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原子レベルでの結晶成長機構(総括班)

Research Project

Project/Area Number 04227103
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

Allocation TypeSingle-year Grants
Research InstitutionThe University of Tokyo

Principal Investigator

西永 頌  東京大学, 工学部, 教授 (10023128)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 藤本 正友  和歌山大学, 経済学部, 教授 (50251640)
武居 文彦  東京大学, 物性研究所, 教授 (60005981)
佐々木 昭夫  京都大学, 工学部, 教授 (10025900)
原田 仁平  電気通信大学, 自然科学系列, 教授 (80016071)
西岡 一水  徳島大学, 工学部, 教授 (90035650)
Project Period (FY) 1994
Project Status Completed (Fiscal Year 1994)
Budget Amount *help
¥12,300,000 (Direct Cost: ¥12,300,000)
Fiscal Year 1994: ¥3,000,000 (Direct Cost: ¥3,000,000)
Fiscal Year 1993: ¥5,000,000 (Direct Cost: ¥5,000,000)
Fiscal Year 1992: ¥4,300,000 (Direct Cost: ¥4,300,000)
Keywords結晶成長理論 / 核形成 / 表面拡散 / 成長表面構造 / エピタキシ機構 / ヘテロエピタキシ / モンテカルロシミュレーション / ラマン分光法
Research Abstract

本年度は、平成3年度から5年度にわたって行われた本重点領域研究のとりまとめを行った。とりまとめに際し、次の主要項目ごとに成果を整理した。(1)結晶成長理論、(2)核形成と成長のカイネティクス、(3)成長表面と界面構造、(4)エピタキシ-機構、(5)環境相と成長機構。 この各研究項目ごとにさらに各研究者の分担を定めその成果をまとめた。
結晶成長理論に関しては多成分系核形成理論、結晶の異方性をとり入れた形態形成理論の確立、計算機シミュレーションによる分子線エピタキシ素過程の解明が主な成果である。核形成と成長のカイネティクスに関しては、原子の表面拡散と成長ステップにおける原子のとり込みに関し多くの知見が得られた。成長面と界面構造に関してはX線散乱を用いたSiとSiO_2界面の原子構造の解明に加え電子線はじめ各種の手段を用いて原子スケールでの界面・表面構造を明かにした。エピタキシに関しては特に格子定数差の大きいヘテロエピタキシ機構の解明にとり組み、不整転位の導入機構、バッファ層の役割等従来不明であった重要な問題をいくつか明かにした。環境相と成長機構に関しては特に溶液成長を取り上げ、包晶反応をともなう結晶成長の機構、成長にむけての溶液の構造変化、溶質の脱溶媒過程等従来複雑さのため未開拓であった分野に科学的なメスを入れ部分的ながらその機構を明かにした。
以上の成果は日本結晶成長学会誌第21巻5号別冊としてまとめられている他、「大学と科学」シンポジウムでも公開され1041名という多数の参加者に報告された。

Report

(3 results)
  • 1994 Annual Research Report
  • 1993 Annual Research Report
  • 1992 Annual Research Report
  • Research Products

    (8 results)

All Other

All Publications (8 results)

  • [Publications] K.Nisnioka and I.Kusaka: "Thermodynamic formulae of liguid phase nucleatiom from vapor in multicomponent systems." J.Chem.Phys.96. 5370-5379 (1992)

    • Related Report
      1992 Annual Research Report
  • [Publications] M.Tanaka,N.Ikayashi,H.Sakakibara,K.Ishida and T.Nishinaga: "Atomic Scale morphology and interface of epitaxially embedded metal (CoAe)/Semiconductor (GaAs/AeAs) heterostructures" Appl.Phys.Lett.60. 835-837 (1992)

    • Related Report
      1992 Annual Research Report
  • [Publications] X.Q.Shen,M.Tanaka and T.Nishinaga: "A study an AlAs growth an V-grooved substrates by MBE" 11th Record of alloy Semicomductor Physics and Electronics Symposium. 11. 333-340 (1992)

    • Related Report
      1992 Annual Research Report
  • [Publications] K.Yagi,A.Yamanaka,H.Sato,M.Shima,H.Ohse,S.Ogawa and Y.Tamishiro: "UHV-TEM-REM sutdies of Si(III) Surfaces" Prog.Theo.Phys.Suppl.106. 303-314 (1992)

    • Related Report
      1992 Annual Research Report
  • [Publications] Y.Koide,K.Itoh,S.Zaima and Y.Yasuda: "Im-Situ RHEED Study on the effect of light irradiation on Ge/Si heteroepitaxial growth by GeH_4 Source molecular beam epitaxy" J.Crystal Growth. 120. 284-289 (1992)

    • Related Report
      1992 Annual Research Report
  • [Publications] H.Takie,M.Koike,K.Imai,H.Sawa and Y.Iye: "Growth and properties of Lideficieut Single crystals LiVO_2." Materials Res.Bull.27. 555-562 (1992)

    • Related Report
      1992 Annual Research Report
  • [Publications] 西永 頌(編集): "平成4年度文部省科学研究費補助金重点領域研究「原子レベルでの結晶成長機構」第3回研究会予稿集" 本重点領域研究事務局, 322 (1992)

    • Related Report
      1992 Annual Research Report
  • [Publications] 西永 頌(編集): "同上第4回研究会報告論文集(Proceedings of the Sixth Topical Meeting on Crystal Growth Mecranism,英分論文集)" 本重点領域研究事務局, 455 (1993)

    • Related Report
      1992 Annual Research Report

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Published: 1992-04-01   Modified: 2016-04-21  

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