| Project/Area Number |
02232212
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
岩澤 康裕 東京大学, 理学部, 教授 (40018015)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
大西 洋 東京大学, 理学部, 助手 (20213803)
有賀 哲也 東京大学, 理学部, 助手 (70184299)
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| Project Period (FY) |
1990
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1990)
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| Budget Amount *help |
¥1,400,000 (Direct Cost: ¥1,400,000)
Fiscal Year 1990: ¥1,400,000 (Direct Cost: ¥1,400,000)
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| Keywords | EXAFS / CVD / 走査トンネル顕微鏡 / レ-ザ-・デポジション |
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| Research Abstract |
半導体表面上への金属膜成長の初期過程の解明を目的として、以下の研究を行なった.
1.偏光全反射蛍光EXAFSー予備実験およびその場測定装置の開発.
Si表面上へのCu(DPM)_2のCVD成長を行ない、高エネルギ-物理学研究所放射光実験施設において、偏光全反射蛍光EXAFSの測定をおこなった.充分なS/B比のスペクトルが得られ、偏光依存性による表面構造の解析が可能であることがわかった.この結果を受けて、界面形成過程のその場追跡が可能な偏光全反射蛍光EXAFS装置の開発を行なった.これは、CVD成長時の気相成分の質量分析と、成長表面の偏光全反射蛍光EXAFS測定が可能な装置である.
2.表面反応追跡用超高真空走査トンネル顕微鏡(STM)装置の開発.
表面光化学反応容器を直結した超高真空STM装置を開発した.これは、比較的高圧条件で成長中の表面を直ちに超高真空槽に移送してSTM観察を可能とするものである.成長中に紫外光を照射し、その効果を検討することも重要な目的の一つである.このSTM本体は、大気中で金蒸着膜等を試料として原子レベル分解能が得られることを確認している.今後は、光励起による金属ー半導体界面形成の典型例として、Si(001)ー(2×1)表面上へのGa(CH_3)_3の光励起堆積過程についての検討を進める予定である.
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