酸化物高温超伝導体超薄膜のエピタキシャル多層成長と3端子デバイスへの応用
| Project/Area Number |
02226211
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
小田 俊理 東京工業大学, 工学部, 助教授 (50126314)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
川合 真紀 東京工業大学, 工業材料研究所, 客員教授 (70177640)
座間 秀昭 東京工業大学, 工学部, 助手 (50206033)
松村 正清 東京工業大学, 工学部, 教授 (30110729)
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| Project Period (FY) |
1990
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1990)
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| Budget Amount *help |
¥3,500,000 (Direct Cost: ¥3,500,000)
Fiscal Year 1990: ¥3,500,000 (Direct Cost: ¥3,500,000)
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| Keywords | 高温超伝導 / エピタキシャル成長 / 原子層エピタキシ- / 超伝導トランジスタ / YBaCuO / MOCVD |
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| Research Abstract |
CVDモ-ド原子層エピタキシ-法によるY系超伝導膜の低温成長およびデバイスプロセスの基礎に関する研究を行ない以下の成果を得た。
1.CVD原料を同時に供給する方法において、酸化剤にN_2Oを用い、基板温度T_S=525℃でペロブスカイト構造を実現し、T_S=610℃でT_C=15K、T_S=650℃でT_C=83Kの超伝導膜を得た。
2.CVD原料を交互供給するlayerーbyーlayer成長において、酸化モ-ドを各原子層ごとに行なう場合と、サブユニットごとに行なう場合を比較した。また、基板に接する第1層目の金属をCuとBaの比較を行なった。この結果、T_S=550℃の時、第1層目をBaとして1原子層ごとに酸化した場合に結晶性の良好な3層ペロブスカイト構造を得た。
3.原子層エピタキシ-における表面分子の吸着脱離特性を質量分析法およびX線光電子分光法によりしらべ、Cu(DPM)_2を原料としてセルフリミティング機構を実現できることを初めて示した。
4.T_S<500℃の低温化を目指して紫外光アシストCVD法によりCuーβジケトン原料を分解して、低温で成膜速度が増加すること、Cu膜の結晶性が向上して電気抵抗が1.7x10^<ー6>Ωcmというバルク並みの薄膜を得た。
5.電子ビ-ム露光技術により幅100nmの微細超伝導パタ-ンを形成し電流電圧特性を測定した。
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Report
(1 results)
Research Products
(6 results)
