分光法による反応性プラズマ内の非発光ラジカル密度測定法の開発
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02214105
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
後藤 俊夫 名古屋大学, 工学部, 教授 (50023255)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
平松 美根男 名城大学, 理工学部, 講師 (50199098)
井上 元 国立環境研究所, 大気圏環境部, 主任研究員 (70101053)
鷲田 伸明 国立環境研究所, 大気圏環境部, 部長 (70101045)
河野 明広 名古屋大学, 工学部, 助教授 (40093025)
廣田 榮治 総合研究大学院大学, 副学長 (30011464)
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| Project Period (FY) |
1990
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1990)
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| Budget Amount *help |
¥17,000,000 (Direct Cost: ¥17,000,000)
Fiscal Year 1990: ¥17,000,000 (Direct Cost: ¥17,000,000)
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| Keywords | RFシランプラズマ / 赤外半導体レ-ザ-吸収法 / リング色素レ-ザ-吸収法 / SiH_3ラジカル / CFラジカル / CF_4プラズマ / レ-ザ-誘起蛍光法 / 光イオン化質量分析法 |
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| Research Abstract |
プロセス用反応性プラズマの定量的研究を行うには、薄膜形成の前駆物質として重要な非発光ラジカルの密度を知る必要がある。本研究の目的は、赤外及び可視レ-ザ分光法を用いたプロセスプラズマ内の非発光ラジカル密度(絶対値)計測法を確立し、RFシランプラズマやエッチング系CF_4プラズマ内のラジカル密度測定を行うことである。また光イオン化質量分析法等による非発光ラジカルの反応速度定数の測定法の研究も行う。
平成2年度研究成果
平成元年度までに赤外半導体レ-ザ-吸収法によるシランプラズマ内のSiH_3ラジカルの密度及び拡散係数等の測定、SiH_2の赤外スペクトルの解明、直流パルスCF_4プラズマ内のCFラジカル密度の測定、飽和レ-ザ-誘起蛍光法によるA係数測定法の確立等を行った。また光イオン化質量分析法を用いて炭化水素系非発光ラジカルの反応速度定数を測定した。平成2年度はそれらの結果を発展させて次の成果を得た。
1.赤外半導体レ-ザ-吸収法を用いて、RF励起CF_4プラズマ内のCFラジカルの密度及びその空間分布を測定した。
2.同じ方法を用いてRFシランプラズマ内のSiH_3ラジカル密度とaーSi:H薄膜成長速度との相関を測定した。
3.リング色素レ-ザ-吸収法を用いたSi原子密度測定法を確立し、RFシランプラズマ内の密度を測定した。
4.飽和レ-ザ-誘起蛍光法を用いてSiH_2の可視振動回転線のA係数測定をすすめつつある。
5.光イオン化質量分析法を用いてハロゲン化有機ラジカルの反応速度定数を測定した。
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Report
(1 results)
Research Products
(17 results)
