| Project/Area Number |
03650260
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| Research Category |
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
電子材料工学
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
竹田 美和 名古屋大学, 工学部, 教授 (20111932)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
大柳 宏之 電子技術総合研究所, 電子基礎部, 主任研究官
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| Project Period (FY) |
1991
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1991)
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| Budget Amount *help |
¥1,700,000 (Direct Cost: ¥1,700,000)
Fiscal Year 1991: ¥1,700,000 (Direct Cost: ¥1,700,000)
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| Keywords | 原子配位 / 蛍光EXAFS / 自己補償機構 / 不活性化機構 / 規則ー不規則配列 |
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| Research Abstract |
不純物局所構造観察用EXAFS装置 蛍光EXAFS測定装置はビ-ムライン4とビ-ムライン13に設置してある。ビ-ムライン13の蛍光EXAFS測定装置では、ビ-ムライン4のものに比べてX線強度が10倍強く、SSDのカバ-する蛍光X線検出の立体角が10倍に設計されており、希釈混晶、不純物、あるいは1原子層以下の表面層の測定用である。現在は立ち上げ中であるが、平成4年2月からのビ-ム利用時間においてその基礎実験を行い、Si中のFeに関しては10^<15>cm^<-3>でも明瞭にEXAFS振動が観測され、InP中のSeに関してもEXAFS振動が観測されている。InP中のSeについては、より低濃度の測定にはAsフィルタ-が必要であることが明かとなり、次回のビ-ムタイムには本格的実験が開始される予定である。ビ-ムライン4の測定装置でも、既に10^<19>cm^<-3>の希釈混晶の測定に成功しており、ビ-ムライン13では、単純に外挿して10^<17>cm^<-3>の真の意味の不純物レベルの局所構造が測定でき、また、同濃度であれば1/100の時間で測定可能と見積られる。
規則混晶における局所構造 OMVPE成長によるGaAsに格子整合したGaInPにおいては、III族副格子点での原子の規則配列が観測されている。それと同時に、エネルギ-ギャップの成長温度依存性が観測されており、その原因について明確な物理的根拠が見いだされていない。エネルギ-ギャップに一次的な影響を与える、原子間臨離と、規則ー不規則配列を調べるため、新しい全反射モ-ドの蛍光EXAFS測定を行った。得られた結果では、原子間距離に明白な成長温度依存性があり、また、規則ー不規則配列によるエネルギ-ギャップのジャンプは、原子種の規則ー不規則配列によることが明かとなった。
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