| Project/Area Number |
01609501
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
八木 克道 東京工業大学, 理学部, 教授 (90016072)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
丹司 敬義 東北大学, 科学計測研究所, 助手 (90125609)
西川 治 東京工業大学, 総合理工学研究科, 教授 (10108235)
高柳 邦夫 東京大学, 理学部, 教授 (80016162)
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| Project Period (FY) |
1989
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1989)
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| Budget Amount *help |
¥42,500,000 (Direct Cost: ¥42,500,000)
Fiscal Year 1989: ¥42,500,000 (Direct Cost: ¥42,500,000)
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| Keywords | 表面顕微鏡 / 光電子顕微鏡 / シリコン表面 / STM / 反射電顕法 / エレクトロマイグレ-ション / 微粒子 |
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| Research Abstract |
超高真空電顕法により、表面エレクトロマイグレ-ションの観察を行い、形成分域の単分域化の観察を行った。又下地表面、吸着表面の異方性に依存したマイグレ-ションの異方性の観察を行った。清掃表面においても電流に依存して表面構造が変化する様子をシリコン(111)面および(001)面についている時電顕法で観察し、表面構造の変化の詳細を観察した。2次元吸着合理相の作製の試みをAu-Cu,Ag-Cu系で行い、Au-Cu系で√<3>構造が形成されるのを見い出した。これはCu-Au相互作用とそれぞれの原子の下地との相互作用によって作られるものである。一方、Ag-Cuでは相互作用が弱いために表面合金吸着構造は出来ない。
電子光電子顕微鏡は、電顕の超高真空化と光電子像観察のための整備を行った。
STMと電顕の組みあわせを行い、表面像を得るのに成功すると同時に、超微粒子の表面構造をAuとGeで観察するのに成功した。
電界放射顕微法、電界イオン顕微法と電子エネルギ-分析の組み合せに成功し、表面像とともにその場所での電子状態の分析も得られるようになった。これをモリブデン-シリコン系に応用した。
電子線ホログラフィ-は回折理論と結像理論を用いてシュミレ-シュン法を確立させ、表面像を得るときの問題点をあきらかにすることが出来た。
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