電析法による合金ひげ結歯の成長機構

• Project/Area Number: 04680056
• Research Category: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Research Field: 結晶学
• Research Institution: Tokyo University of Science
• Principal Investigator: 湯本 久美 東京理科大学, 基礎工学部, 講師 (50103073)
• Project Period (FY): 1992
• Project Status: Completed (Fiscal Year 1992)
• Budget Amount: ¥1,400,000 (Direct Cost: ¥1,400,000); Fiscal Year 1992: ¥1,400,000 (Direct Cost: ¥1,400,000)
• Keywords: ひげ結晶 / 結晶成長 / 電析法 / Zn-Ni / Co-Ni / 異常共析 / メッキ

Research Abstract

1.電析法によりZn-Ni合金ひげ結晶が成長した。条件としては、結晶表面をZnO膜が覆うことが必要であった。
2.理面上このZnO膜はpH上昇により形成される。そこで、微小アンチモン電極を作製して、電析表面のpH値を測定した結果、電析時間とともにpH2からpH4.5に上昇することが分かった。
3.この結晶中のNi含有量は、溶液中の半分程であった。従来異常共析は結晶表面をZn(OH)_2膜が覆っているためNiの電析を阻止するものとされていたが、むしろZnO膜の方がNiの析出阻止が顕著であった。
4.不純物制御や電流波形を三角波に変える事により、長さを20μmから120μm程に伸ばすことができた。
5.Co-Ni系でも500μm程のひげ結晶が成長したが、ラッパ型の空洞結晶となった。これは、電析物表面で発生する水素ガスの影響によるものであった。