| Project/Area Number |
04204012
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | Kyoto University |
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Principal Investigator |
藤田 茂夫 京都大学, 工学部, 教授 (30026231)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
中山 隆史 千葉大学, 理学部, 助手 (70189075)
藤安 洋 静岡大学, 工学部, 教授 (60022232)
小長井 誠 東京工業大学, 工学部, 教授 (40111653)
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| Project Period (FY) |
1992
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1992)
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| Budget Amount *help |
¥15,000,000 (Direct Cost: ¥15,000,000)
Fiscal Year 1992: ¥15,000,000 (Direct Cost: ¥15,000,000)
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| Keywords | 半導体量子構造 / 超格子 / レーザ / バンド構造 / 電子状態 |
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| Research Abstract |
1.マイクロ波プラズマ励起窒素添加法を開発し、ZnSeにおいて9×10^<17>cm^<-3>までの有効アクセプタ密度を持つp型結晶を得た。これをもとに、ZnCdSe/ZnSe量子井戸構造において、77Kでのレーザパルス発振を観測し得た。また、ZnSe/GaAs超格子において、各層厚が100Å以下の短周期性を持つものが得られ、界面急峻性が2分子層程度であることが明かとなった。
2.ZnSeへのNドーピングにおいて、ALE法が有効であることが明かとなった。N_2ガスをドーピング原料に用い、W-フィラメントを用いたホットワイヤ法によって、Nの取り込まれ効率が向上することが判明した。また、Ga空孔が規則配列したGa_2Se_3は吸収係数や屈折率に大きな異方性を持つことが判明し、新しい光デバイス用材料としての特長が明かとなった。
3.HWE法によるZnSeへのN添加による、1.2×10^<17>cm^<-3>の正孔密度を得た。さらに、ZnSe-ZnTe超格子により、ZnTeの場合と比べて1桁高い2.3×10^<18>cm^<-3>の正孔密度を得た。CdSSeTe-ZnS超格子EL素子を作製し、超格子の組成、周期とEL発光特性の関係を調べ、格子不整合の効果を受けたバンド構造の変化によって高輝度発光が得られることが明かとなった。
4.第一原理の理論計算により、II-VI族半導体のすべての組合せについての電子状態とバンドオフセットを求めた。これにより、変形ポテンシャルを含めて歪環境下での電子状態に関するデータベースを作成した。また、異結晶型超格子系の電子状態を第一原理の計算を用いて求め、折り返されたバルクのバンド間の相互作用は小さい、オフセットの発生要因が結晶型により異なる、等の結果を得た。
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