酸化物高温超伝導体超薄膜のエピタキシャル多層成長と3端子デバイスへの応用
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03210213
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
小田 俊理 東京工業大学, 工学部, 助教授 (50126314)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
川合 真紀 理化学研究所, 主任研究員 (70177640)
座間 秀昭 東京工業大学, 工学部, 助手 (50206033)
松村 正清 東京工業大学, 工学部, 教授 (30110729)
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| Project Period (FY) |
1991
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1991)
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| Budget Amount *help |
¥3,000,000 (Direct Cost: ¥3,000,000)
Fiscal Year 1991: ¥3,000,000 (Direct Cost: ¥3,000,000)
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| Keywords | 高温超伝導 / エピタキシャル成長 / 原子層エピタキシ- / MOCVD / 光アシスタントCVD |
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| Research Abstract |
原子層制御CVD法によるY系高温超伝導膜の低温成長と超伝導マイクロデバイスプロセスの基礎に関する研究を行ない、以下の成果を得た。
1.βジケトン金属錯体とN_2Oを原料とする熱CVD法でY系酸化物の超伝導膜を得られる条件範囲を調べた。Ba原料にはフェナンスロリン付加体を利用して安定供給を図った。基板温度592℃でオンセット臨界温度90K、ゼロ抵抗温度84Kの超伝導膜を、基板温度633℃ではオンセット臨界温度94K、ゼロ抵抗温度88Kの高温超伝導薄膜を作製できた。低温成長により表面モホロジ-も改善され、サブミクロンスケ-ルのデバイス作製が可能になった。
2.水銀増感法により紫外線アシストの効果を増幅すると共に、N_2Oを反応性ガスとして、さらに低温での結晶成長をめざした。Cuβジケトン錯体は120℃から分解堆積が認められた。Y,Ba,Cuそれぞれのβジケトン錯体を紫外光励起により分解したところ、基板温度215℃という低温でY:Ba:Cu組成比1:2:3の膜を堆積できた。
3.CVD成長表面のその場光学診断技術を開発した。波長780nmのレ-ザ-ダイオ-ド光の基板上での反射率がY、Ba、Cu原料と酸素を交互に供給した場合に振動することを観測できた。
4.超伝導微細構造デバイスの作製プロセスを検討した。シリコン基板上に、PMMA/A1/PMMAを順次積層した多層レジスト構造を作製し、電子ビ-ム露光を行なったところ、幅30nmのレジストパタ-ンを形成することができた。A1の微細加工には四塩化炭素を用いたECRプラズマエッチングを行った。さらに下層レジストもECR酸素プラズマによるアッシングを行った。微細超伝導デバイス作製の基礎プロセスを確立できた。
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Report
(1 results)
Research Products
(12 results)
