炭化珪素超微粒子の焼結により極性面上に成長した二次粒子

Research Project

Project/Area Number	03243229
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Allocation Type	Single-year Grants
Research Institution	Meijo University
Principal Investigator	安藤義則名城大学, 理工学部, 教授 (30076591)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	大河内正人名城大学, 理工学部, 講師 (50076626)
Project Period (FY)	1991
Project Status	Completed (Fiscal Year 1991)
Budget Amount *help	¥2,100,000 (Direct Cost: ¥2,100,000) Fiscal Year 1991: ¥2,100,000 (Direct Cost: ¥2,100,000)
Keywords	炭化珪炭(SiC) / 超微粒子 / 焼結 / 極性面 / 2次粒子 / 結晶成長
Research Abstract	遊離Siを多く含むSic超微粉にBを1%添加して,1700〜1950℃で焼結すると,八面体を基本とする多面体状のβーSiC結晶が成長し,その時定の表面にSiCの2次粒子がエピタキシャル成長する。SEM観察からその2次粒子が成長している面は極性面の一つである{111}面であることは結論されたが,それがSi面であるかC面であるかの絶対極性はまだ決定できていない。熱腐融あるいは化学腐触を行い微分千渉顕微鏡で極性面の特微を明らかにしようとしたが,まだ有意な結論は得られていない。前半の極性面上に2次粒子が成長することに重点を置いた研究成果は、1991年7月に名古屋で開かれたVapor GrowthとEpitaxyの国際会議(ICVGEー7)で報告した。論文としてはJpm.J.Appl.Phys.に投稿したが,絶対極性が決っていないということでリジェクトされたので,現在それを修正して再投稿中である。また,2次粒子の成長の様子と母結晶の双晶との間に密接な関係があることを明らかにし,今夏サンジェブで開かれる結晶成長国際会議(ICCGー10)で発表する予定で,そのProc.をJ.Cryst.Growthに投稿中である。 2次粒子が成長する条件よりもBを多く添加して焼結温度を高くすると板状のαーSiCが成長しやすい。その板状結晶の表面の成長模様は微分千渉顕微鏡の格好の試料であり,極性と成長模様の対応付けを行ってその成果をまとめようとしている段階でもある。