| Project Area | Optoelectronics Frontier by Nitride Semiconductor -Ultimate Utilization of Nitride Semiconductor Material Potential- |
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| Project/Area Number |
18069006
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Review Section |
Science and Engineering
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| Research Institution | Mie University |
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Principal Investigator |
HIRAMATSU Kazumasa Mie University, 大学院・工学研究科, 教授 (50165205)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
MIYAKE Hideto 三重大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (70209881)
MOTOGAITO Atsushi 三重大学, 大学院・工学研究科, 助教 (00303751)
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| Research Collaborator |
MIYAGAWA Reina 三重大学, 大学院・工学研究科, 大学院生
MA Bei 三重大学, 大学院・工学研究科, 大学院生
LIU Yuhuai 三重大学, 非常勤研究員
LI Dabing 三重大学, 外国人研究者
WU Jiejun 三重大学, 外国人研究者
HU Weiguo 三重大学, 非常勤研究員
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| Project Period (FY) |
2006 – 2010
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2010)
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| Budget Amount *help |
¥71,900,000 (Direct Cost: ¥71,900,000)
Fiscal Year 2010: ¥8,100,000 (Direct Cost: ¥8,100,000)
Fiscal Year 2009: ¥13,600,000 (Direct Cost: ¥13,600,000)
Fiscal Year 2008: ¥8,000,000 (Direct Cost: ¥8,000,000)
Fiscal Year 2007: ¥28,800,000 (Direct Cost: ¥28,800,000)
Fiscal Year 2006: ¥13,400,000 (Direct Cost: ¥13,400,000)
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| Keywords | 窒化物半導体 / エピタキシャル成長 / 貫通転位密度 / クラック / 反り / 無極性 / 深紫外光源 / 電子線励起 / MOVPE / 量子井戸 / 電子線照射 / 紫外線発光 / AlGaN / 転位密度 / a面 / HVPE / 減圧MOVPE / a面GaN / a面AlGaN / 成長圧力 / 選択成長 / 反射光モニタリング |
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| Research Abstract |
In this research, the studies on obtaining high quality AlN and AlGaN with high AlN molar fraction are carried out. High quality AlGaN with high AlN, nonpolar AlGaN and crack-free AlN substrate can be obtained. Furthermore by using these materials, the UV-C light source excited by electron beam is fabricated. The structures which we can obtain strong UV emission are found.
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