14族ナノシートのデバイス応用

Planned Research

Project Area	Science on group-14 nanosheets
Project/Area Number	24H00852
Research Category	Grant-in-Aid for Transformative Research Areas (B)
Allocation Type	Single-year Grants
Review Section	Transformative Research Areas, Section (II)
Research Institution	National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Principal Investigator	川那子高暢国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (30726633)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥29,770,000 (Direct Cost: ¥22,900,000、Indirect Cost: ¥6,870,000) Fiscal Year 2025: ¥8,320,000 (Direct Cost: ¥6,400,000、Indirect Cost: ¥1,920,000) Fiscal Year 2024: ¥14,170,000 (Direct Cost: ¥10,900,000、Indirect Cost: ¥3,270,000)
Keywords	電界効果トランジスタ / 2次元材料
Outline of Research at the Start	本研究の学術的問いは、『14族ナノシートを机上の空論で終わらせないこと』である。すなわち、グラフェンを凌駕するキャリア移動度などの14族ナノシートに対する理論的予測を実験的に検証する事である。そして14族ナノシートの優れた物性をいかにしてデバイスの機能として最大限に引き出すのかという問題に取り組む。これまでに代表者が先行研究によって確立してきた絶縁膜上への2次元材料微細デバイス作製技術を基に14族ナノシートに適したデバイスプロセスを構築し、キャリア輸送特性や界面現象といったデバイス物理に関する基礎的な知見を得る。得られた知見から14族ナノシートを用いたCMOS回路の動作実証へと応用展開する。