原子配位の直接測定による不純物自己補償機構及び不活性化機構の解明
| Project/Area Number |
03650260
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| Research Category |
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
電子材料工学
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
竹田 美和 名古屋大学, 工学部, 教授 (20111932)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
大柳 宏之 電子技術総合研究所, 電子基礎部, 主任研究官
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| Project Period (FY) |
1991
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1991)
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| Budget Amount *help |
¥1,700,000 (Direct Cost: ¥1,700,000)
Fiscal Year 1991: ¥1,700,000 (Direct Cost: ¥1,700,000)
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| Keywords | 原子配位 / 蛍光EXAFS / 自己補償機構 / 不活性化機構 / 規則ー不規則配列 |
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| Research Abstract |
不純物局所構造観察用EXAFS装置 蛍光EXAFS測定装置はビ-ムライン4とビ-ムライン13に設置してある。ビ-ムライン13の蛍光EXAFS測定装置では、ビ-ムライン4のものに比べてX線強度が10倍強く、SSDのカバ-する蛍光X線検出の立体角が10倍に設計されており、希釈混晶、不純物、あるいは1原子層以下の表面層の測定用である。現在は立ち上げ中であるが、平成4年2月からのビ-ム利用時間においてその基礎実験を行い、Si中のFeに関しては10^<15>cm^<-3>でも明瞭にEXAFS振動が観測され、InP中のSeに関してもEXAFS振動が観測されている。InP中のSeについては、より低濃度の測定にはAsフィルタ-が必要であることが明かとなり、次回のビ-ムタイムには本格的実験が開始される予定である。ビ-ムライン4の測定装置でも、既に10^<19>cm^<-3>の希釈混晶の測定に成功しており、ビ-ムライン13では、単純に外挿して10^<17>cm^<-3>の真の意味の不純物レベルの局所構造が測定でき、また、同濃度であれば1/100の時間で測定可能と見積られる。
規則混晶における局所構造 OMVPE成長によるGaAsに格子整合したGaInPにおいては、III族副格子点での原子の規則配列が観測されている。それと同時に、エネルギ-ギャップの成長温度依存性が観測されており、その原因について明確な物理的根拠が見いだされていない。エネルギ-ギャップに一次的な影響を与える、原子間臨離と、規則ー不規則配列を調べるため、新しい全反射モ-ドの蛍光EXAFS測定を行った。得られた結果では、原子間距離に明白な成長温度依存性があり、また、規則ー不規則配列によるエネルギ-ギャップのジャンプは、原子種の規則ー不規則配列によることが明かとなった。
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Report
(1 results)
Research Products
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