摂動角相関法による金属人工格子界面構造の研究

Research Project

Project/Area Number	03240210
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Allocation Type	Single-year Grants
Research Institution	Tokyo Gakugei University
Principal Investigator	金沢育三東京学芸大学, 教育学部, 助教授 (00134768)
Project Period (FY)	1991
Project Status	Completed (Fiscal Year 1991)
Budget Amount *help	¥600,000 (Direct Cost: ¥600,000) Fiscal Year 1991: ¥600,000 (Direct Cost: ¥600,000)
Keywords	スパッタリング / Cu‐Hf金属多層膜 / 固相反応 / 非晶質化 / 局所構造 / TDPAC / 最大エントロピ-法 / 結晶化
Research Abstract	本研究ではスパッタリング法で CuーHf金属多層膜を作製し、さらに焼鈍することで固相反応を起こさせ非晶合金を得ることを試みた。CuーHf金属多層膜は高周波マグネトロンスパッタにより作製し、実験では層厚が異なる3種類の試料を用いた。それぞれの試料は100℃ステップの焼鈍を行ない非晶質化、さらには結晶化させていき,その局所構造の変化を TDPACの測定により調べた。3種類の試料は積層周期が110A^^○〔Cu54A^^○/Hf56A^^○〕,440A^^○〔Cu228A^^○/Hf218A^^○〕,2000A^^○〔Cu1000A^^○/Hf1000A^^○〕で、ト-タルの厚さはすべて10000A^^○である。TDPAC測定はfastーfast系で4検出器により行なった。またTDPACスペクトルの解析は最大エントロピ-法によった。X線測定により、Hf層及びCu層はそれぞれ(002)面及び(111)面に垂直方向に成長することがわかった。また層厚110A^^○の場合、作製時ですでに非晶質化されていることがわかった。層厚440A^^○の場合、400ﾟCの焼鈍により非晶質化された。また層厚2000A^^○の場合500ﾟCの焼鈍により非晶質化された。非常に興味深いのは、層厚440A^^○及び2000A^^○の場合、作製時、比較的きれいな層になっているにもかかわらず、Hf層内のTDPACスペクトルは Hf結晶が非常にひずんでいることを示めしている。またVzzもHCPHf結晶に比して高く、この傾向はNbーHfーNb多層膜の結果と類似なものとなっている。これらのひずみが非晶質化にともない減少することから Hf層内の大きなひずみが非晶質化に対し非常に重異な役割をはたしているものと考えられる。