ¥4,300,000)
Fiscal Year 2009: ¥4,300,000 (Direct Cost: ¥4,300,000)
Fiscal Year 2008: ¥4,300,000 (Direct Cost: ¥4,300,000)
Fiscal Year 2007: ¥4,300,000 (Direct Cost: ¥4,300,000)
Fiscal Year 2006: ¥2,100,000 (Direct Cost: ¥2,100,000)
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Keywords | 窒化物半導体 / 光デバイス / 結晶成長 / 半導体物性 / 紫外 / 赤外 / 発光デバイス / 窒化インジウム / 窒化アルミニウム / バンドギャップ |
Research Abstract |
研究成果とりまとめとして、最終成果報告のための公開シンポジウムを下記日程で開催した。 文部科学省 科学研究費補助金 特定領域研究 最終成果報告公開シンポジウム 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現- 日時:平成23年8月3日(水)~4日(木)(2日間) 場所:東京ガーデンパレス(東京都文京区) 参加者:150名 内容:研究代表者(計画研究、全公募研究を含む)に最終成果報告講演各研究課題研究担当者らによるポスターセッション 概要:まずはじめに、領域代表者 立命館大学 名西から、本特定領域全体の目的、構想、研究体制、主な研究成果に関するまとめの発表がなされた。その後、A03短波長デバイス基盤技術総括 名古屋大学 天野、A04長波長デバイス基盤技術総括 上智大学 岸野、A02物性評価総括 千葉大学 吉川、A01結晶成長技術総括 立命館大学 名西から順に各研究項目ごとに得られた成果の総括と各研究成果内容が報告された。その後、第1日目,2日目を通じて、各計画研究、公募研究代表者からの成果発表がなされた。また第1に目の午後には、各研究課題の研究担当者らによるポスタープレゼンテーションが行われ、参加者との活発な研究ディスカッションが繰り広げられた。
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