マイクロプロ-ブ・オ-ジェ電子回折法による金属-半導体初期界面の研究

• Project/Area Number: 01650504
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• Allocation Type: Single-year Grants
• Research Institution: Tohoku University
• Principal Investigator: 河野 省三 東北大学, 理学部, 助教授 (60133930)
• Project Period (FY): 1989
• Project Status: Completed (Fiscal Year 1989)
• Budget Amount: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,300,000); Fiscal Year 1989: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,300,000)
• Keywords: 表面・界面 / 走査電子顕微鏡 / オ-ジェ電子分光 / Si(111)表面 / In吸着表面

Research Abstract

1.マイクロプロ-ブ・オ-ジェ電子回折(μ-probe AED)装置
μ-probe AED装置とは次のような装置である。電子ビ-ムは、電界放射型走査電子顕微鏡(日立S-800)の走査電子ビ-ムを用いている。分析室は2x10-^<-10>torrの超高真空で、UHV-SEMとしての空間分解能は100Åである。RHEEDスポット強度を画像の入力信号とした暗視野像も見ることができる。これらの分析は、「その場」で行える。準備した表面の特定微小領域にprobeビ-ムを固定して、特定極角方向に励起されるオ-ジェ電子強度の方位角分布(オ-ジェ電子回折の方位角パタ-ン)を、特殊な電子分光器(一次元素示型電子分光器)で測定することによつて、μ-probeAEDパタ-ンが得られる。
2.Si(111)4×1-In表面のμ-probeAEDパタ-ン測定
Si(111)4×1-In表面は必然的にdomain(分域)構造を持つ。単分域の4×1領域を捜すことは、μ-probeAED装置を用いれば容易である。このような単分域4×1表面からのIn MNN AEDパタ-ンを測定することができた。現在、これらのAEDパタ-ンの解析を進めている。