Planned Research
Grant-in-Aid for Transformative Research Areas (B)
電場を印加し金属ナノチップ先端近傍の原子や吸着したフラーレン分子の配置や配向を観察しながら、分子から放出された電子を同時に計測できるホルダーを開発する。高電場下にあるフラーレン分子の構造を明らかにする。TEM像の信号ノイズ比(SNR)が悪いと予想されるため、統計的なデーターサイエンスの手法を用いることで(Gauss過程)、プローブ先端表面に接触するのはフラーレン分子の5員環なのか6員環なのか等を明らかにする。