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¥12,500,000 (Direct Cost: ¥12,500,000)
Fiscal Year 1991: ¥12,500,000 (Direct Cost: ¥12,500,000)
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| Research Abstract |
酸化物高温超伝導体YBCO薄膜エピタキシの清浄表面をUHVアニ-ルにより得る方法を確立して,大気成分ガスの表面への影響を明らかにした。酸素,窒素,水素,一酸化炭素,水蒸気について調べた。いずれのガス成分も表面吸着があるが,酸素はUHV放置だけで離脱した。窒素だけは強劣な毒性を発揮して,YBCO清浄表面に一度吸着すると表面結晶性に強い劣化をおこした。10^<ー5>Torrの低圧でさえ強い劣化をおこした。
ArFエキシマ・レ-ザ法により高誘電率SrTiO_3のエピタキシャル成長,SrTiO_3/YBCOヘテロエピタキシャル成長,CaTiO_3/SrTiO_3ヘテロエピタシャル成長をおこなった。結晶性を向上させることにより分極電子密度として6×10^<13>(電子/cm^2)を得ることができた。CaTiO_3のヘテロエピタキシは世界的にも初めてのことであり今後の誘電体人工設計研究の基礎ができた。
上記のヘテロ構造ウェハをエキシマ・レ-ザ選択成長法により作製して超伝導体の電界効果実験をおこなった。MISFET素子構造において,ゲ-ト電圧の印加により表面超伝導層の電子状態を変調することに成功した。超伝導体の中に直流MIS電界が侵入することを初めて実証する多くのデ-タを得た。工学的には超伝導トランジスタが誕生したことで大変に意義深いものである。FETの動作は半導体バンドモデルにより矛盾なく説明できることが分かり,高温超伝導体の電子状態をバンドモデル記述できることを直接示すことができた。
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