シリコン上ゲルマニウム及び強誘電膜ヘテロ界面の形成制御と高分解能構造解析

Research Project

Project/Area Number	03243230
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Allocation Type	Single-year Grants
Research Institution	Ritsumeikan University
Principal Investigator	城戸義明立命館大学, 理工学部, 教授 (40224993)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	原見忠彦立命館大学, 理工学部, 助教授 (00066721) 中山康之立命館大学, 理工学部, 教授 (40027040)
Project Period (FY)	1991
Project Status	Completed (Fiscal Year 1991)
Budget Amount *help	¥4,700,000 (Direct Cost: ¥4,700,000) Fiscal Year 1991: ¥4,700,000 (Direct Cost: ¥4,700,000)
Keywords	シリコン / ゲルマニウム / 強誘電膜 / ヘテロ界面 / イオン散乱 / 透過電顕断面像 / 計算機シミュレ-ション
Research Abstract	今年度の研究実績は次の3点に集約することができる。 (1) 超高真空槽にKーセルとRHEEDを取り付け,RHEEDによるSi清浄表面の観察を行った。Kーセルは真空チェックと簡単な加熱テストのみ行い、着蒸は直線導入膜厚計の導入('92年5月)後に実施する。 (2) 高真空下(〜10^<-8>torr)水素終端したSi(100)にGeを蒲く(100A^^°)蒸着し,アニ-ル後のGe結晶性及び界面の構造をRHEEDとMEIS(175keV He^+ビ-ム)で調べた。600℃ 24hアニ-ルではアモルファス,1000℃ 1minのランプアニ-ルでは良好な結晶性が観察された。現在,詳細なデ-タ解析を実施中。 (3) 表面より約1000原子層深さまでの入射粒子軌道をモンテカルロシミュレ-ションで追い,チャネリングイオンの後方散乱スペクトルを解析するプログラムを開発した。本プログラムを,結晶構造の部分的に乱れたGaP結晶に適用し、欠陥の深さ方向分布を導出した。今後は,超高真空下で(10^<-10>Torr)基板温度,蒸着速度を正確にコントロ-ルしてGe/Sc(111)on Ge/Si(100)ヘテロ界面形成を行い,イオンチャネリング及び透過電顕断面像による測定観察を行う。又、1992年度科研費より更に1本のKーセルを導入し,第3の原子層(1原子層以下)をSi上にのせ,表面エネルギ-を緩和させることによってヘテロ界面の構造制御を実施したい。