MBE法によるII-VI族化合物半導体の結晶成長とその機構に関する研究
| Project/Area Number |
01604599
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Research Institution | Tokyo University of Technology |
|---|
Principal Investigator |
丸山 享 東京工科大学, 工学部, 教授 (90192351)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
石橋 新一郎 東京工科大学, 工学部, 助教授
三田 陽 東京工科大学, 工学部, 教授 (20200040)
|
|---|
| Project Period (FY) |
1987 – 1989
|
| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1989)
|
| Budget Amount *help |
¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
Fiscal Year 1989: ¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
|
|---|
| Keywords | 分子線エピタキシ / II-VI族化合物半導体 / 結晶評価 |
|---|
| Research Abstract |
GaAs(111)基板上のZnSeについて検討した。Zn:Seフラックス比を1:3とし、基板温度のみ変えて成長を行った。その結果、330℃付近で成長させた場合、最も平坦性のよい成長面が得られた。次に基板温度を330℃とし、フラックス比のみ変えて成長させたところ、Znに対し、Seフラックスを多く(Zn1に対しSe3以上)したとき、よい結果が得られた。成長させたZnSe層について、(001)基板上の場合と同様、2結晶X線回折法により、ロッキングカ-ブの半値幅、GaAsとZnSeの(111)又は(333)回折角の差Δθ,成長面の湾曲度などを測定した。その結果、(001)基板上の成長の場合とは異なり、Δθあるいは半値幅と成長層の厚さとの間には殆んど相関は認められなかった。また、ウエハの湾曲度は極めて小さいか、ほとんど湾曲しておらず、成長層側が凸となるよう湾曲した(001)基板上の成長層の場合とは異なる結果を得た。しかし、回折角の差Δθと基板温度との間には、相関が認められ、Δθは低温ほど大きな値を示した。これらは、<001>と<111>方向とでは原子配列が異なること、GaAsとZnSeとでは熱膨脹係数の温度変化が異なることなどが原因と考えられるが、詳しくはさらに検討中である。
GaAs(111)基板上のCaSeについては、Caソ-スとして3Nのアンプル入りのもの、Seソ-スとしてZnSe用のものを用いた。得られたCaSe成長面の反射電子回折はデバイ・シェラ-パタンを示し、多結晶性であるが、スポット状パタンも得られた。さらに、X線回折では、強い(222)反射が得られ、<111>方向に優先配向していることがわかった。このことは基板温度とも関係し、低温(250℃)よりも高温(360℃)の方が顕著である。今後はもう少し基板温度を変えて、単結晶化の条件を検討する。
|
Report
(1 results)
Research Products
(1 results)
