| Project/Area Number |
03555064
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
電子材料工学
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| Research Institution | Waseda University |
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Principal Investigator |
大泊 巌 早稲田大学, 理工学部, 教授 (30063720)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
柏木 正弘 (株)東芝ULSI研, 研究第2部, 研究主幹
川原田 洋 早稲田大学, 理工学部, 助教授 (90161380)
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| Project Period (FY) |
1991 – 1993
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1992)
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| Budget Amount *help |
¥13,500,000 (Direct Cost: ¥13,500,000)
Fiscal Year 1992: ¥6,500,000 (Direct Cost: ¥6,500,000)
Fiscal Year 1991: ¥7,000,000 (Direct Cost: ¥7,000,000)
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| Keywords | シングルイベント効果 / ソフトエラー / ラッチアップ / 超LSI / 人工衛星 / 放射線 / シングルイオン / イオンマイクロプローブ / ソフトエラ- / 単一イオン / イオンマイクロプロ-ブ |
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| Research Abstract |
本年度は、放射線耐性評価システムの開発とデバイスに対する照射実験を並行して行った。
1.放射線耐性評価システムの開発
高精度照準のため平成3年度に6軸ゴニオメータの導入を行い、現在0.1μmの移動精度、1μmの絶対位置決め精度を確認している。また、ゴニオメータを動かすことによる、シングルイベント耐性のマッピング実験に成功した。また、イオン入射角を変化させた際のシングルイベント耐性の評価にも成功した。
また、これまでにI-V,C-V測定装置として使用されてきた測定器を、本システムの制御に使用しているコンピュータに統合した。これに併せ、イオンを照射しつつ電気的特性を評価するための試料ホルダーを製作し、トータルドーズ耐性評価実験に利用している。
さらに、デバイスの放射線耐性の温度依存性を評価する為の試料温度制御機構を導入し、現在立ち上げのための試運転を行っている。
2.デバイスに対する照射実験
シングルイベント耐性評価実験としては、市販64kbit SRAMに対しシングルイオン照射実験を行い、ソフトエラー耐性の照射部位依存性の評価した。また、宇宙空間での使用のために開発された64kbit SRAMに対して照射実験を開始した。デバイスの電源電圧を下げることで等価的に高LET、高エネルギーの重イオンを照射したのと同様の効果が得られることを利用して、ソフトエラー発生部位の電源電圧依存性からソフトエラー耐性の定量的な評価を行った。
トータルドーズ耐性評価実験としては、テストデバイス上の20×20μmのゲート領域を持つMOSFETに対し、任意個のイオンを照射し、FETの電気的特性の変化を評価した。
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