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¥2,500,000 (Direct Cost: ¥2,500,000)
Fiscal Year 1992: ¥2,500,000 (Direct Cost: ¥2,500,000)
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| Research Abstract |
プロセス中の気相素過程における中間反応種のin Situな計測法として,レーザー分光法は大変有用である。本研究ではレーザー誘起蛍光(LIF)法と共鳴多光子イオン化(REMPI)法を用いて,光プロセス中の温種ラジカルの密度や速度分布を,高い時間・空間分解能で計測する技術を開発し,表面との反応を含めたプロセス動力学の解明を行なおうとするものである。
本年度は本重点領域研究の最終年度にあたるが,さらにLIF法を表面相互作用の計測に拡張するため,レーザーアブレションの際の放出粒子の速度分布等をLIFとTOF(飛行時間測定)を組合せた方法で解明する研究を行った。これまでの主な成果をまとめると以下の通りである。
1.ジシランのArFレーザによる一光子分光解によって生成した各種ラジカルを,LIFとREMPI(共鳴多光子イオン化法)で観測し,その拡散・反応過程を研究した。測定したのは,Si,Si^*,SiH,Si_2,HでSiH_3は検知することができなかった。
2.高温超伝導膜生成の際に重要なArFレーザでアブレイトしたYBaCuOプルーム中のBa,BaO,YOなどの粒子をLIF-TOF計測し,その速度分を求めた。
3.ArFレーザーでアブレイトした粒子群のガス中での運動や基板近傍ディテクターアレイでそのLIFを見ることによって一次元的に観測した。
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