| Project/Area Number |
03650007
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| Research Category |
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Applied materials
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| Research Institution | The University of Electro-Communications |
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Principal Investigator |
名取 晃子 電気通信大学, 電気通信学部, 助教授 (50143368)
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| Project Period (FY) |
1991
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1991)
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| Budget Amount *help |
¥600,000 (Direct Cost: ¥600,000)
Fiscal Year 1991: ¥600,000 (Direct Cost: ¥600,000)
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| Keywords | ステップバンチング / Si(111)微斜面 / TSKモデル / 7×7構造相転移 / ステップ |
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| Research Abstract |
Si(111)微斜面での7×7再構成に起因した、等間隔ステップ配置とステップバンチング構造間の相転移機構を調べた。
正方格子のTSK(terrace step kink)モデルを用いて、モンテカルロ シミュレ-ションを行なった。ステップ端でのボンド切断エネルギ-εとn×1表面再構成に伴うエネルギ-利得工を考慮し、温度Tでの平衡ステップ配置と平均ステップ間隔との相関を調べた。
再構成温度Tcより高温側(I=0)では各テラス面は等価であるのに対し、Tcより低温側(I>0)では、微斜面は量子化された広いテラス面とステップバンチング領域より構成されている。以上の結果は、1992年春の物理学会で発表する予定である。
現在、ステップ構造の微斜角依存性、温度依存性の解析中である。更に、より現実に即した系へとモデルの拡張を行なっている。
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