超急冷体と酸化銅基板とのその場反応法による超伝導テ-プの作製

Research Project

Project/Area Number	03210214
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Allocation Type	Single-year Grants
Research Institution	Tokyo Institute of Technology
Principal Investigator	吉村昌弘東京工業大学, 工業材料研究所, 教授 (10016826)
Project Period (FY)	1991
Project Status	Completed (Fiscal Year 1991)
Budget Amount *help	¥2,200,000 (Direct Cost: ¥2,200,000) Fiscal Year 1991: ¥2,200,000 (Direct Cost: ¥2,200,000)
Keywords	酸化物高温超伝導体 / 超伝導テ-プ / その場反応
Research Abstract	セラミックス高温超伝導体の応用を考えるには金属の基体と複合化したテ-プ状の資料をいかに作製するかが問題となっている。本研究では我々が開発しているBi‐Sr‐Ca‐Oの超急冷膜と基板上の酸化銅との反応により基板上に超伝導厚膜をその場合成する手法を検討した。その結果以下の成果が得られた。 1)銅基板を用いて820〜860℃に加熱すれば15分程度の短時間でc軸配向した2212相が得られる。 2)銅パイプを用いると2212相が得られにくく過剰なCuOが生成する。 3)銀パイプ内に銅をメッキして生成するCuOの量を制限すると2201相がでやすい。 4)銀基板上に銅をメッキした場合にはc軸配向した2212膜が得られる。 5)一方向凝固、圧延など行えばさらにa軸配向を起こさせる可能性がある。